一种基于高频磁电转换的非侵入式神经刺激方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种基于高频磁电转换的非侵入式神经刺激方法及系统，属于非侵入式神经刺激领域，包括：于预定的生物组织区域同时施加第一预设频率的第一高频磁场和第二预设频率的第二高频磁场；第一高频磁场产生的第一交变感应电场和第二高频磁场产生的第二交变感应电场进行干涉，形成低频包络电场，以通过低频包络电场对需要刺激的预定的生物组织区域进行深度刺激。本发明专利技术基于两路不同频率的高频磁场，转换成不同频率的交变感应电场，进行相干并形成低频包络电场，由于脑部组织具有高阻抗特性，高频磁场的刺激波形和振幅与神经组织关联度较小，使得转换后形成交变感应电场的低频包络电场可以保持预定的波形条件，进而对深度神经调控刺激。度神经调控刺激。度神经调控刺激。

【技术实现步骤摘要】
一种基于高频磁电转换的非侵入式神经刺激方法及系统


[0001]本专利技术涉及非侵入式神经刺激领域，尤其涉及一种基于高频磁电转换的非侵入式神经刺激方法及系统。

技术介绍

[0002]非侵入性神经调控刺激无创、安全及易操作，在临床治疗上已得到应用。其主要包括经颅磁刺激(Transcranialmagneticstimulation，TMS)和经颅电刺激(TranscranialElectricalStimulation，TES)、声频刺激及光频刺激等。经颅磁刺激TMS是一种利用脉冲磁场作用于中枢神经系统(主要是大脑)，改变皮层神经细胞的膜电位，使之产生感应电流，影响脑内代谢和神经电活动，从而引起一系列生理生化反应的磁刺激技术。经颅电刺激TES是一种非侵入性的、利用恒定、低强度直流电(0.5mA
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3mA)调节大脑皮层神经元活动的技术。但非侵入性神经刺激深度主要在大脑皮层。经颅磁刺激和电刺激可以通过特殊线圈和波长调整，可作用到大脑深部，但精准性不够，大脑浅表层也会受到影响。
[0003]现有技术中，通过2对电极各施加2个不同本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于高频磁电转换的非侵入式神经刺激方法，其特征在于，包括：于一预定的生物组织区域同时施加一第一预设频率的第一高频磁场和一第二预设频率的第二高频磁场，所述第一预设频率与所述第二预设频率不同；所述第一高频磁场产生第一交变感应电场，所述第二高频磁场产生第二交变感应电场；所述第一交变感应电场和所述第一交变感应电场于所述预定的生物组织区域中进行干涉，形成一第三频率的低频包络电场，以通过所述低频包络电场对需要刺激的所述预定的生物组织区域进行深度刺激，其中，所述第三频率为所述第一交变感应电场与所述第二交变感应电场的频率差值。2.根据权利要求1所述的基于高频磁电转换的非侵入式神经刺激方法，其特征在于，所述第一交变感应电场的频率与所述第一预设频率成正比例；所述第二交变感应电场的频率与所述第二预设频率成正比例。3.根据权利要求1所述的基于高频磁电转换的非侵入式神经刺激方法，其特征在于，还包括：提供一对磁感应线圈，所述一对磁感应线圈包括：第一磁感应线圈，用以产生所述第一高频磁场；第二磁感应线圈，用以产生所述第二高频磁场；对所述第一磁感应线圈、所述第二磁感应线圈的参数分别进行调整，进而调整得到刺激所需的所述低频包络电场，所述参数包括磁场频率和/或磁场强度和/或线圈直径和/或线圈位置和/或线圈角度。4.根据权利要求3所述的基于高频磁电转换的非侵入式神经刺激方法，其特征在于，还包括：根据刺激要求和刺激反馈信息，调整所述第一磁感应线圈和所述第二磁感应线圈的磁场振幅百分比率、线圈电压，进而对所述预定的生物组织区域的位置、范围进行微调。5.根据权利要求3所述的基于高频磁电转换的非侵入式神经刺激方法，其特征在于，所述一对磁感应线圈的形状为双“拍”型或“8”型。6.一种基于高频磁电转换的非侵入式神经刺激系统，其特征在于，用于实施如权利要求1
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5任意一项所述的基于高频磁电转换的非侵入式神经刺激...

【专利技术属性】
技术研发人员：李卫东，赵冰蕾，杨翔宇，陈志堂，马显达，曾苏华，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：