高导热性散热片制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种高导热性散热片，包括散热片的本体，所述本体内具有一散热区，所述散热区由一组间隔竖直设置的散热片层构成，所述主体由MAX相陶瓷构成，且所述本体的底部同轴设有一内凹的凹槽，所述凹槽的内壁具有一层导热层，所述导热层由MXene构成。本实用新型专利技术使用MAX相陶瓷将整个散热片的本体由MAX相陶瓷一体构成，并在其底部通过氢氟酸刻蚀，使得所述本体底部的凹槽生成一层MXene，使得本体底部可以直接利用MXene作为导热介质，而无需另外设置其他介质来进行导热，简化了制造工艺，并且MXene材料本身具有的高导电性、高导热性可以大大提高散热片本体的散热效率。性可以大大提高散热片本体的散热效率。性可以大大提高散热片本体的散热效率。

【技术实现步骤摘要】
高导热性散热片


[0001]本技术涉及电子设备散热系统
，具体地涉及一种高导热性散热片。

技术介绍

[0002]电子设备散热系统可以由风扇、散热片（如石墨片、金属散热片等）和导热界面器件组成。导热界面器件功能是填充发热元件与散热元件之间的空气间隙，提高导热效率，通常用于通讯设备、计算机和外设、功率变换设备、存储模块、芯片级封装等领域，而散热片通过导热界面器件与电子元件表面接触，利用其在水平方向上的导热性，迅速降低电子产品工作时发热元件所在位置的的温度，使得电子产品温度趋于均匀化，扩大散热表面积以达到降低整个电子产品的温度，提高电子产品的工作稳定性及使用寿命。
[0003]目前，行业内广泛应用的导热器件包括导热界面器件、石墨片等，导热界面器件主要包括导热膏、片状导热间隙填充材料、液态导热间隙填充材料、相变化导热界面材料和导热凝胶等。但是现在常用的石墨材料在高温环境下易氧化，且石墨材料脆性大，抗冲击性能差，易产生微裂纹，这导致散热器的散热持续性很差，需要不断更换，散热效率降低并且使用成本较高。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是克服现有技术存在的不足，提供一种高导热性散热片。
[0005]本技术的目的通过以下技术方案来实现：
[0006]高导热性散热片，包括散热片的主体，所述主体内具有一散热区，所述散热区由一组间隔竖直设置的散热片层构成，所述主体由MAX相陶瓷构成，且所述主体的底部同轴设有一内凹的凹槽，所述凹槽的内壁具有一层导热层，所述导热层由MXene构成。
[0007]优选的，所述导热层厚度等于所述凹槽的深度。
[0008]优选的，所述导热层由主体通过氢氟酸刻蚀而成。
[0009]优选的，所述散热片层等距间隔设置，且所述散热区的宽度不小于所述凹槽的最大宽度。
[0010]优选的，所述主体为圆柱形。
[0011]优选的，所述凹槽为圆形。
[0012]本技术的有益效果主要体现在：
[0013]1、使用MAX相陶瓷将整个散热片的主体由MAX相陶瓷一体构成，并在其底部通过氢氟酸刻蚀，使得所述主体底部的凹槽生成一层MXene，使得主体底部可以直接利用MXene作为导热介质，而无需另外设置其他介质来进行导热，简化了制造工艺，并且MXene材料本身具有的高导电性、高导热性可以大大提高散热片主体的散热效率；
[0014]2、间隔设置的散热片层，大大增加了散热片主体自身的散热面积，来进一步增加散热片的散热效率。
附图说明
[0015]下面结合附图对本技术技术方案作进一步说明：
[0016]图1：本技术实施例的示意图1；
[0017]图2：本技术实施例的示意图2。
具体实施方式
[0018]以下将结合附图所示的具体实施方式对本技术进行详细描述。但这些实施方式并不限于本技术，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本技术的保护范围内。
[0019]在方案的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。并且，在方案的描述中，以操作人员为参照，靠近操作者的方向为近端，远离操作者的方向为远端。
[0020]如图1至图2所示，本技术揭示了一种高导热性散热片，包括主体1，所述主体1内具有一散热区，所述散热区由一组间隔竖直设置的散热片层2构成，所述主体1由MAX相陶瓷构成，且所述主体1的底部同轴设有一内凹的凹槽3，所述凹槽3的内壁具有一层导热层4，所述导热层4由MXene构成。
[0021]本技术的所述主体1和散热片层2为一体构成，且所述主体1由MAX相陶瓷构成，MAX相陶瓷为三元过度金属碳化物或者氮化物陶瓷，统称为“Mn+1AXn相”，其中的M指过渡金属元素，A表示主族元素，X代表碳元素或氮元素，n的值可以取1，2，3，例如Ti3AlC2，Cr2AlC等。所述主体1的底部的凹槽3通过使用氢氟酸进行刻蚀，使得MAX相结构中的A原子层得到具有层状结构的MXene，即所述导热层4，使得所述主体1可以直接利用所述导热层作为导热介质，而无需另加其他导热介质，简化了制造工艺，节约了制造成本，使得所述凹槽3可以直接与电子器件接触来进行散热。另一方面，由MXene构成的所述导热层具有柔韧性好、导电性强、机械强度高、导热率高的优点，大大提高散热片主体的散热效率。
[0022]其中所述散热片层2等距间隔设置，且所述散热区的宽度不小于所述凹槽3的最大宽度。来尽可能地扩大所述主体1的散热面积，来增强所述主体1的散热效率。
[0023]在本优选实施例中的所述主体1为圆柱形，在其他可行的实施例中，所述主体1也可以是其他可行的形状。
[0024]进一步的，所述凹槽3为圆形，来最大程度利用所述主体1的底部面积，在其他可行的实施例中，所述凹槽3也可以是其他形状。
[0025]应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
[0026]上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本技术的可行性实施方式的具体说明，它们并非用以限制本技术的保护范围，凡未脱离本技术技艺精神所作的
等效实施方式或变更均应包含在本技术的保护范围之内。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.高导热性散热片，其特征在于：包括散热片的主体（1），所述主体（1）内具有一散热区，所述散热区由一组间隔竖直设置的散热片层（2）构成，所述主体（1）由MAX相陶瓷构成，且所述主体（1）的底部同轴设有一内凹的凹槽（3），所述凹槽（3）的内壁具有一层导热层，所述导热层由MXene构成。2.根据权利要求1所述的高导热性散热片，其特征在于：所述导热层厚度等于所述凹槽（3）的深度。3.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊舒凯，李华，贝国平，钱国锋，
申请(专利权)人：中铭富驰苏州纳米高新材料有限公司，
类型：新型
国别省市：