一种降低半导体器件焊接气孔率的方法技术

本发明专利技术属于半导体器件封装技术领域，为解决目前焊接气孔改进存在较大困难的问题，本发明专利技术提供了一种降低电子器件焊接气孔率的工艺方法，在半导体基体上增加Ni喷涂层后，采用回流焊工艺，解决了低成本锡膏回流焊接工艺中的焊接空洞问题，降低了半导体器件焊接气孔率。降低了半导体器件焊接气孔率。降低了半导体器件焊接气孔率。

【技术实现步骤摘要】
一种降低半导体器件焊接气孔率的方法


[0001]本专利技术属于半导体器件封装
，具体涉及一种降低半导体器件焊接气孔率的方法。

技术介绍

[0002]在电子产品生产中，为保持元器件的电气性能以及使用性能，需对元器件进行封装，在封装工艺中，通常是利用焊料将半导体元器件焊接至基板上，因此，焊接工艺直接影响元器件与基板的焊接互联质量，而气孔是最常见的焊接质量问题。
[0003]目前，锡膏回流焊是半导体器件封装工艺之一，其中较大面积的焊接气孔是最常见和最难解决的问题之一，当空洞率较大时，焊接可靠性差，导致器件断裂，同时会导致热传导不均匀，严重影响散热效果，导致传热效率低下、热阻增加，甚至导致半导体器件因热疲劳时效。目前主要采取改进回流焊焊接工艺参数，优化钢网结构，改进助焊剂成分，增加空洞抑制剂等方法，降低焊接气孔率，但焊接气孔的产生涉及多方面的因素，在生产过程中，将多方面因素整合改进存在较大困难。

技术实现思路

[0004]为解决目前焊接气孔改进存在较大困难的问题，本专利技术提供了一种降低电子器件焊接气孔率的工艺方法，解决了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低半导体器件焊接气孔率的方法，其特征在于，所述的方法为以下步骤：（1）取半导体晶棒材料进行机械加工、喷砂，然后在半导体材料基体上喷涂一层Ni层；再在喷涂Ni层后的半导体基体上镀Ni；（2）将镀镍后的半导体基体材料与印刷有锡膏的基体焊接互联。2.根据权利要求1所述的降低半导体器件焊接气孔率的方法，其特征在于，机械加工采用内圆切割的方法。3.根据权利要求1所述的降低半导体器件焊接气孔率的方法，其特征在于，喷涂Ni层厚度为60~120μm。4.根据权利要求3所述的降低半导体器件焊接气孔率的方法，其特征在于，喷涂Ni层的方法包括火焰喷涂。5.根据权利要求1所述的降低半导体器件焊...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔博然，翟仁爽，李明，杨驰，
申请(专利权)人：杭州大和热磁电子有限公司，
类型：发明
国别省市：