MLED背板的像素结构及显示面板制造技术

本申请涉及一种MLED背板的像素结构及显示面板，该像素结构包括按照阵列式结构排列的多个子像素结构，每个子像素结构均包括发光单元、驱动单元和金属导电单元，金属导电单元包括第一金属导线和第二金属导线，第一金属导线电连接驱动单元，驱动单元电连接发光单元，发光单元电连接第二金属导线，第一金属导线和第二金属导线均为三层金属交叠结构；第一金属导线用于对驱动单元提供VDD电压，驱动单元用于驱动发光单元发光或熄灭，第二金属导线用于对发光单元提供VSS电压。大幅提升了MLED产品的亮度均一性。亮度均一性。亮度均一性。

【技术实现步骤摘要】
MLED背板的像素结构及显示面板


[0001]本申请涉及显示器
，特别是涉及一种MLED背板的像素结构及显示面板。

技术介绍

[0002]随着显示技术的发展，各类显示器及其制作工艺也得以不断发展迭代，至今已出现了各类较为成熟的LED显示技术。微型发光二极管(Microlightemittingdiode，简称Micro
‑
LED)通常是指在传统LED芯片结构基础上，将LED芯片尺寸规格缩小到200微米以内的尺寸，将红、绿、蓝三色MicroLED按照一定的规则排列在薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)或互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，简称COMS)上，则形成了能够实现全彩显示的微器件。
[0003]此种显示器具有独立控制的显示画素，具有独立发光控制、高辉度、低耗电、超高分辨率和超高色彩饱和度等特点，并且Micro
‑
LED微显示器件由于具有自发光的技术特性，还可以实现柔性、透明显示等，而其耗电量仅约为液晶面板的10％。MicroLED是新一代显示技术，是LED微缩化和矩阵化技术，简单来说，就是将LED背光源进行薄膜化、微小化、阵列化，可以让LED单元小于100微米，与OLED一样能够实现每个图元单独定址，单独驱动发光。Mini/MicroLED(简称MLED)显示技术在近两年进入加速发展阶段，可以使用在中小型高附加价值显示器应用领域。相较OLED屏幕，MLED显示可以在成本、对比度、高亮度和轻薄外形上表现出更佳性能。
[0004]Micro
‑
LED发展成未来显示技术的热点之一，和目前的LCD和OLED显示器件相比，具有反应快、高色域、高PPI、低能耗等优势。但其技术难点多且技术复杂，特别是其关键技术巨量转移技术、LED颗粒微型化成为技术瓶颈，而Mini
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LED作为Micro
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LED与背板结合的产物，具有高对比度、高显色性能等可与OLED相媲美的特点，成本稍高LCD，仅为OLED的六成左右，相对Micro
‑
LED、OLED更易实施，所以Mini
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LED成为各大面板厂商布局热点。Mini
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LED以及Micro
‑
LED是未来显示技术发展的一种比较重要的方向，而主动式矩阵驱动方式更能进一步增强Mini
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LED和Micro
‑
LED的显示效果。然而，在实现过程中，专利技术人发现现有的MLED产品上仍然存在着亮度均一性不高的技术问题。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种MLED背板的像素结构以及一种显示面板，能够大幅提升MLED产品的亮度均一性。
[0006]为了实现上述目标，本申请提供了以下技术方案：
[0007]一方面，提供一种MLED背板的像素结构，包括按照阵列式结构排列的多个子像素结构，每个子像素结构均包括发光单元、驱动单元和金属导电单元，金属导电单元包括第一金属导线和第二金属导线，第一金属导线电连接驱动单元，驱动单元电连接发光单元，发光单元电连接第二金属导线，第一金属导线和第二金属导线均为三层金属交叠结构；
[0008]第一金属导线用于对驱动单元提供VDD电压，驱动单元用于驱动发光单元发光或
熄灭，第二金属导线用于对发光单元提供VSS电压。
[0009]在其中一个实施例中，第一金属导线和第二金属导线的三层金属中，底层金属在跨线处断开。
[0010]在其中一个实施例中，第二金属导线包括电连接的第一VSS导线和第二VSS导线，发光单元电连接第一VSS导线。
[0011]在其中一个实施例中，驱动单元电包括输入端分别电连接第一金属导线的第一驱动电路、第二驱动电路和第三驱动电路，发光单元包括负极分别电连接第一VSS导线的第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管；
[0012]第一驱动电路的输出端电连接第一发光二极管的正极，第二驱动电路的输出端电连接第二发光二极管的正极，第三驱动电路的输出端电连接第三发光二极管的正极。
[0013]另一方面，还提供一种显示面板，包括MLED背板，MLED背板的像素结构包括按照阵列式结构排列的多个子像素结构，每个子像素结构均包括发光单元、驱动单元和金属导电单元，金属导电单元包括第一金属导线和第二金属导线，第一金属导线电连接驱动单元，驱动单元电连接发光单元，发光单元电连接第二金属导线，第一金属导线和第二金属导线均为三层金属交叠结构；
[0014]第一金属导线用于对驱动单元提供VDD电压，驱动单元用于驱动发光单元发光或熄灭，第二金属导线用于对发光单元提供VSS电压。
[0015]在其中一个实施例中，第一金属导线和第二金属导线的三层金属中，底层金属在跨线处断开。
[0016]在其中一个实施例中，第二金属导线包括电连接的第一VSS导线和第二VSS导线，发光单元电连接第一VSS导线。
[0017]在其中一个实施例中，驱动单元电包括输入端分别电连接第一金属导线的第一驱动电路、第二驱动电路和第三驱动电路，发光单元包括负极分别电连接第一VSS导线的第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管；
[0018]第一驱动电路的输出端电连接第一发光二极管的正极，第二驱动电路的输出端电连接第二发光二极管的正极，第三驱动电路的输出端电连接第三发光二极管的正极。
[0019]在其中一个实施例中，MLED背板为Micro
‑
LED背板。
[0020]在其中一个实施例中，MLED背板为Mini
‑
LED背板。
[0021]上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：
[0022]上述MLED背板的像素结构及显示面板，在MLED产品的像素结构中，VDD、VSS金属导线采用三层交叠设计，也即在同一个信号的相同位置做了三层金属，由传统的双层金属增加一层LS，通过增加并联导线(类似并联电阻)的方式，减小了VDD和VSS的走线电阻，从而减小VDD、VSS信号上的大电流产生的IR drop(IR压降)，使实际输入到各个Pixel(像素)的VDD电压值和VSS电压值均趋于相同，显著改善电流不均的现象，达到大幅提升MLED产品的亮度均一性的目的。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本
申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1为一种Pixel的电路架构示意图。
[0025]图2为高电位至低电位的走线电阻变化示意图。
[0026]图3为本申请实施例中MLED背板的像素本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MLED背板的像素结构，其特征在于，包括按照阵列式结构排列的多个子像素结构，每个所述子像素结构均包括发光单元、驱动单元和金属导电单元，所述金属导电单元包括第一金属导线和第二金属导线，所述第一金属导线电连接所述驱动单元，所述驱动单元电连接所述发光单元，所述发光单元电连接所述第二金属导线，所述第一金属导线和所述第二金属导线均为三层金属交叠结构；所述第一金属导线用于对所述驱动单元提供VDD电压，所述驱动单元用于驱动所述发光单元发光或熄灭，所述第二金属导线用于对所述发光单元提供VSS电压。2.根据权利要求1所述的MLED背板的像素结构，其特征在于，所述第一金属导线和所述第二金属导线的三层金属中，底层金属在跨线处断开。3.根据权利要求1或2所述的MLED背板的像素结构，其特征在于，所述第二金属导线包括电连接的第一VSS导线和第二VSS导线，所述发光单元电连接所述第一VSS导线。4.根据权利要求3所述的MLED背板的像素结构，其特征在于，所述驱动单元电包括输入端分别电连接所述第一金属导线的第一驱动电路、第二驱动电路和第三驱动电路，所述发光单元包括负极分别电连接所述第一VSS导线的第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管；所述第一驱动电路的输出端电连接所述第一发光二极管的正极，所述第二驱动电路的输出端电连接所述第二发光二极管的正极，第三驱动电路的输出端电连接所述第三发光二极管的正极。5.一种显示面板，其特征在于，包括MLED背板，所述MLED背板的像素结构包括按照阵列式结构排列的多个子像素结构，每...

【专利技术属性】
技术研发人员：白一晨，胡亮，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：