一种M-MoS2@Ti3C2T制造技术

本发明专利技术公开了一种M

【技术实现步骤摘要】
一种M
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MoS2@Ti3C2T
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异质结构材料及其构建方法和应用


[0001]本专利技术属于电化学储能
，具体涉及一种M
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MoS2@Ti3C2T
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异质结构材料及其构建方法和应用。

技术介绍

[0002]过渡金属二硫族化合物(TMD)是典型的二维材料，具有特殊的能带结构、半导体或超导性质等。MoS2作为TMD的代表性成员，其层间通过范德华力结合，允许电解液离子的嵌入，使其成为超级电容器、二次电池、电催化等领域的热点材料。MoS2的性质与其晶体结构密切相关，主要有两种典型的晶体结构，分别是2H半导体相(S
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MoS2)和1T金属相(M
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MoS2)。S
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MoS2的单层带隙约为1.9eV，表现出半绝缘性，不利于其用于能量存储的超级电容器电极材料。M
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MoS2比S
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MoS2具有更高的导电性，表现出金属特性，且其层间距约为0.95nm，约为S
‑r/>MoS2(～0本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种M
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MoS2@Ti3C2T
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异质结构材料的构建方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)将还原剂、三氧化钼、硫源、Ti3C2T
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加入水中，并使其溶解得到反应液；(2)将反应液转移至反应容器中进行水热反应，反应结束后自然冷却至室温；(3)取出反应容器内的固体沉淀物，依次经过洗涤、干燥后得到固体粉末，即M
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MoS2@Ti3C2T
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异质结构材料。2.根据权利要求1所述的M
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MoS2@Ti3C2T
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异质结构材料的构建方法，其特征在于：步骤(1)中，所述还原剂为尿素；硫源为硫代乙酰胺或硫化钠。3.根据权利要求1所述的M
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MoS2@Ti3C2T
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异质结构材料的构建方法，其特征在于：步骤(2)中，所述反应容器为具有聚四氟乙烯内衬的高压反应釜。4.根据权利要求1所述的M
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MoS2@Ti3C2T
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异质结构材料的构建方法，其特征在于：步骤(2)中，所述水热反应的温度为160
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【专利技术属性】
技术研发人员：王昕，万峰，唐灿，李兵，张永兴，
申请(专利权)人：淮北师范大学，
类型：发明
国别省市：