显示装置制造方法及图纸

提供显示装置。显示装置的实施方式包括衬底、衬底上的缓冲层、包括布置在缓冲层上并且包括硅半导体的半导体层和与半导体层绝缘的栅电极的薄膜晶体管、以及覆盖半导体层的绝缘层，其中，在半导体层与缓冲层之间的界面处的氟的浓度是在半导体层与绝缘层之间的界面处的氟的浓度的至少10％。的氟的浓度的至少10％。的氟的浓度的至少10％。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于并且要求于2020年12月4日提交到韩国知识产权局的第10
‑
2020
‑
0168716号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体地并入本文中。


[0003]本公开涉及显示装置和制造显示装置的方法。

技术介绍

[0004]近来，显示装置已以各种方式使用。具体地，随着显示装置的厚度和重量逐渐减少，其使用范围正在扩大。在显示装置之中，能够携带的薄平板柔性显示装置成为焦点。这些柔性显示装置通常重量轻并且具有强抗冲击性能，并且能够折叠或卷曲以存储，因此提供了极好的便携性优点。

技术实现思路

[0005]根据一个或多个实施方式，显示装置包括衬底、衬底上的缓冲层、包括布置在缓冲层上并且包括硅半导体的半导体层和与半导体层绝缘的栅电极的薄膜晶体管、以及覆盖半导体层的绝缘层，其中，在半导体层与缓冲层之间的第一界面处的氟的浓度是在半导体层与绝缘层之间的第二界面处的氟的浓度的至少10％。
>[0006]在本实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：衬底；缓冲层，所述缓冲层在所述衬底上；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括布置在所述缓冲层上并且包括硅半导体的半导体层和与所述半导体层绝缘的栅电极；以及绝缘层，所述绝缘层覆盖所述半导体层，其中，在所述半导体层与所述缓冲层之间的界面处的氟的浓度是在所述半导体层与所述绝缘层之间的界面处的氟的浓度的至少10％。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述半导体层中的氟的最小浓度不多于1
×
10
20
atom/cm3，其中，在所述半导体层与所述缓冲层之间的所述界面处的所述氟的浓度大于所述半导体层中的所述氟的最小浓度。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述缓冲层包括所述衬底上的第一缓冲层、所述第一缓冲层上的第二缓冲层和所述第二缓冲层上的第三缓冲层，并且所述第一缓冲层的氢浓度大于所述第二缓冲层的氢浓度。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一缓冲层的所述氢浓度在从1.1
×
10
22
atom/cm3至2.0
×
10
22
atom/cm3的范围内，并且所述第二缓冲层的所述氢浓度在从7.0
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【专利技术属性】
技术研发人员：金纹成，朴英吉，韩在范，郑洙任，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：