多芯片直流－直流降压功率变换器的高效封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种多芯片封装结构中的直流－直流降压变换器，包括一输出电感器，一低压侧的肖特基二极管及一由功率调节控制器（ＰＲＣ）控制的高压侧垂直ＭＯＳＦＥＴ。该多芯片封装结构包括一第一芯片基座，及并排设置于其上的肖特基二极管和垂直ＭＯＳＦＥＴ。ＰＲＣ芯片通过绝缘芯片结合材料附贴在第一芯片基座上；也可以选择将第一芯片基座接地，垂直ＭＯＳＦＥＴ是一顶部漏极的Ｎ沟道场效应晶体管，肖特基二极管芯片的衬底为其阳极，肖特基二极管和垂直ＭＯＳＦＥＴ叠在第一芯片基座之上。ＰＲＣ通过导电芯片结合材料附贴在第一芯片基座之上。肖特基二极管以其阴极作为衬底，以倒装结构设置。也可以选择将肖特基二极管的阳极作为衬底，则无需以倒装结构设置。本发明专利技术的优点是具有高效的封装结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电力供给及转换的
，特别涉及开关电源和直流-直流 电压变换器的物理级封装结构。
技术介绍
在消费电子工业中，开关电源和变换器由于其紧凑的尺寸，较轻的重量， 同时通常具有很高的效率，越来越受到市场的欢迎。在便携式应用设备中尤 其是这样，这类设备中，紧凑的尺寸，较低的成本，较轻的重量和较长的电 池寿命都是很重要的考虑方向。同时，由于便携设备的复杂性及其特色的增 加，对于在同一便携设备中提供不同等级的电压的需求正在增加。例如，一 个显示器要求与接口产品有不同的工作电压，而接口产品又要求同微处理器 具有不同的工作电压。便携设备的每一个结构单元的各种工作电压都可以通 过不同的直流一直流电压变换器来提供。如图1所示的是开关电源及转换的一个最常见的实施例，简化示意的降压功率变换器(buck power converter) 80，其通过一个能量储存器和一个包 含有一只肖特基二极管5、一只垂直MOSFET4和一只电感器11的开关电路， 将未调节的直流输入电压(VIN) 2，降为经调节的直流输出电压(VOUT) 3。本领域的现有技术中，垂直MOSFET的物理芯片包括其源极和漏极，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于直流－直流降压变换装置的高效封装的多芯片半导体封装结构，将未调节的直流输入电压降为经调节的直流输出电压，其特征在于，所述的多芯片半导体封装结构包括：　一引线框架及在其上的第一芯片基座；　一设置于第一芯片基座上的垂直ＭＯＳＦＥＴ；　和一肖特基二极管，其阴极连接于该垂直ＭＯＳＦＥＴ的源极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：弗兰茨娃赫尔伯特，张艾伦，
申请(专利权)人：万国半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：BM[百慕大]