一种基于立方氮化硼（c-BN）单晶材料的肖特基-PN结二极管制造技术

本发明专利技术公开了一种基于立方氮化硼(c

【技术实现步骤摘要】
一种基于立方氮化硼（c
‑
BN） 单晶材料的肖特基
‑
PN结二极管


[0001]本专利技术属于电子器件的
，具体涉及一种基于立方氮化硼 (c
‑
BN)单晶材料的肖特基
‑
PN结二极管。

技术介绍

[0002]肖特基二极管具有较小的开启电压和较小的反向击穿电压，而对于PN结二极管，却具有较高的开启电压和较大的击穿电压。为了结合它们的特性，在2009年，Makino提出了肖特基
‑
PN结二极管 (SPND)。目前，传统的硅基二极管受限于自身热导性差，击穿电压低等物理特性，已经难以满足更高功率电子器件需求。人们逐渐将目光转向具有高热导率、高击穿场强、高电子饱和速率的宽禁带半导体材料。

技术实现思路

[0003]鉴于现有技术的缺陷，本专利技术提供了一种基于立方氮化硼(c
‑
BN) 单晶材料的肖特基
‑
PN结二极管。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案如下：r/>[0005]一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于立方氮化硼(c
‑
BN)单晶材料的肖特基
‑
PN结二极管，其特征在于，所述的肖特基
‑
PN结二极管包括c
‑
BN晶体、ITO薄膜和Au电极。其中，在所述c
‑
BN晶体的两侧分别镀上ITO薄膜和Au电极，再将Au与In焊接，作为外接导线。2.根据权利要求1所述的基于立方氮化硼(c
‑
BN)单晶材料的肖特基
‑
PN结二极管，其特征在于，所述c
‑
BN晶体在温度为1800℃、压强为6GPa的高温高压条件下合成所得。3.根据权利要求1或2所述的基于立方氮化硼(c
‑
BN)单晶材料的肖特基
‑
PN结二极管，其特征在于，所述c

【专利技术属性】
技术研发人员：郑伟，林卓耿，朱思琪，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：