本实用新型专利技术公开了一种减少在金属阳极镭雕区域产生不良现象的镭射装置，包括载料平台、封闭壳体、镭射机头、抽风管和气吹组件，所述载料平台上方罩设有封闭壳体，所述封闭壳体的顶端对应于述镭射机头贯通开设有导通口，所述封闭壳体上设置有抽风管和至少一组的气吹组件，所述气吹组件朝向于载料平台上被加工工件上表面气吹设置，且所述封闭壳体的内腔气压大于外界环境气压，镭射工作室从负压变成正压工作，大大降低了制造不良品的机率。大大降低了制造不良品的机率。大大降低了制造不良品的机率。
【技术实现步骤摘要】
一种减少在金属阳极镭雕区域产生不良现象的镭射装置
[0001]本技术属于阳极镭雕领域，特别涉及一种减少在金属阳极镭雕区域产生不良现象的镭射装置。
技术介绍
[0002]目前，镭射过程中出现很高的单白点、多白点及不同形状白丝状残留印迹，导致产品需要返工和报废，通过分析此种不良为镭射坏境发生变化，当激光发出后，被空气中或贴附在产品表面脏污给遮挡而导致激光不能镭在金属表面。上述现象为企业生产造成困扰，同时导致设备的利用率低下，严重影响产线的生产效率和员工积极性；为提高设备利用率，开发产线生产能力，亟需对镭射系统进行优化和改进。
技术实现思路
[0003]专利技术目的：为了克服现有技术中存在的不足，本技术提供一种减少在金属阳极镭雕区域产生不良现象的镭射装置，镭射工作室从负压变成正压工作，大大降低了制造不良品的机率。
[0004]技术方案：为实现上述目的，本技术的技术方案如下：
[0005]一种减少在金属阳极镭雕区域产生不良现象的镭射装置，包括载料平台、封闭壳体、镭射机头、抽风管和气吹组件，所述载料平台上方罩设有封闭壳体，所述封闭壳体的顶端对应于述镭射机头贯通开设有导通口，所述封闭壳体上设置有抽风管和至少一组的气吹组件，所述气吹组件朝向于载料平台上被加工工件上表面气吹设置，且所述封闭壳体的内腔气压大于外界环境气压。
[0006]进一步的，在相同时间内，所述气吹组件抽送到封闭壳体内的气体总量大于抽风管排出至封闭壳体外部的气体总量。
[0007]进一步的，所述气吹组件的进气端管路上设置有除尘过滤组件。
[0008]进一步的，所述气吹组件包括固定杆、活动块、气吹喷头和进气管，所述固定杆设置在封闭壳体的顶壁下方，所述进气管的一端连接于气吹喷头的进气端且另一端伸出至密封壳体外部，所述气吹喷头设置在活动块上，且所述活动块角度调节设置在固定杆上。
[0009]进一步的，所述抽风管、气吹组件分别位于载料平台的镭射区域的两侧，所述抽风管位于气吹组件的气流路径上。
[0010]进一步的，还包括柔性连接套筒，所述镭射机头间距设置在导通口的上方，所述柔性连接套筒的一端导通连接设置在导通口上，且所述柔性连接套筒的另一端套设在镭射机头的外侧。
[0011]进一步的，所述载料平台上设置有工件吸附机构。
[0012]有益效果：本技术通过封闭壳体产生封闭的镭射工作室，并通过抽气管和气吹组件的双重作用减少镭射区域的粉尘，而且，封闭壳体的内腔气压大于外界环境气压，使得镭射工作室产生正压，减少外界粉尘进入到镭射工作室内的概率，提升镭射工作室的气
体质量，大大降低了制造不良品的机率。
附图说明
[0013]附图1为本技术的整体结构的主视图；
[0014]附图2为本技术的整体结构的半剖示意图。
具体实施方式
[0015]下面结合附图对本技术作更进一步的说明。
[0016]如附图1和附图2所示，一种减少在金属阳极镭雕区域产生不良现象的镭射装置，包括载料平台1、封闭壳体2、镭射机头3、抽风管4和气吹组件5，所述载料平台1上方罩设有封闭壳体2，所述封闭壳体2的顶端对应于述镭射机头3贯通开设有导通口6，用于镭射机头3的激光进入，所述封闭壳体2上设置有抽风管4和至少一组的气吹组件 5，抽风管4连接于抽风机，用于将封闭壳体2内的气体向外抽出，排出镭射工作室内的粉尘颗粒等，所述气吹组件5朝向于载料平台1上被加工工件上表面气吹设置，去除工件表面上的粉尘，且所述封闭壳体2的内腔气压大于外界环境气压，使得镭射工作室产生正压，减少外界粉尘进入到镭射工作室内的概率，提升镭射工作室的气体质量，通过空气流通将阳极表面产生的粉尘和环境中存大的大颗粒脏污污染问题解决，降低镭雕产品表面呈现的颜色出现明显的单白点、多白点及不同形状白丝状残留的外观不良品。
[0017]在相同时间内，所述气吹组件5抽送到封闭壳体2内的气体总量大于抽风管4排出至封闭壳体2外部的气体总量，从而使得镭射工作室内产生正压，所述气吹组件5的进气端管路上设置有除尘过滤组件7，如除尘棉、除尘网等，保证气吹组件5的气体干净不含颗粒性杂质。
[0018]所述气吹组件5包括固定杆11、活动块12、气吹喷头13和进气管14，所述固定杆 11设置在封闭壳体2的顶壁下方，所述进气管14为软管结构，所述进气管14的一端连接于气吹喷头的进气端且另一端伸出至密封壳体外部，所述气吹喷头13设置在活动块 12上，且所述活动块12角度调节设置在固定杆11上。通过调节气吹喷头13的位置，使得气吹气流准确作用与被镭射的工件表面。
[0019]所述抽风管4、气吹组件5分别位于载料平台1的镭射区域的两侧，所述抽风管4 位于气吹组件5的气流路径上，使得气吹组件5对工件气吹后产生的杂质颗粒能够快速的通过抽风管4抽出，减少杂质颗粒在镭射工作室留存时间。
[0020]还包括柔性连接套筒10，如波纹管等，所述镭射机头3间距设置在导通口6的上方，所述柔性连接套筒10的一端导通连接设置在导通口6上，且所述柔性连接套筒10的另一端套设在镭射机头3的外侧，通过柔性连接套筒10能够使得镭射机头3至镭射工件有足够的间距，以适用于不同工件加工，其便于镭射机头的前后左右调节，保证密封性能。
[0021]所述载料平台1上设置有工件吸附机构9，用于吸附和固定工件。
[0022]以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出：对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种减少在金属阳极镭雕区域产生不良现象的镭射装置，其特征在于：包括载料平台(1)、封闭壳体(2)、镭射机头(3)、抽风管(4)和气吹组件(5)，所述载料平台(1)上方罩设有封闭壳体(2)，所述封闭壳体(2)的顶端对应于述镭射机头(3)贯通开设有导通口(6)，所述封闭壳体(2)上设置有抽风管(4)和至少一组的气吹组件(5)，所述气吹组件(5)朝向于载料平台(1)上被加工工件上表面气吹设置，且所述封闭壳体(2)的内腔气压大于外界环境气压。2.根据权利要求1所述的一种减少在金属阳极镭雕区域产生不良现象的镭射装置，其特征在于：在相同时间内，所述气吹组件(5)抽送到封闭壳体(2)内的气体总量大于抽风管(4)排出至封闭壳体(2)外部的气体总量。3.根据权利要求1所述的一种减少在金属阳极镭雕区域产生不良现象的镭射装置，其特征在于：所述气吹组件(5)的进气端管路上设置有除尘过滤组件(7)。4.根据权利要求1所述的一种减少在金属阳极镭雕区域产生不良现象的镭射装置，其特征在于：所述气吹组件(5)包括固定杆(11...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐红星，
申请(专利权)人：捷普电子无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：
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