一种贴片电容制造技术

技术编号:33797435 阅读:29 留言:0更新日期:2022-06-16 10:01
本实用新型专利技术公开了一种应用于半导体封装工艺的贴片电容,包括:电容陶瓷基体、内电极以及外电极,外电极为熔点大于250℃且能与焊料形成合金层的高熔点金属制成的金属层。本实用新型专利技术解决了半导体封装体在二次高温回流焊接过程中,因无铅焊料无法与外电极裸露的纯锡层结合,导致外电极锡层熔融为液态锡,从而导致产品内部因锡迁移造成元件短路,致使产品损坏的问题。的问题。的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种贴片电容


[0001]本技术涉及半导体
,特别涉及使用金属焊料连接贴片电容并进行一体封装,且应用过程需要经过二次高温焊接的半导体封装体。

技术介绍

[0002]在半导体器件封装
,表贴电子元件组装,通常是在承载PCB板上印刷金属焊料,所述金属焊料通常是以锡为主的高熔点合金焊料。印刷完焊料后,表贴电子元件,再经过高温回流焊接制成。现有的表贴电子元件中贴片电容包括陶瓷基体以及外电极,其中,外电极包括内侧电极以及包裹于内侧电极外的外侧电极,外侧电极通常会使用6~10um厚的纯锡材料制成,纯锡的熔点为231.8℃。
[0003]贴片电容贴片完成后,由于贴片电容外电极与焊料形成的焊点润湿高度无法完全覆盖由纯锡制成的外电极,从而导致外电极层裸露。此外,贴片电容被封装于电路内部时,由于贴片电容与封装体属不同材质,无法完全紧密结合,从而导致贴片电容与封装体之间留有空隙。半导体封装体在使用过程中会经过二次高温回流焊接,传统无铅焊料所使用的回流焊接温度一般在250℃左右,时间通常为90s。封装后内部的贴片电容经过二次高温回流焊接,当贴片电容本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种贴片电容,包括:电容陶瓷基体以及外电极,其中,所述外电极包括内侧电极以及包裹于所述内侧电极外的外侧电极,其特征在于:所述外侧电极为熔点大于250℃且能与焊料形成合金层的高熔点金属制成的金属层。2.根据权利要求1所述的贴片电容,其特征在于:所述内侧电极为由铜、银或铜合金制...

【专利技术属性】
技术研发人员:ꢀ五一IntClH零一G四二三二
申请(专利权)人:广州金升阳科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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