石墨烯纳米带复合结构及其制备方法技术

一种石墨烯纳米带复合结构的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底，该衬底包括多个间隔设置的凸起；在一生长基底上生长石墨烯膜；将一粘胶层设置在所述石墨烯膜远离生长基底的表面；去除所述生长基底，并利用水或有机溶剂清洗；将所述衬底与所述石墨烯膜、所述粘胶层复合，并干燥，得到一第一复合结构，该第一复合结构包括所述衬底、所述石墨烯膜和所述粘胶层，所述石墨烯膜位于所述粘胶层与所述衬底之间；去除所述粘胶层，得到一第二复合结构，该第二复合结构包括所述衬底和所述石墨烯膜，所述石墨烯膜位于所述衬底上，并且所述石墨烯膜在每一凸起附近形成一褶皱；从所述石墨烯膜远离衬底的表面进行刻蚀，将除褶皱以外的石墨烯膜去除。去除。去除。

【技术实现步骤摘要】
石墨烯纳米带复合结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种石墨烯纳米带复合结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]石墨烯纳米带(GNR)是具有一定宽度、无限长度、沿横向为有限尺寸的准一维带状石墨烯。石墨烯纳米带不仅具有石墨烯的导电性好、纤薄、坚硬等优良性能，同时，由于有限尺寸的石墨烯纳米带中的电子在横向上受限，电子被迫纵向移动，其具有半导体的性能。因此，石墨烯纳米带可广泛应用于超级电容器、锂离子电池、太阳能电池等新能源器件，也可适用于催化剂载体、信息材料等领域。
[0003]现有的石墨烯纳米带的制备方法，如申请号为CN201410596634.8的专利公开了一种垂直石墨烯纳米带的制备方法：先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管，然后再将单壁碳纳米管展开。其具体实施步骤包括：(1)在衬底上制备碳纳米管阵列；(2)在CH4/H2气氛中退火切割碳纳米管，温度保持在700℃～800℃。上述方法的主要缺点是：工艺相对复杂，实验中前期碳纳米管阵列的生长直接影响着后续石墨烯纳米带的质量，存在较大随机性和不确定性因素；在CH4/H2气氛且温度保持在70本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯纳米带复合结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一衬底，该衬底包括多个间隔设置的凸起；在一生长基底上生长石墨烯膜；将一粘胶层设置在所述石墨烯膜远离生长基底的表面；去除所述生长基底，并利用水或有机溶剂清洗；将所述衬底与所述石墨烯膜、所述粘胶层复合，并干燥，得到一第一复合结构，该第一复合结构包括所述衬底、所述石墨烯膜和所述粘胶层，所述石墨烯膜位于所述粘胶层与所述衬底之间；去除所述粘胶层，得到一第二复合结构，该第二复合结构包括所述衬底和所述石墨烯膜，所述石墨烯膜位于所述衬底上，并且所述石墨烯膜在每一凸起附近形成一褶皱；以及从所述石墨烯膜远离衬底的表面进行刻蚀，将除褶皱以外的石墨烯膜去除，得到石墨烯纳米带复合结构，该石墨烯纳米带复合结构包括多个间隔设置的石墨烯纳米带。2.如权利要求1所述的石墨烯纳米带复合结构的制备方法，其特征在于，所述衬底的制备方法包括以下步骤：在一基底上设置一掩膜层，该掩膜层具有相对的第一表面和第二表面，第一表面与所述基底接触，所述掩膜层具有多个间隔设置的通孔；在所述第二表面设置一金属层，并且该金属层填充所述通孔；剥离所述掩膜层，掩膜层第二表面上的金属层也同时被去除，通孔内的金属层依然保留在所述基底上；将保留在所述基底上的金属层作为掩膜，对所述基底进行刻蚀；以及去除保留在所述基底上的金属层，得到所述衬底。3.如权利要求2所述的石墨烯纳米带复合结构的制备方法，其特征在于，在所述基底的表面上设定一X方向和一Y方向，X方向与Y方向相互垂直，所述褶皱位于相邻凸起之间的衬底本体表面上且沿Y方向延伸。4.如权利要求1所述的石墨烯纳米带复合结构的制备方法，其特征在于，所述褶皱处的石墨烯膜的厚度大于相邻凸起之间的衬底本体表面的石墨烯膜的厚度。5.如权利要求1所述的石墨...

【专利技术属性】
技术研发人员：张天夫，张立辉，金元浩，李群庆，范守善，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：