一种利用过饱和溶液制取大块硫酸铜晶体的加工设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种利用过饱和溶液制取大块硫酸铜晶体的加工设备，包括稳定放置在水平桌面上的制取壳体，所述制取壳体的上端凹凸配合安装有盖板；缓冲底座，其固定安装于所述制取壳体的下方内部，且位于所述罩体的内部；还包括有：限位圆环，其焊接安装于所述制取壳体的下方内部；紧压块，其卡合滑动设置于所述限位圆环的上端内部；固定底板，其固定安装于所述罩体的上方内侧。该利用过饱和溶液制取大块硫酸铜晶体的加工设备，通过驱动环体和紧压块的配合，可以将罩体固定在制取壳体的内部，避免受到饱和硫酸铜溶液的影响飘起来，并可将高吸水高分子材料限位在罩体内部，避免发生掉落，保证制取工作的顺利进行。保证制取工作的顺利进行。保证制取工作的顺利进行。

【技术实现步骤摘要】
一种利用过饱和溶液制取大块硫酸铜晶体的加工设备


[0001]本技术涉及硫酸铜晶体制取相关
，具体为一种利用过饱和溶液制取大块硫酸铜晶体的加工设备。

技术介绍

[0002]硫酸铜晶体是一种硫酸铜的水合物，用来电镀或染色，可作为纺织品媒染剂、农业杀虫剂、防腐剂等进行使用，在大块硫酸铜晶体制备过程中，需要将高吸水高分子材料置于饱和硫酸铜之外，并将晶种置于饱和硫酸铜之中，进行反应制备。
[0003]然而现有的利用过饱和溶液制取大块硫酸铜晶体的加工设备还存在以下问题：
[0004]现有的利用过饱和溶液制取大块硫酸铜晶体的加工设备在使用时，大多利用胶布将高吸水高分子材料粘附在罩体上，然而在重力作用下，并在一定时间过后，高吸水高分子材料容易发生掉落，进而将影响制备的进行，同时现有的不便将罩体固定在含有饱和硫酸铜的壳体内部，导致罩体容易在饱和硫酸铜溶液内由于浮力作用飘起来，从而将降低进程。
[0005]所以我们提出了一种利用过饱和溶液制取大块硫酸铜晶体的加工设备，以便于解决上述中提出的问题。

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于提供一种利用过饱和溶液制取大块硫酸铜晶体的加工设备，以解决上述
技术介绍
提出的目前市场上现有的利用过饱和溶液制取大块硫酸铜晶体的加工设备在使用时，不便对高吸水高分子材料进行固定，并且不便对罩体进行固定，导致高吸水高分子材料由于重力发生掉落，且罩体容易由于浮力飘起来，而影响制备的进行的问题。
[0007]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种利用过饱和溶液制取大块硫酸铜晶体的加工设备，包括稳定放置在水平桌面上的制取壳体，所述制取壳体的上端凹凸配合安装有盖板，且制取壳体的内部设置有罩体，并且罩体的上方内部设置有高吸水高分子材料；
[0008]缓冲底座，其固定安装于所述制取壳体的下方内部，且位于所述罩体的内部，并且缓冲底座的上端放置有晶种；
[0009]还包括有：
[0010]限位圆环，其焊接安装于所述制取壳体的下方内部，且限位圆环的上端外侧与所述罩体的内壁相互贴合，即罩体套设在所述圆环的上端外侧；
[0011]紧压块，其卡合滑动设置于所述限位圆环的上端内部；
[0012]固定底板，其固定安装于所述罩体的上方内侧，且所述罩体的上方内侧轴承安装有控制板体，并且控制板体位于所述固定底板的下方；
[0013]承放架体，其上端一侧分别活动设置于所述固定底板和控制板体的内侧，且承放架体的上端另一侧贴合于高吸水高分子材料的底部。
[0014]优选的，所述紧压块与所述限位圆环之间焊接有复位弹簧，且紧压块的侧部与所述罩体的外壁相互贴合，使得当紧压块受力移动后，可以将罩体固定在限位圆环上，即固定在制备壳体的内部。
[0015]优选的，所述限位圆环的上端内部螺纹连接有驱动环体，且驱动环体的一侧呈倾斜状设置，并且驱动环体与所述紧压块相互贴合，使得当在限位圆环的内部转动驱动环体后，在螺纹连接的作用下，可以向下移动，并带动紧压块向罩体外侧方向进行移动。
[0016]优选的，所述控制板体的内部活动安装有定位卡块，且定位卡块与所述控制板体之间焊接有压力弹簧，并且定位卡块的一端位于罩体的内部，使得在定位卡块和压力弹簧的作用下，可以将转动后的控制板体固定在罩体的内部。
[0017]优选的，所述承放架体的上端分别位于限位槽和驱动槽的内部，且竖直状设置的限位槽和弧形设置的驱动槽分别开设于固定底板和控制板体的内部，使得当驱动槽随着控制板体转动后，可以带动承放架体向中心的方向移动。
[0018]优选的，所述承放架体呈“L”字形结构设置，且承放架体关于所述控制板体的中心等角度分布，使得在等角度分布的控制板体的作用下，可以将高吸水高分子材料限位在罩体内部。
[0019]与现有技术相比，本技术的有益效果是：该利用过饱和溶液制取大块硫酸铜晶体的加工设备，通过驱动环体和紧压块的配合，可以将罩体固定在制取壳体的内部，避免受到饱和硫酸铜溶液的影响飘起来，并可将高吸水高分子材料限位在罩体内部，避免发生掉落，保证制取工作的顺利进行，具体效果如下：
[0020]1、设置有紧压块和驱动环体，使得当将罩体套设在限位圆环上端外侧后，转动驱动环体，通过与罩体的螺纹连接，可以进行向下移动，并实现自锁，同时在移动过程中，利用与紧压块的贴合作用，可以带动紧压块向罩体外侧的方向进行移动，罩体在紧压块的贴合作用下，实现固定在限位圆环上，即固定在制取壳体的内部，从而避免由于浮力导致出现飘浮的情况；
[0021]2、设置有承托架体和固定底板，使得当将高吸水高分子材料置于罩体内部后，转动控制板体，承托架体上端由于分别位于固定底板所开设的限位槽和控制板体所开设的驱动槽内，且驱动槽为弧状设置，故而控制板体转动后，可以带动承托架体向控制板体的中心方向进行移动，即可将高吸水高分子材料限位在罩体内，避免高吸水高分子材料发生掉落。
附图说明
[0022]图1为本技术整体正剖结构示意图；
[0023]图2为本技术紧压块正剖结构示意图；
[0024]图3为本技术驱动环体侧视立体结构示意图；
[0025]图4为本技术固定底板正剖结构示意图；
[0026]图5为本技术控制板体仰剖结构示意图。
[0027]图中：1、制取壳体；2、盖板；3、缓冲底座；4、限位圆环；5、罩体；6、紧压块；7、复位弹簧；8、驱动环体；9、固定底板；10、控制板体；11、限位槽；12、承放架体；13、驱动槽；14、定位卡块；15、压力弹簧。
具体实施方式
[0028]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0029]请参阅图1
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5，本技术提供一种技术方案：一种利用过饱和溶液制取大块硫酸铜晶体的加工设备，包括稳定放置在水平桌面上的制取壳体1，制取壳体 1的上端凹凸配合安装有盖板2，且制取壳体1的内部设置有罩体5，并且罩体 5的上方内部设置有高吸水高分子材料；缓冲底座3，其固定安装于制取壳体1 的下方内部，且位于罩体5的内部，并且缓冲底座3的上端放置有晶种；还包括有：限位圆环4，其焊接安装于制取壳体1的下方内部，且限位圆环4的上端外侧与罩体5的内壁相互贴合，即罩体5套设在圆环4的上端外侧；紧压块6，其卡合滑动设置于限位圆环4的上端内部；紧压块6与限位圆环4之间焊接有复位弹簧7，且紧压块6的侧部与罩体5的外壁相互贴合；限位圆环4的上端内部螺纹连接有驱动环体8，且驱动环体8的一侧呈倾斜状设置，并且驱动环体8 与紧压块6相互贴合；结合图1
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3所示，将晶种放置于缓冲底座3上，并将饱和硫酸铜溶液填充至制取壳体1的内部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种利用过饱和溶液制取大块硫酸铜晶体的加工设备，包括稳定放置在水平桌面上的制取壳体(1)，所述制取壳体(1)的上端凹凸配合安装有盖板(2)，且制取壳体(1)的内部设置有罩体(5)，并且罩体(5)的上方内部设置有高吸水高分子材料；缓冲底座(3)，其固定安装于所述制取壳体(1)的下方内部，且位于所述罩体(5)的内部，并且缓冲底座(3)的上端放置有晶种；其特征在于，还包括有：限位圆环(4)，其焊接安装于所述制取壳体(1)的下方内部，且限位圆环(4)的上端外侧与所述罩体(5)的内壁相互贴合，即罩体(5)套设在所述圆环(4)的上端外侧；紧压块(6)，其卡合滑动设置于所述限位圆环(4)的上端内部；固定底板(9)，其固定安装于所述罩体(5)的上方内侧，且所述罩体(5)的上方内侧轴承安装有控制板体(10)，并且控制板体(10)位于所述固定底板(9)的下方；承放架体(12)，其上端一侧分别活动设置于所述固定底板(9)和控制板体(10)的内侧，且承放架体(12)的上端另一侧贴合于高吸水高分子材料的底部。2.根据权利要求1所述的一种利用过饱和溶液制取大块硫酸铜晶体的加工设备，其特征在于：所述紧压块(6)与所述限位圆环(...

【专利技术属性】
技术研发人员：凌源，李冬华，陈杰，
申请(专利权)人：江西睿锋环保有限公司，
类型：新型
国别省市：