【技术实现步骤摘要】
静电驱动MEMS梳齿结构、采用该结构的微镜及其制备方法
[0001]本专利技术涉及微机电系统MEMS
，特别涉及一种静电驱动MEMS梳齿结构、采用该结构的微镜及其制备方法。
技术介绍
[0002]静电驱动的梳齿结构是一类广泛应用于微机电系统(MEMS)传感器、驱动器和执行器的微驱动结构。静电驱动梳齿结构一般包含至少一组驱动梳齿和一组接地梳齿；该驱动梳齿和接地梳齿组交错排列，呈叉指状，即每个驱动梳齿相邻两侧为接地梳齿，每个接地梳齿两侧为驱动梳齿，相邻梳齿之间保持一定间距，互不接触。驱动梳齿组与驱动电压相连，接地梳齿组与地线相连，在静电作用力下驱动梳齿和接地梳齿发生相对位移，即水平位移或者角位移。正常状态下驱动梳齿与接地梳齿保持间距互不接触，但是在冲击振动等情况下，驱动梳齿和接地梳齿可能发生吸附而相互接触。如梳齿表面没有绝缘层，则两种梳齿接触后驱动电压直接与地线短路放电，梳齿接触区域产生瞬时高温甚至火花，从而导致梳齿结构损坏。MEMS微镜是一类广泛应用于3D扫描、投影、测距以及VR等领域的MEMS器件。其中静电驱动式MEM...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.静电驱动MEMS梳齿结构，其特征在于，其梳齿表面具有绝缘层(01)，相邻梳齿表面的绝缘层是同一种绝缘层或者不同绝缘层。2.根据权利要求1所述的静电驱动MEMS梳齿结构，其特征在于，包含至少一组驱动梳齿(200)和至少一组接地梳齿(100)，其中驱动梳齿(200)接驱动电压，接地梳齿(100)接地线；每组驱动梳齿(200)和接地梳齿(100)的梳齿数量大于等于1；驱动梳齿组与接地梳齿组交错排列，呈叉指状，即每个驱动梳齿(200)两侧是接地梳齿(100)或者无结构，每个接地梳齿(100)两侧为驱动梳齿(200)或者无结构。3.根据权利要求2所述的静电驱动MEMS梳齿结构，其特征在于，所述驱动梳齿(200)与接地梳齿(100)表面的绝缘层是同种绝缘层或者异种绝缘层，同种绝缘层即驱动梳齿与接地梳齿表面均为绝缘层A或者均为绝缘层B；异种绝缘层即驱动梳齿表面为绝缘层A或B，接地梳齿表面为绝缘层B或A。4.微镜，采用权利要求1或2所述的静电驱动MEMS梳齿结构，其特征在于，所述微镜从下到上依次由基底(10
’
)、隔离层(20
’
)以及器件层(30
’
)构成，基底(10
’
)是内部具有空腔的框架，器件层(30
’
)内包括镜体(300)，镜体(300)通过转轴（400）与外框(600)连接，静电驱动MEMS梳齿结构中的接地梳齿(100)一端与外框(600)连接，驱动梳齿(200)一端与镜体(300)或者转轴（400）连接，接地梳齿(100)另一端与驱动梳齿(200)的另一端交错布置，所述驱动梳齿(200)与接地梳齿(100)表面均具有绝缘层(01)，隔离层(20
’
)下表面与基底(10
’
)上表面接触，隔离层(20
’
)上表面的器件层(30
’
)与外框(600)下表面接触。5.权利要求4所述微镜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（一）、投片：选取SOI晶圆，清洗并干燥后待用；所述SOI晶圆是三层结构的硅基晶圆，SOI晶圆自下而上由底硅层(10)、氧化埋层(20)以及顶硅层(30)构成；（二）、顶硅层(30)光刻：在第（一）步准备好的SOI晶圆的顶硅层(30)上表面旋涂光刻胶并光刻，形成图形化的光刻胶构成的顶硅层掩模(40A)；（三）、顶硅层(30)刻蚀：采用湿法腐蚀或者干法刻蚀的方式对顶硅层(30)进行刻蚀，到达氧化埋层(20)停止，形成位于顶硅层的刻蚀形成的镜体、驱动梳齿、接地梳齿、转轴以及外框结构；刻蚀结束后去除顶硅层掩模(40A)；经过刻蚀并且去除顶硅层掩模(40A)的具有镜体、驱动梳齿、接地梳齿、转轴以及外框结构的顶硅层即为微镜的器件层(30
’
)；（四）、形成绝缘层：在刻蚀形成的位于顶硅层的镜体、驱动梳齿、接地梳齿、转轴以及外框结构表面形成绝缘层；此处形成绝缘层的方法包括高温氧化、等离子增强化学气相沉积PECVD、低压化学气相沉积LPCVD、常压化学气相沉积APCVD、物理沉积PVD、原子层沉积ALD或分步异质沉积法；其中采用高温氧化、PECVD、LPCVD、APCVD、PVD或ALD方法得到同种绝缘层；采用分步异质沉积法得到两种不同的绝缘层，分别为绝缘层A和绝缘层B；（五）、绝缘...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜军委，张妮妮，刘青峰，马力，杨涛，彭磊，李欢欢，王芳，
申请(专利权)人：西安知象光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。