【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用超细PAA改性全加成法制造精细间距走线的方法
[0001]本申请案是2018年2月2日提交的美国专利申请案序号第15/887,346号的部分连续申请案，其转让给共同受让人，并且其所有内容在此以参照的方式引入本文中。
[0002]本申请案是有关于具有精细铜走线的柔性衬底的制造方法，更特别地，是有关于使用具有精细铜走线的柔性衬底制造具有固态扩散接合的半导体封装的方法。
技术介绍
[0003]对于更小体积和低成本电子产品的需求的提升，促进了衬底技术中微细线路和高产量制程的新发展。为了因应未来更高功能、更低功耗和小型化需求，薄膜覆晶(COF)封装是一项重要技术；特别于高解析度以及增加输入/输出端口数量的触控集成电路(IC)以及显示驱动集成电路整合模块(TDDI)所需求的极细间距的COF封装。一般来说，柔性电路是利用减成法来制作，其铜走线图案是通过蚀刻来形成，然而，此减成法于侧壁的几何控制上有个固有的问题，于现有半加成制程(SAP)中，通常使用具有Ni/Cr的2
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3μm厚的铜来作为种晶层，当去除此些层时...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种柔性衬底的制造方法，包括：提供一柔性介电衬底，该柔性介电衬底包括任何种类的聚酰亚胺(PI)，包括Kapton PI或Upisel PI，改性PI(MPI)，环烯烃聚合物(COP)或液晶聚合物(LCP)；对于该介电衬底进行碱性改性，以在该介电衬底的一表面上形成一聚酰胺酸(PAA)固定层；在该PAA层上无电镀镀上一Ni
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P种晶层；在该Ni
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P种晶层上形成一光阻图案；在该光阻图案内镀上多个铜走线；在该些铜走线上镀上一表面抛光层；及移除该光阻图案并蚀刻掉未被该些铜走线覆盖的该Ni
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P种晶层，以完成该柔性衬底。2.如权利要求1所述的方法，其中该碱性改性包括将KOH/碱性化学品施加到该介电衬底上，其中该PAA层的厚度小于100nm，较佳小于10nm。3.如权利要求1所述的方法，还包括将包含钯(Pd)或镍(Ni)的一催化层通过浸入一离子金属溶液中来沉积在该PAA层上，以活化该PAA层，用于随后的无电镀镀上Ni
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P种晶层的步骤。4.如权利要求1所述的方法，其中该无电镀镀上该Ni
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P种晶层的步骤是自催化过程，且其中该Ni
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P种晶层的厚度为0.1μm+/
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10％，组成为Ni：96.5～97.5wt％，P：2.5～3.5wt％。5.如权利要求1所述的方法，其中该形成该光阻图案的步骤包括：施加一光阻在该Ni
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P种晶层上；及对于该光阻进行曝光和显影，以形成用于电路化的精细间距走线的一图案。6.如权利要求1所述的方法，还包括在形成该Ni
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P种晶层的步骤后，将该衬底较佳在200℃下退火至少10分钟至最多2小时。7.如权利要求1所述的方法，其中该镀上该些铜走线的步骤，包括无电镀镀上铜至介于约2至18μm的厚度，其中该些铜走线的顶部宽度与底部宽度的比率接近1，其中该些铜走线的伸长强度超过15％，其中该些铜走线的拉伸强度介于约290和340N/mm2，且其中该些铜走线的维氏硬度为100，纯度大于99.9％。8.如权利要求1所述的方法，其中该表面抛光层包括浸锡、电解Ni/Au、无电镀镍/浸金(ENIG)、无电镀镍/无电镀钯/浸金(ENEPIG)、电解钯、电解钛、电解锡、电解铑、无电镀钯/自催化金(EPAG)或浸金/无电镀钯/浸金(IGEPIG)。9.如权利要求1所述的方法，还包括：激光钻孔形成至少一第一穿孔完全通过该介电衬底，其中该对于该介电衬底进行碱性改性，无电镀该第一Ni
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P种晶层以及形成该第一光阻图案的步骤是执行在顶面和底面上，且其中该镀上多个第一铜走线是位于该第一光阻图案内并贯穿该至少一第一穿孔。10.如权利要求9所述的方法，还包括：在该些第一铜走线的顶面和底面上层压一接合膜；在该接合膜的顶部和底部层压一介电层；激光钻孔形成至少一第二穿孔完全通过该介电衬底和该接合膜至接触在该衬底的顶部和底部上的该些第一铜走线；然后对于该介电层进行碱性改性，以在该介电层的顶面和底面上以及在至少一该第二
穿孔内形成一第二聚酰胺酸(PAA)固定层；在该第二PAA层的顶部和底部上无电镀镀上一第二Ni
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P种晶层；在该第二Ni
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P种晶层的顶部和底部形成一第二光阻图案；在该第二光阻图案内镀上多个第二铜走线，并贯穿该至少一第二穿孔；在该些第二铜走线上镀上一表面抛光层；及去除该第二光阻图案并蚀刻掉未被该些第二铜走线覆盖...
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