【技术实现步骤摘要】
可跟踪铁电电容工艺的自适应调节操作电压的电路和方法
[0001]本专利技术涉及集成电路设计制造
,具体涉及可跟踪铁电电容工艺的自适应调节操作电压的电路和方法。
技术介绍
[0002]铁电材料作为新型非易失性存储材料之一,利用其在外加电场作用下具有极化的特性进行数据存储。用铁电材料制成的铁电电容存储单元在被长期使用的过程中,将出现极化疲劳,铁电特性逐渐减弱,正负剩余极化强度减小,导致数据难以读出。铁电材料的极化疲劳特性不仅仅受铁电材料被极化翻转的次数决定,还受制于外加的极化操作电压。同时由于制造工艺的偏差,在大规模阵列制造中,必然导致铁电存储器芯片之间存在一定差异,部分芯片铁电电容会在偏低的电压翻转,部分会在偏高的电压翻转。对于小电压就可以翻转的铁电电容,施加标准操作的电压,将加剧极化疲劳,缩短铁电存储器的使用寿命。
技术实现思路
[0003]为了解决现有技术中存在的上述技术问题,本专利技术提供了一种可跟踪铁电电容工艺的自适应调节操作电压的电路和方法,其具体技术方案如下:可跟踪铁电电容工艺的自适应调节操作 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
被写入铁电存储单元;t4阶段中,撤去外部电压,操作结束。8.可跟踪铁电电容工艺的自适应调节操作电压的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:对铁电存储单元进行写“0”操作,具体的:将字线WL电压拉高,使得晶体管导通,将板线PL设置成初始操作电压值,位线BL拉低,这时铁电电容两端电压差为“+操作电压”,铁电电容被极化到正饱和极化强度“+Ps”;步骤2:字线WL电压仍然保持高,撤去板线PL、位线BL电压信号,这时,铁电电容两端电位差变为0,其极化强度变为剩余极化强度“+Pr”;步骤3:对铁电存储单元进行写“1”操作,具体的:字线WL电压仍然保持高,将位线BL设置成初始操作电压值,板线PL拉低,这时铁电电容两端电压差为
“‑ꢀ
操作电压”,铁电电容被极化到负饱和极化强度
“‑
Ps”;其中,在对铁电电容进行写“0”到写“1”操作的过程中,若操作电压有效,铁电电容将经历极化强度为“+Ps
技术研发人员:周睿晰,杨建国,蒋海军,鹿洪飞,
申请(专利权)人:之江实验室,
类型:发明
国别省市:
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