阵列基板、显示面板及电子设备制造技术

本发明专利技术提供了一种阵列基板、显示面板及电子设备，所述阵列基板包括测试结构，所述测试结构至少包括第一测试结构，所述第一测试结构用于测试所述阵列基板的柔性衬底的电学性能，所述第一测试结构包括：柔性衬底；阻隔层，设于所述柔性衬底上；测试电极层，包括第一测试电极和第二测试电极，所述第一测试电极与所述阻隔层接触，所述第二测试电极与所述柔性衬底接触。本发明专利技术通过在阵列基板内设置测试结构，在测试柔性衬底的电学性能时，利用外部的测试探针对所述第一测试电极和所述第二测试电极输入测试电压，利用所述测试结构对所述阵列基板的柔性衬底进行电学性能监测，便于所述阵列基板内薄膜晶体管器件的性能研究，有利于所述阵列基板的设计。列基板的设计。列基板的设计。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板及电子设备


[0001]本申请涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及电子设备。

技术介绍

[0002]随着显示技术的革新，柔性显示面板成为显示领域的发展核心。目前，聚酰亚胺被广泛应用为柔性基板的衬底材料，其电学性能对薄膜晶体管器件的性能稳定有很大的影响。然而，目前的生产产线无法监控柔性衬底的电学性能。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种阵列基板、显示面板及电子设备，以对柔性衬底的电学性能进行监测。
[0004]为解决以上问题，本专利技术提供的技术方案如下：
[0005]本专利技术提供一种阵列基板，所述阵列基板包括测试结构，所述测试结构至少包括第一测试结构，所述第一测试结构用于测试所述阵列基板的柔性衬底的电学性能，所述第一测试结构包括：
[0006]柔性衬底；
[0007]阻隔层，设于所述柔性衬底上；
[0008]测试电极层，包括第一测试电极和第二测试电极，所述第一测试电极与所述阻隔层接触，所述第二测试电极与所述柔性衬底接触。
[0009]可选地，在本专利技术的一些实施例中，所述柔性衬底包括第一有机衬底、第二有机衬底、以及位于所述第一有机衬底和所述第二有机衬底之间的无机衬底，所述第二有机衬底位于所述阻隔层和所述无机衬底之间。所述第一测试电极设于所述阻隔层上，且与所述阻隔层接触；所述第二测试电极与所述第一有机衬底接触，且与所述第二有机衬底绝缘。
[0010]可选地，在本专利技术的一些实施例中，所述第一测试结构包括第一开口，所述第一开口贯穿所述阻隔层、所述第二有机衬底和所述无机衬底，所述第二测试电极设于所述第一有机衬底上且位于所述第一开口内，所述第二测试电极与所述第一有机衬底直接接触，与所述第二有机衬底间隔设置。
[0011]可选地，在本专利技术的一些实施例中，所述第一测试结构包括第二开口，所述第二开口贯穿所述阻隔层、所述第二有机衬底、所述无机衬底和所述第一有机衬底，所述第二测试电极位于所述第一开口内，所述第二测试电极与所述第一有机衬底直接接触，且与所述第二有机衬底间隔设置。
[0012]可选地，在本专利技术的一些实施例中，所述测试结构还包括第二测试结构，所述第二测试结构用于测试所述第二有机衬底的电学性能，所述第二测试结构包括：
[0013]所述第二有机衬底；
[0014]所述阻隔层；
[0015]第三测试电极和第四测试电极，所述第三测试电极和所述第四测试电极设于所述
测试电极层内，所述第三测试电极与所述阻隔层接触，所述第四测试电极与所述第二有机衬底接触。
[0016]可选地，在本专利技术的一些实施例中，所述第一测试电极与所述第三测试电极为同一测试电极。
[0017]可选地，在本专利技术的一些实施例中，所述测试结构还包括第三测试结构，所述第三测试结构用于测试所述第一有机衬底的电学性能，所述第三测试结构包括：
[0018]所述第一有机衬底；
[0019]所述无机衬底；
[0020]第五测试电极和第六测试电极，所述第五测试电极和所述第六测试电极设于所述测试电极层内，所述第五测试电极与所述无机衬底接触，所述第六电极与所述第一有机衬底接触。
[0021]可选地，在本专利技术的一些实施例中，所述阵列基板包括依次设置的所述柔性衬底、所述阻隔层、薄膜晶体管层、平坦化层、电极层，所述薄膜晶体管层包括有源层、栅极层和源漏极层；所述测试电极层与所述源漏极层、所述栅极层、所述电极层中的任意一个为同一膜层。
[0022]本专利技术还提供一种显示面板，所述显示面板包括本专利技术任意一项实施例提供的阵列基板。
[0023]本专利技术还提供一种电子设备，所述电子设备包括本专利技术任意一项实施例提供的阵列基板。
[0024]本专利技术提供了一种阵列基板、显示面板及电子设备，本专利技术通过在所述阵列基板内设置测试结构，在测试柔性衬底的电学性能时，利用外部的测试探针对所述第一测试电极和所述第二测试电极输入测试电压，从而对所述柔性衬底的体积电阻、表面电阻、介电常数、静电累积值等电学性能进行表征，如此即可利用所述测试结构对所述阵列基板的柔性衬底进行电学性能监测，便于所述阵列基板内薄膜晶体管器件的性能研究，有利于所述阵列基板的设计。
附图说明
[0025]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0026]图1为本专利技术实施例提供的阵列基板的第一种结构示意图；
[0027]图2为本专利技术实施例提供的阵列基板的第二种结构示意图；
[0028]图3为本专利技术实施例提供的阵列基板的第二种结构示意图；
[0029]图4为本专利技术实施例提供的阵列基板的第三种结构示意图；
[0030]图5为本专利技术实施例提供的阵列基板的第四种结构示意图。
具体实施方式
[0031]下面将结合本专利技术的具体实施方案，对本专利技术实施方案和/或实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显而易见的，下面所描述的实施方案和/或实施例仅仅是本专利技术一部分实施方案和/或实施例，而不是全部的实施方案和/或实施例。基于本专利技术中的实施
方案和/或实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方案和/或实施例，都属于本专利技术保护范围。
[0032]本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[左]、[右]、[前]、[后]、[内]、[外]、[侧]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明和理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或是暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
[0033]针对现有技术无法监控柔性衬底的电学性能，本专利技术提供一种阵列基板可以解决这个问题。
[0034]在一种实施例中，请参照图1，图1示出了本专利技术实施例提供的阵列基板的第一种结构示意图。如图1所示，本专利技术实施例提供的阵列基板包括测试结构，所述测试结构至少包括第一测试结构1，所述第一测试结构1用于测试所述阵列基板的柔性衬底10的电学性能，所述第一测试结构1包括：
[0035]柔性衬底10；
[0036]阻隔层20，设于所述柔性衬底10上；
[0037]测试电极层30，包括第一测试电极301和第二测试电极302，所述第一测试电极301与所述阻隔层20接触，所述第二测试电极302与所述柔性衬底10接触。
[0038]本专利技术实施例通过在所述阵列基板内设置测试结构，利用所述测试结构对所述阵列基板的柔性衬底进行电学性能监测，便于所述阵列基板内薄膜晶体管器件的性能研究，有利于所述阵列基板的设计。
[0039]所述第一测试结构1对所述柔性衬底10的电学性能进行测试，具体为通过测试探针对所述第一测试电极301和所述第二测试电极302输入测试电压，从而对所述柔性衬底10的体积本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括测试结构，所述测试结构至少包括第一测试结构，所述第一测试结构用于测试所述阵列基板的柔性衬底的电学性能，所述第一测试结构包括：柔性衬底；阻隔层，设于所述柔性衬底上；测试电极层，包括第一测试电极和第二测试电极，所述第一测试电极与所述阻隔层接触，所述第二测试电极与所述柔性衬底接触。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述柔性衬底包括第一有机衬底、第二有机衬底、以及位于所述第一有机衬底和所述第二有机衬底之间的无机衬底，所述第二有机衬底位于所述阻隔层和所述无机衬底之间，所述第一测试电极设于所述阻隔层上，且与所述阻隔层接触，所述第二测试电极与所述第一有机衬底接触，且与所述第二有机衬底绝缘。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一测试结构包括第一开口，所述第一开口贯穿所述阻隔层、所述第二有机衬底和所述无机衬底，所述第二测试电极设于所述第一有机衬底上且位于所述第一开口内，所述第二测试电极与所述第一有机衬底直接接触，与所述第二有机衬底间隔设置。4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一测试结构包括第二开口，所述第二开口贯穿所述阻隔层、所述第二有机衬底、所述无机衬底和所述第一有机衬底，所述第二测试电极位于所述第一开口内，所述第二测试电极与所述第一有机衬底直接接触，且与所述第二有机衬底间隔设置。5.如权利要求2所述的阵列基板，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴咏波，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：