带有有源钳位以抑制转移栅极馈通的图像传感器制造技术

技术编号:33722896 阅读:22 留言:0更新日期:2022-06-08 21:15
本发明专利技术题为“带有有源钳位以抑制转移栅极馈通的图像传感器”。图像传感器可包括被布置成行和列的图像像素阵列。每列像素可耦接到电流源晶体管和有源钳位电路。该有源钳位电路可被配置为对复位电压进行采样,并且如果列线超过先前采样的复位电压,则在电荷转移操作之后选择性地下拉列线。有源钳位电路可减少低光条件期间的稳定时间,同时消除列固定模式噪声。同时消除列固定模式噪声。同时消除列固定模式噪声。

【技术实现步骤摘要】
带有有源钳位以抑制转移栅极馈通的图像传感器


[0001]本公开总体涉及成像设备,并且更具体地涉及具有电荷转移栅极的图像传感器。

技术介绍

[0002]图像传感器常常在诸如移动电话、相机和计算机的电子设备中用来捕获图像。在典型布置中,电子设备设置有布置成像素行和像素列的图像像素阵列。阵列中的每个图像像素包括经由转移栅极耦接到浮动扩散节点的光电二极管。该浮动扩散节点经由源极跟随器晶体管耦接到像素输出列线。行控制电路耦接到每个像素行以用于复位、启动电荷转移,或选择性地激活特定像素行以进行读出。
[0003]当转移栅极被激活时,浮动扩散节点将由于转移栅极的寄生电容而被上拉,这使得源极跟随器输出高出类似的量。在转移栅极被去激活之后,即使浮动扩散节点可根据从光电二极管转移的电荷量而快速返回到原始值或负值,由于像素输出列线上的大量电容,像素输出列线也可能花费很长时间从转移栅极的正脉冲恢复。这会极大地限制图像传感器在低光条件下的性能。
[0004]本文所述的实施方案就是在这种背景下出现的。
附图说明
[0005]图1是根据一些实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器,包括:图像传感器像素;像素输出线,所述像素输出线耦接到所述图像传感器像素;电流源晶体管,所述电流源晶体管具有耦接到所述像素输出线的漏极端子和耦接到接地线的源极端子;和钳位电路,所述钳位电路具有:第一钳位晶体管,所述第一钳位晶体管具有栅极端子、漏极端子和耦接到所述像素输出线的源极端子;采样电容器,所述采样电容器耦接到所述第一钳位晶体管的所述栅极端子;和第二钳位晶体管,所述第二钳位晶体管具有栅极端子、耦接到所述电流源晶体管的所述漏极端子的漏极端子和耦接到所述接地线的源极端子。2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述钳位电路包括:第一开关,所述第一开关耦接在所述第一钳位晶体管的所述漏极端子和所述栅极端子之间;第二开关,所述第二开关耦接在所述第一钳位晶体管的所述漏极端子与所述电流源晶体管的所述漏极端子之间;第三开关,所述第三开关耦接在所述像素输出线与所述电流源晶体管的第二漏极端子之间;第四开关,所述第四开关耦接在所述第一钳位晶体管的所述漏极端子与所述第二钳位晶体管的所述漏极端子之间;和第五开关,所述第五开关耦接在所述像素输出线和正电源电压线之间。3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述第一钳位晶体管具有第一沟道类型,其中所述第二钳位晶体管具有不同于所述第一沟道类型的第二沟道类型,其中所述第一钳位晶体管是p沟道晶体管,并且其中所述第二钳位晶体管是n沟道晶体管。4.根据权利要求1所述的图像传感器,所述图像传感器还包括:附加电流源晶体管,所述附加电流源晶体管具有栅极端子、耦接到所述像素输出线的漏极端子和耦接到所述电流源晶体管的所述漏极端子的源极端子,其中所述钳位晶体管包括:第一开关,所述第一开关具有耦接到所述第一钳位晶体管的所述栅极端子的第一端子并且具有耦接到所述第一钳位晶体管的所述漏极端子的第二端子;第二开关,所述第二开关具有耦接到所述第一钳位晶体管的所述漏极端子的第一端子并且具有耦接到所述附加电流源晶体管的所述漏极端子的第二端子;第三开关,所述第三开关具有耦接到所述像素输出线的第一端子并且具有耦接到所述第二开关的所述第二端子的第二端子;第四开关,所述第四开关具有耦接到所述第一钳位晶体管的所述漏极端子的第一端子并且具有耦接到所述第二钳位晶体管的所述漏极端子的第二端子;和增益倍增晶体管,所述增益倍增晶体管具有耦接到所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:S
申请(专利权)人:半导体元件工业有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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