T型变换器可控支路的无损缓冲电路制造技术

技术编号：3376831 阅读：193 留言：0更新日期：2012-04-11 18:40

本发明专利技术公开了一种Ｔ型变换器的无损缓冲电路，该电路通过２ｋ个电容串联构成Ｔ型变换器的纵轴；ｋ个双向可控开关单元构成Ｔ型变换器的横轴；双向开关之间的节点和对应的纵轴电容的节点之间有由单向开关构成从横轴流向纵轴的单向整流支路，且纵轴上下两部分对应的单向整流支路方向相反；ｋ为正整数；横轴以上部分的可控支路上的缓冲单元（Ｓ↓［ｎＴｋ］）由二极管（Ｓ↓［ｎＴＤ１］、Ｓ↓［ｎＴＤ２］）及电容（Ｃ↓［ｎＴｋ］）构成，二极管（Ｓ↓［ｎＴＤ１］）的阳极与二极管（Ｓ↓［ｎＴＤ２］）的阴极连接，二极管（Ｓ↓［ｎＴＤ１］）的阴极与可控开关（Ｓ↓［Ｔｋ１］）反并联二极管的阳极相连，二极管（Ｓ↓［ｎＴＤ２］）的阳极与纵轴上电容（Ｃ↓［Ｔｋ］、Ｃ↓［Ｔ（ｋ－１）］）的节点相连；缓冲电容中电容（Ｃ↓［ｎＴｋ］）一端与二极管（Ｓ↓［ｎＴＤ１］）的阳极相连，另一端与可控开关（Ｓ↓［Ｔｋ１］）反并联二极管的阴极相连；由对偶的方式可得到横轴以下部分的可控支路上的缓冲单元。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种缓冲电路，特别涉及一种适用于T型变换器可控支路上可控开关的无损型缓冲电路。
技术介绍
传统的有损型吸收电路在吸收开关管状态切换时存储于线路杂散电感的能量时，会引入不必要的能量损耗，降低了系统的效率；传统的无损型吸收电路未能根据T型变换器的结构特点进行优化，元器件较多，增加了复杂性。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是解决T型变换器可控支路上可控开关的缓冲吸收问题，提供简单可靠的解决方案。为了达到上述目的，本专利技术的技术方案如下通过2k个电容串联构成T型变换器的纵轴；双向开关k个双向可控开关单元构成T型变换器的横轴；双向开关之间的节点和对应的纵轴上半部分电容的节点之间有单向整流支路，在双向开关之间的节点和对应的纵轴下半部分电容的节点之间是由单向开关构成从纵轴流向横轴的单向整流支路，与前述的整流支路的方向相反；k为正整数；缓冲电路由两个二极管及一个电容构成，横轴上半部分支路的缓冲电容的一个二极管和一个电容按传统方式构成吸收电路，通过另外一个二极管将能量返回纵轴上的电容，能量返回的二极管阳极接对应纵轴电容的低电位端；横轴下半部分支路的缓冲电容的一个二极管和一个电容按传统方式构成吸收电路，通过另外一个二极管将能量返回纵轴上的电容，能量返回的二极管阴极接对应纵轴电容的高电位端。本专利技术的有益效果采用较少的元器件，根据T型变换器的特点，构成无损型吸收电路，在不增加系统复杂性、不降低系统效率的情况下，解决可控支路上可控开关的缓冲吸收问题。附图说明图1为本专利技术所公布的无损吸收电路在T型变换器的应用。图2为T型变...

【技术保护点】
Ｔ型变换器可控支路的无损缓冲电路，该电路基于双向Ｔ型变换器，其特征在于：双向Ｔ型变换器的电路拓扑的可控支路以横轴为界分成两组，横轴以上部分的可控支路上的缓冲单元（Ｓ↓［ｎＴｋ］）由二极管（Ｓ↓［ｎＴＤ１］、Ｓ↓［ｎＴＤ２］）及电容（Ｃ↓［ｎＴｋ］）构成，二极管（Ｓ↓［ｎＴＤ１］）的阳极与二极管（Ｓ↓［ｎＴＤ２］）的阴极连接，二极管（Ｓ↓［ｎＴＤ１］）的阴极与可控开关（Ｓ↓［Ｔｋ１］）反并联二极管的阳极相连，二极管（Ｓ↓［ｎＴＤ２］）的阳极与纵轴上电容（Ｃ↓［Ｔｋ］、Ｃ↓［Ｔ（ｋ－１）］）的节点相连；缓冲电路电容（Ｃ↓［ｎＴｋ］）一端与二极管（Ｓ↓［ｎＴＤ１］）的阳极相连，另一端与可控开关（Ｓ↓［Ｔｋ１］）反并联二极管的阴极相连；横轴以下部分的可控支路上的缓冲单元（Ｓ↓［ｎＢｋ］）由二极管（Ｓ↓［ｎＢＤ１］、Ｓ↓［ｎＢＤ２］）及电容（Ｃ↓［ｎＢｋ］）构成，二极管（Ｓ↓［ｎＢＤ１］）的阴极与二极管（Ｓ↓［ｎＢＤ２］）的阳极连接，二极管（Ｓ↓［ｎＢＤ１］）的阳极与可控开关（Ｓ↓［Ｂｋ１］）反并联二极管的阴极相连，二极管（Ｓ↓［ｎＢＤ２］）的阴极与纵轴上电容（Ｃ↓［Ｂｋ］、Ｃ↓［Ｂ（ｋ－１）］...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑琼林，贺明智，杨中平，郝瑞祥，孙湖，游小杰，林飞，张立伟，黄先进，王琛琛，
申请(专利权)人：北京交通大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]

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