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一种超高深宽比的硅神经电极及其制备方法技术

技术编号:33730037 阅读:16 留言:0更新日期:2022-06-08 21:25
本发明专利技术公开了一种超高深宽比的硅神经电极及其制备方法,本发明专利技术的硅神经电极具有特定的探针间连接弧度,特定的厚度,宽度以及长度;其通过结合无接触低应力的探针制备方法制备得到。本发明专利技术的超高深宽比的硅神经探针能更好的植入体内采集数据,并实现超高深宽比,超高密度、超大范围的跨尺度神经信号采集。超大范围的跨尺度神经信号采集。超大范围的跨尺度神经信号采集。

【技术实现步骤摘要】
一种超高深宽比的硅神经电极及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种基于硅片基底的植入式神经电极阵列,具体涉及一种超高深宽比的硅神经电极及其制备方法。

技术介绍

[0002]大规模神经元信号体内记录已成为了解大脑中神经网络如何工作的关键方法。微制造多电极阵列广泛用于细胞外神经活动的高通量记录。密集的记录位点和高通道数的可以用于记录单个单元和局部场电位信号。由于植入式神经探针必须插入大脑内部,因此该类神经探针的开发应该具有实际应用所需的技术特性,包括高时空分辨率、高信噪比、生物相容性和小型化等特点。目前针对上述特性的可植入多阵列神经探针已被开发并有部分电极应用于研究、诊断和治疗目的。
[0003]在检索相关研究技术时发现,目前已有许多硅神经电极制备的方法。L. Yang, K. Lee, J. Villagracia and S. C. Masmanidis在Journal of neural engineering 2020 撰文
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Open source silicon microprobes for high 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超高深宽比的硅神经电极,其特征在于,探针长度在3

36毫米,探针宽度0.3

0.4毫米,探针数目2

10根,探针间连接弧度范围为30度

168度,探针间距为0.6

0.8毫米,每个探针电极点数目4

16个,电极点半径范围在0.005

0.05mm,电极点距离0.1

0.4mm。2.根据权利要求1所述的硅神经电极,其特征在于,电极点外扩半径范围为0.01

...

【专利技术属性】
技术研发人员:康晓洋王爱萍张静刘鲁生王君孔帅
申请(专利权)人:复旦大学
类型:发明
国别省市:

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