本发明专利技术涉及将与变压器的初级线圈连接的初级电路和与变压器的次级线圈连接的次级电路用光耦合器耦合而构成的电源电路，目的在于提供能够防止光耦合器中感光元件侧与发光元件侧的短路、维持变压器的初级电路与次级电路之间的绝缘状态的电源电路。本发明专利技术的特征在于，在用光耦合器（１１４）来耦合与变压器（１１３）的初级线圈（Ｌ１）连接的初级电路（１１１）和与变压器（１１３）的次级线圈（Ｌ２）连接的次级电路（１１２）而构成的电源电路中，与光耦合器（１１４）的感光元件（Ｑｐ）及／或发光元件（Ｄｐ）并联连接了由比感光元件（Ｑｐ）及／或发光元件（Ｄｐ）的击穿电压低的电压击穿、从而使感光元件（Ｑｐ）及／或发光元件（Ｄｐ）的两端短路的击穿短路型元件（１１５）。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电源电路，特别是由光耦合器来耦合与变压器的初级 线圏连接的初级电路和与变压器的次级线圏连接的次级电路的电源电 路。
技术介绍
将电力线等交流电源切换为直流电源后提供给机器的交流适配 器等中，使用开关电源(如参照专利文献l)。图3是表示以往开关电源电路一例的电路结构图。开关电源电路10的结构包含初级电路11、次级电路12、变压器 13、光耦合器14。初级电路ll的结构包含整流平滑电路21、控制电路22，在输入 端子Tin+、 Tin-上施加交流电源。整流平滑电路21将施加在输入端 子Tin+、 Tin-上的交流电源整流平滑后，施加到变压器13的初级线 圏Ll 一端。变压器13的初级线圏Ll的另一端与控制电路22连接。 控制电路22按照与光耦合器14提供的检测信号所对应的占空比或频 率来切换初级线圏Ll中的电流。变压器13在次级线圏L2两端产生与初级线圏Ll中的电流的占 空比或频率对应的电压。变压器13的次级线團L2与次级电路12连 接。次级电路12由整流平滑电路31和输出检测电路32构成。整流平 滑电路31将变压器13的次级线圏L2两端产生的电压整流、平滑后 从输出端子Tout+、 Tout —输出。另外，输出检测电路32检测出输出端子Tout+的输出电压，生 成与输出电压对应的检测信号，控制光耦合器14。光耦合器14由发光二极管Dp和光电晶体管Qp构成。发光二极管Dp根据输出检测电路32提供的检测信号被驱动，发出与检测信号 对应的光量的光。从发光二极管Dp射出的光，提供给光电晶体管Qp。 光电晶体管Qp从控制电路22中引入与发光二极管Dp提供的光的光 量对应的电流。控制电路22按照与从光电晶体管Qp中引出的电流对应的占空 比或频率来切换变压器13的初级线團Ll中的电流。这时，控制电路 22根据输出检测电路32所提供的检测信号来切换初级线圏Ll中的电 流，使得从输出端子Tout+、 Tout-输出的输出电压恒定。通过以上动作，开关电源电路10从输出端子Tout+、 Tout-输 出规定的输出电压。[专利文献1特开2001 - 251850号公报
技术实现思路
但是，以往的电源电路中，光耦合器损坏后，光耦合器的感光元 件侧和发光元件侧会短路，变压器的初级电路与次级电路之间的绝缘 状态可能会被破坏。本专利技术是鉴于上述内容而实施的，目的在于提供能够防止光耦合 器中感光元件侧与发光元件侧的短路、维持变压器的初级电路与次级 电路间的绝缘状态的电源电路。本专利技术的特征在于，在将与变压器(113)的初级线團(Ll)连 接的初级电路(111)和与变压器(113)的次级线圏(L2)连接的次 级电路(112)用光耦合器(114)耦合而构成的电源电路中，与光耦 合器(114)的感光元件(Qp)及/或发光元件(Dp)并联连接了由比 感光元件(Qp)及/或发光元件(Dp)的击穿电压低的电压击穿、从 而使感光元件(Qp)及/或发光元件(Dp)的两端短路的击穿短路型 元件(115)。其特征在于，击穿短路型元件(115)由击穿型齐纳二极管构成。 其特征在于，在光耦合器(114)中，发光元件(Dp)与次级电 路(112 )连接，感光元件(Qp )与初级电路(111 )连接，击穿短路型元件(115)与感光元件(Qp)并联连接。另外一个特征在于，光耦合器(114)是感光元件(Qp)与发光元件(Dp ) —体化的部件，击穿短路型元件(115 )是与光耦合器(114 )各自独立的部件。上述参照符号仅作为参考，专利申请的范围不被此限定。 根据本专利技术，在由光耦合器(114)来耦合与变压器(113)的初级线圏(Ll)连接的初级电路(111)和与变压器(113)的次级线圏 (L2)连接的次级电路(112)的电源电路中，与光耦合器(114)的及/或发光元件(Dp)的击穿电压低的电压击穿、从而使感光元件(Qp) 及/或发光元件(Dp)的两端短路的击穿短路型元件(115),由此能 够防止光耦合器(114)的损坏。附图说明图l是本专利技术一实施例的电路结构图。 图2是本专利技术其他实施例的电路结构图。 图3是以往一例的电路结构图。 标号说明 100电源电路111初级电路、112次级电路、113变压器、114光耦合器 115击穿短路型元件121熔丝、122 二极管整流电路、123平滑电路 124初级控制电路131整流平滑电路、132检测电路、133次级控制电路Ll初级线圏、L2次级线圏Qp光电晶体管、Dp发光二极管Cll、 C21电容器、Rll、 R21、 R22电阻、D21 二极管具体实施例方式图1为表示本专利技术一实施例的电路结构图。本实施例的电源电路100由初级电路111、次级电路112、变压 器113、光耦合器114、击穿短路型元件115构成。初级电路111与变压器113的初级线圏Ll连接，由熔丝121、 二极管整流电路122、平滑电路123、初级控制电路124构成。在初级电路111中，输入端子Tin+与输入端子Tin -之间被提供 交流电源。输入端子Tin+通过熔丝121与二极管整流电路122阳极侧 的端子连接。输入端子Tin-直接与二极管整流电路122阴极侧的端 子连接。二极管整流电路122由二极管电桥电路构成，将施加在输入端子 Tin+与输入端子Tin-之间的交流电源整流。由二极管整流电路122 整流后的电源施加到平滑电路123上。平滑电路123由电容器C11构 成。电容器C11连接在二极管整流电路122的输出侧的两端之间，将 二极管整流电路122整流后的电压平滑后施加到变压器113的初级线 圏Ll 一端。变压器113的初级线圏Ll的另一端与初级控制电路124连接。 初级控制电路124根据光耦合器114提供的检测信号来控制变压器 113的初级线圏Ll中的电流。由此，变压器113的次级线圏L2上产 生与检测信号对应的电压。次级线圏L2与次级电路112连接。次级电路112由整流平滑电路131、输出电压检测电路132、次 级控制电路133构成。整流平滑电路131由二极管D21和电容器C21构成。二极管D21 的阳极与次级线圏L2—端连接，阴极与输出端子Tout+连接，将次级 线圏L2产生的电压整流。电容器C21连接在输出端子Tout+与输出 端子Tout-之间，使输出电压平滑化。输出电压检测电路132连接在输出端子Tout+与输出端子Tout -之间。输出电压检测电路132的结构是，电阻R21、 R22串联在输 出端子Tout+与输出端子Tout-之间。电阻R21与电阻R22的连接点与次级控制电路133连接。根据上述结构，在输出电压检测电路132中，由电阻R21、 R22将施加到 输出端子Tout+与输出端子Tout -之间的输出电压分压，然后提供给 次级控制电路133。次级控制电路133与光耦合器114连接，根据输出电压检测电路 132提供的检测电压控制光耦合器114。光耦合器114是将作为发光元件的发光二极管Dp和作为感光元 件的光电晶体管Qp内置在1个封装中的芯片部件。发光二极管Dp 的阳极通过端子T21与输出端子Tout+连接，阴极通过端子T22与次 级控制电路133连接。根据检测电压来控制光耦合器114的发光二极管Dp的电流，使 其发出与本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电源电路，用光耦合器将与变压器的初级线圈连接的初级电路和与该变压器的次级线圈连接的次级电路耦合而构成，其特征在于，与上述光耦合器的感光元件及／或发光元件并联连接了由比上述感光元件及／或发光元件的击穿电压低的电压击穿、从而使上述感光元件及／或发光元件的两端短路的击穿短路型元件。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木大，松尾真也，
申请(专利权)人：三美电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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