【技术实现步骤摘要】
半导体量测设备及清洁方法
[0001]本申请属于半导体检测
,具体涉及一种半导体量测设备及清洁方法。
技术介绍
[0002]本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息,其并不必然是现有技术。
[0003]半导体晶圆在经过多道加工工艺之后,需要对加工后的晶圆进行参数测量,以保证晶圆满足客户要求。晶圆大多采用量测设备对其厚度、形貌、缺陷、电学性质等参数进行测量,量测设备通常为一体机,可以测量多个晶圆参数,因此,晶圆在测量设备内会经过多个位置的移动。由当测量测设内部某个测量工位被污染或者晶圆被污染时,晶圆在各量测工位移动时会扩大污染面积造成进一步的多个模块的污染,而且受到污染的量测设备可能会对后续进行量测的晶圆造成污染。
[0004]现有技术中,通常通过清理量测设备内部各个模块各测量工位的污染。但该清理过程需要将量测设备停机,量测停机过程使生产过程停止,从而降低了生产效率。
技术实现思路
[0005]本专利技术提供了一种半导体量测设备,所述半导体量测设备包括:晶圆装载端口,所述晶圆装载端口用于存 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体量测设备,其特征在于,所述半导体量测设备包括:晶圆装载端口,所述晶圆装载端口用于存放晶圆;晶圆量测装置,所述晶圆量测装置用于测量所述晶圆的参数;EFEM模块,所述EFEM模块用于在所述晶圆装载端口与所述晶圆量测装置之间传递晶圆;清洁模块,所述清洁模块用于在所述半导体量测设备运行时清洁所述晶圆装载端口、所述EFEM模块和所述晶圆量测装置。2.根据权利要求1所述的半导体量测设备,其特征在于,所述清洁模块包括静电晶圆,所述静电晶圆带有静电,所述静电晶圆能够通过所述EFEM模块内设置的机械臂在所述晶圆装载端口和所述晶圆量测装置之间传递,所述静电晶圆用于在所述晶圆装载端口、所述EFEM模块和所述晶圆量测装置中吸附颗粒、杂质等沾污。3.根据权利要求2所述的半导体量测设备,其特征在于,所述清洁模块还包括静电晶圆盒,所述静电晶圆盒与电源电连接,所述静电晶圆盒用于容纳所述静电晶圆且用于为所述静电晶圆补充静电。4.根据权利要求2所述的半导体量测设备,其特征在于,所述清洁模块还包括静电晶圆回收盒,所述静电晶圆回收盒用于存放使用后的所述晶圆。5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体量测设备,其特征在于,所述静电晶圆上设有绝缘件。6.根据权利要求5所述的半导体量测设备,其特征在于,所述绝缘件的面积远小于所述静电晶圆的面积。7.根据权利要求2至...
【专利技术属性】
技术研发人员:金炳喆,卢一泓,李琳,胡艳鹏,张月,王佳,
申请(专利权)人:真芯北京半导体有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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