充电电压控制方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

技术编号:33795319 阅读:25 留言:0更新日期:2022-06-12 14:57
本申请适用于快充充电技术领域,提供了一种充电电压控制方法、装置、设备及存储介质。一种充电电压控制方法,包括获取第一电压和第一电流;所述第一电压为所述待充电设备中电池的电压,所述第一电流为所述待充电设备中开关型充电芯片为所述电池提供的电流;根据所述第一电压和所述第一电流,确定所述开关型充电芯片的效率函数;根据所述效率函数,确定目标电压;所述目标电压为PD适配器为所述开关型充电芯片提供的最优充电电压;根据所述目标电压发送第一指令;所述第一指令用于指示所述PD适配器为所述开关型充电芯片提供所述目标电压。本申请实施例提供的充电电压控制方法可以解决开关型充电系统中待充电设备充电速度慢的问题。关型充电系统中待充电设备充电速度慢的问题。关型充电系统中待充电设备充电速度慢的问题。

【技术实现步骤摘要】
充电电压控制方法、装置、设备及存储介质


[0001]本申请属于快充充电
,尤其涉及一种充电电压控制方法、装置、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]目前,典型的开关型充电系统由适配器和待充电设备组成,其中适配器采用PD(Power Delivery,电力供给)适配器,待充电设备包括开关型充电芯片、PD协议芯片和电池。目前开关型充电系统中待充电设备的充电方案采用PD的固定电压模式,具体为基于开关型充电芯片将PD适配器输出的固定电压降压到电池电压附近,并给电池充电。但是开关型充电芯片在充电过程中会产生功率损耗,导致待充电设备的功率损耗增加、温升较大,这会造成一个现象:虽然PD适配器有较大的输出功率,但是受限于待充电设备的功率损耗限值或温升限制,实际的充电功率是受到限制的。在大电流充电时,随着开关型充电芯片产生的功率损耗的增加,待充电设备的功率损耗会增加、温度也会升高,一旦功率损耗或温升超过了待充电设备的功率损耗限值或温升限制,开关型充电芯片就会进入热管理状态,导致待充电设备的充电功率降低甚至停止充电,进而增加充电时间。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供了一种充电电压控制方法、装置、设备及存储介质,可以解决开关型充电系统中待充电设备充电速度慢的问题。
[0004]第一方面,本申请实施例提供了一种充电电压控制方法,应用于待充电设备,包括:获取第一电压和第一电流;所述第一电压为所述待充电设备中电池的电压,所述第一电流为所述待充电设备中开关型充电芯片为所述电池提供的电流;根据所述第一电压和所述第一电流,确定所述开关型充电芯片的效率函数;根据所述效率函数,确定目标电压;所述目标电压为PD适配器为所述开关型充电芯片提供的最优充电电压;根据所述目标电压发送第一指令;所述第一指令用于指示所述PD适配器为所述开关型充电芯片提供所述目标电压。
[0005]在第一方面的一种可能的实现方式中,所述根据所述第一电压和所述第一电流,确定所述开关型充电芯片的效率函数,包括:控制所述PD适配器为所述开关型充电芯片提供多个第二电压;根据所述第一电压、所述第一电流和多个所述第二电压,计算每个所述第二电压对应的所述开关型充电芯片的工作效率;将所有所述第二电压和所有所述工作效率带入预设坐标系,得到所述效率函数。
[0006]在第一方面的一种可能的实现方式中,所述根据所述第一电压、所述第一电流和多个所述第二电压,计算每个所述第二电压对应的所述开关型充电芯片的工作效率,包括:
根据所述第二电压确定第二电流,所述第二电流为所述PD适配器为所述开关型充电芯片提供的电流;将所述第一电压、所述第一电流、所述第二电压和所述第二电流带入第一计算公式,得到所述工作效率。
[0007]在第一方面的一种可能的实现方式中,所述第一计算公式为:其中,表示所述工作效率,表示所述第一电压,表示所述第一电流,表示所述第二电流,表示所述第二电压。
[0008]在第一方面的一种可能的实现方式中,所述根据所述第一电压和所述第一电流,确定所述开关型充电芯片的效率函数,包括:根据所述第一电压和所述第一电流,在数据库中确定所述效率函数。
[0009]在第一方面的一种可能的实现方式中,所述充电电压控制方法还包括:获取多组充电参数,每组所述充电参数包括一个第一电压和一个第一电流;确定每组所述充电参数对应的效率函数;将每组所述充电参数和每个所述效率函数关联,并存储至所述数据库。
[0010]在第一方面的一种可能的实现方式中,所述根据所述效率曲线,确定目标电压,包括:对所述效率函数进行求导,得到所述效率函数的导函数;确定所述导函数等于零时的电压为所述目标电压。
[0011]第二方面,本申请实施例提供了一种充电电压控制装置,应用于待充电设备,包括:获取模块,用于获取第一电压和第一电流;所述第一电压为所述待充电设备中电池的电压,所述第一电流为所述待充电设备中开关型充电芯片为所述电池提供的电流;效率函数确定模块,用于根据所述第一电压和所述第一电流,确定所述开关型充电芯片的效率函数;目标电压确定模块,用于根据所述效率函数,确定目标电压;所述目标电压为PD适配器为所述开关型充电芯片提供的最优充电电压;指令发送模块,用于根据所述目标电压发送第一指令;所述第一指令用于指示所述PD适配器为所述开关型充电芯片提供所述目标电压。
[0012]第三方面,本申请实施例提供了一种待充电设备,包括开关型充电芯片和电池,所述开关型充电芯片和所述电池电连接,所述开关型充电芯片用于执行如第一方面中任一项所述的方法。
[0013]第四方面,本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质存储有计算机程序,所述计算机程序被开关型充电芯片执行时实现如第一方面中任一项所述的方法。
[0014]本申请实施例与现有技术相比存在的有益效果是:本申请实施例提供了一种充电电压控制方法,应用于待充电设备,包括:获取第一电压和第一电流;所述第一电压为所述待充电设备中电池的电压,所述第一电流为所述待充电设备中开关型充电芯片为所述电池提供的电流。根据所述第一电压和所述第一电流,确定所述开关型充电芯片的效率函数。根据所述效率函数,确定目标电压;所述目标电压为PD适配器为所述开关型充电芯片提供的最优充电电压。根据所述目标电压发送第一指令;所述第一指令用于指示所述PD适配器为所述开关型充电芯片提供所述目标电压。本申请实施例提供的充电电压控制方法,根据待充电设备中电池的电压和开关型充电芯片为电池提供的电流,确定开关型充电芯片的效率函数。根据开关型充电芯片的效率函数确定PD适配器为开关型充电芯片提供的最优充电电压,其中最优充电电压对应的开关型充电芯片的工作效率最高。当开关型充电芯片的工作效率最高时,开关型充电芯片在充电过程中产生的功率损耗最小,使待充电设备的功率损耗相应地降低,进而提升了待充电设备的充电功率,加快了充电速度,解决了开关型充电系统中待充电设备充电速度慢的问题。
[0015]可以理解的是,上述第二方面至第四方面的有益效果可以参见上述第一方面中的相关描述,在此不再赘述。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1是本申请一实施例提供的待充电设备的结构示意图;图2是本申请另一实施例提供的充电电压控制方法的流程示意图;图3是本申请另一实施例提供的充电电压控制方法的流程示意图;图4是本申请另一实施例提供的充电电压控制方法的流程示意图;图5是本申请另一实施例提供的充电电压控制方法的流程示意图;图6是本申请另一实施例提供的充电电压控制方法的流程示意图;图7是本申请另一实施例提供的充电电压控制装置的结构示意图;图8是开关型充电芯片在第一电压为4.0V,第一电流为4A时的效率函数示意图。
[本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种充电电压控制方法,应用于待充电设备,其特征在于,包括:获取第一电压和第一电流;所述第一电压为所述待充电设备中电池的电压,所述第一电流为所述待充电设备中开关型充电芯片为所述电池提供的电流;根据所述第一电压和所述第一电流,确定所述开关型充电芯片的效率函数;根据所述效率函数,确定目标电压;所述目标电压为PD适配器为所述开关型充电芯片提供的最优充电电压;根据所述目标电压发送第一指令;所述第一指令用于指示所述PD适配器为所述开关型充电芯片提供所述目标电压。2.根据权利要求1所述的充电电压控制方法,其特征在于,所述根据所述第一电压和所述第一电流,确定所述开关型充电芯片的效率函数,包括:控制所述PD适配器为所述开关型充电芯片提供多个第二电压;根据所述第一电压、所述第一电流和多个所述第二电压,计算每个所述第二电压对应的所述开关型充电芯片的工作效率;将所有所述第二电压和所有所述工作效率带入预设坐标系,得到所述效率函数。3.根据权利要求2所述的充电电压控制方法,其特征在于,所述根据所述第一电压、所述第一电流和多个所述第二电压,计算每个所述第二电压对应的所述开关型充电芯片的工作效率,包括:根据所述第二电压确定第二电流,所述第二电流为所述PD适配器为所述开关型充电芯片提供的电流;将所述第一电压、所述第一电流、所述第二电压和所述第二电流带入第一计算公式,得到所述工作效率。4.根据权利要求3所述的充电电压控制方法,其特征在于,所述第一计算公式为:其中,表示所述工作效率,表示所述第一电压,表示所述第一电流,表示所述第二电流,表示所述第二电压。5.根据权利要求1所述的充电电压控制方法,其特征在于,所述根据所述第一电压和所...

【专利技术属性】
技术研发人员:唐鹏戴兴科
申请(专利权)人:深圳市微源半导体股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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