套刻偏差的测量方法技术

一种套刻偏差的测量方法，包括：提供第一批次晶圆，第一批次晶圆中包括若干第一测量点；采用第一波长光源对第一批次晶圆进行测量，获取第一测量值组；采用第二波长光源对第一批次晶圆进行测量，获取第二测量值组；获取第二测量值组与第一测量值组之间的偏差值组；提供第二批次晶圆，第二批次晶圆中包括若干第二测量点；采用第一波长光源对第二批次晶圆进行测量，获取第三测量值组；将第三测量值组与偏差值组相加，获取第四测量值组。使得第二批次晶圆在具有高测量效率的同时，测量精度也有效提升。效提升。效提升。

【技术实现步骤摘要】
套刻偏差的测量方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种套刻偏差的测量方法。

技术介绍

[0002]套刻偏差(overlay，OVL)是指在光刻制造工艺中当层图形和前层图形的叠对位置的偏差。由于集成电路芯片的制造是通过多层电路层相加而成，如果当层和前层没有对准的话，芯片将无法正常工作。因此，在形成当层的过程中，减小套刻偏差、确保套刻偏差在偏差范围内是极为重要的一件事情。
[0003]在现有技术中，通常采用基于光学衍射的套刻测量(Diffraction
‑
Based Overlay，简称DBO)代替传统的基于图形的套刻测量(Image
‑
Based Overlay，简称IBO)，基于光学衍射的套刻测量使用的套刻标记为周期性结构，标记分别位于硅片的参考层和当前的光刻胶层上。如果这两层标记完全对准，那么在照明光下的+1和
‑
1阶衍射光强应当是完全相等的。如果套刻偏差不为零，那么+1和
‑
1阶光强会存在差别。通过计算，我们可以定量得到套刻偏差和+/...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种套刻偏差的测量方法，其特征在于，包括：提供第一批次晶圆，所述第一批次晶圆中包括若干第一测量点；采用第一波长光源对所述第一批次晶圆进行测量，获取第一测量值组，所述第一测量值组中包括若干与所述第一测量点对应的第一测量值；采用第二波长光源对所述第一批次晶圆进行测量，获取第二测量值组，所述第二测量值组中包括若干与所述第一测量点对应的第二测量值；获取所述第二测量值组与所述第一测量值组之间的偏差值组，所述偏差值组中包括若干与所述第一测量点对应的偏差值；提供第二批次晶圆，所述第二批次晶圆中包括若干与所述第一测量点对应的第二测量点；采用所述第一波长光源对所述第二批次晶圆进行测量，获取第三测量值组，所述第三测量值组中包括若干与所述第二测量点对应的第三测量值；将所述第三测量值组与所述偏差值组相加，获取第四测量值组，所述第四测量值组中包括若干与所述第二测量点对应的第四测量值。2.如权利要求1所述套刻偏差的测量方法，其特征在于，所述第一波长光源包括：单波长光源或双波长光源。3.如权利要求1所述套刻偏差的测量方法，其特征在于，所述第二波长光源包括：多波长光源，所述多波长光源中的波长数量为n，且n≥3。4.如权利要求3所述套刻偏差的测量方法，其特征在于，所述多波长光源中的波长数量n为4或5。5.如权利要求3所述套刻偏差的测量方法，其特征在于，所述多波长光源的获取方法包括：在预设光波的波长范围内，获取若干第一级波长，所述第一级波长为预设光波的波峰处波长和波谷处波长。6.如权利要求5所述套刻偏差的测量方法，其特征在于，所述多波长光源的获取方法还包括：当多波长光源所需的波长数量大于所述第一级波长的数量时，在预设光波的波长范围内，获取若干第二级波长，所述第二级波长为预设光波的
±
1/2振幅处的波长。7.如权利要求6所述套刻偏差的测量方法，其特征在于，所述多波长光源的获取方法还包括：当多波长光源所需的波长数量大于第一级波长数量和第二级波长数量总和时，在预设光波的波长范围内，获取若干第三级波长，所述第三级波长为预设光波的
±
3/4振幅处的波长。8.如权利要求1所述套刻偏差的测量方法，其特征在于，获取第一测量值组的方法包括：采用第一波长光源对所述第一批次晶圆进行测量，获取第一测量值集，所述第一测量值集中包括若干与所述第一测量点对应的初始第一测量值；去除所述第一测量值集中的若干第一异常测量值，获取初始第一测量值组；提供数据拟合模型；根据所述数据拟合模型对所述初始第一测量值组进行数据拟合运算，获取与所述第一异常测量值对应的第一拟合值，由所述第一拟合值和所述初始第一测量值组成所述第一测量值组。9.如权利要求8所述套刻偏差的测量方法，其特征在于，获取所述第一拟合值的方法包括：获取与所述第一异常测量值对应的第一测量点作为第一异常点；获取与所述第一异常点相邻的所述第一测量点作为第一拟合参考点；获取与所述第一拟合参考点对应的初始第
一测量值作为第一拟合参考值；对若干所述第一拟合参考值进行所述数据拟合运算，获取所述第一拟合值。10.如权利要求8所述套刻偏差的测量方法，其特征在于，获取所述第一异常测量值的方法包括：获取所述第一测量值集的第一标准差sigma1；获取第一取值参考范围，所述第一取值参考范围为4倍第一标准差sigma1～6倍第一标准差sigma1；在所述第一取值参考范围以外的所述初始第一测量值为所述第一异常测量值。11.如权利要求1所述套刻偏差的测量方法，其特征在于，获取第二测量值组的方法包括：采用第二波长光源对所述第一批次晶圆进行测量，获取第二测量值集，所述第二测量值集中包括若干与所述第一测量点对应的初始第二测量值；去除所述第二测量值集...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海，杨晓松，吴怡旻，
申请(专利权)人：中芯南方集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：