ESD保护电路及显示装置制造方法及图纸

本申请实施例提供的ESD保护电路及显示装置中，包括侦测模块、放大模块以及放电模块，采用侦测模块能以较快的速度感知到I/O端上出现了ESD异常电荷；然后通过放大模块将ESD异常电荷放大，从而使放电模块更充分地导通，以实现更好的ESD保护效果。本申请实施例采用了低温多晶氧化物晶体管技术，可以实现性能良好的侦测模块及放大模块，让放电模块在正常工作过程时泄漏电荷较小，而在出现ESD异常电荷时，还能以较快的相应速度将ESD异常电荷释放掉，保护I/O线路及其相关电路，不受到冲击电流和冲击电压的损坏。电压的损坏。电压的损坏。

【技术实现步骤摘要】
ESD保护电路及显示装置


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种ESD保护电路及显示装置。

技术介绍

[0002]目前，有源矩阵的有机发光二极管显示广泛地应用到中小尺寸显示面板，并逐渐成为显示技术的主流。具体地，基于低温多晶硅及金属氧化物形成的混合型晶体管技术，即低温多晶氧化物技术，已经开始成为高端显示的背光技术。低温多晶氧化物技术具有高迁移率、高驱动能力以及低泄漏电流的特点，可以较明显地减少有源矩阵的有机发光二极管像素内部节点的泄漏电流以及电荷，从而在低帧场合较明显地减少显示驱动功耗。
[0003]但是目前为止，大部分关于低温多晶氧化物晶体管技术仅仅用于改善有源矩阵的有机发光二极管像素电路的性能，而较少有相关研究，运用低温多晶氧化物晶体管技术来构建高性能周边驱动电路，尤其是关于ESD保护电路方面。
[0004]其中，现有的ESD电路不仅需要具有较强的保护效果，而且需要保证I/O端正常工作过程中泄漏电流较低。但是这两者之间存在矛盾，从提升ESD保护效果来看，现有ESD电路中串联的TFT数量越少越好，但是这样就会引起在正本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ESD保护电路，其特征在于，包括第一电源线、第二电源线、参考高电压信号线、参考低电压信号线、侦测模块、放大模块以及放电模块；其中，所述第一电源线上设有I/O端，所述第一电源线用于提供正常工作高电压，所述第二电源线用于提供放电电压，所述参考高电压信号线用于提供参考高电压，所述参考低电压信号线用于提高参考低电压；所述侦测模块电性连接于所述I/O端、所述第二电源线以及所述放大模块，所述侦测模块用于侦测所述I/O端是否出现ESD异常电荷，若出现ESD异常电荷，则将所述ESD异常电荷传输至所述放大模块；所述放大模块电性连接于所述参考高电压信号线、所述参考低电压信号线、所述侦测模块以及所述放电模块，所述放大模块用于放大所述ESD异常电荷，并将经过放大的所述ESD异常电荷传输至所述放电模块；所述放电模块电性连接于所述第一电源线、所述第二电源线以及所述放大模块，所述放电模块用于当接收到经过放大的所述ESD异常电荷时，释放所述I/O端的所述ESD异常电荷。2.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，所述侦测模块包括第一阻性元件以及第二阻性元件，所述第一阻性元件的一端电性连接于所述I/O端，所述第一阻性元件的另一端连接于第一节点，所述第二阻性元件的一端电性连接于所述第二电源线，所述第二阻性元件的另一端电性连接于所述第一节点。3.根据权利要求2所述的ESD保护电路，其特征在于，所述第一阻性元件包括第一侦测晶体管，所述第二阻性元件包括第二侦测晶体管，所述第一侦测晶体管的栅极电性连接于所述第一节点，所述第一侦测晶体管的源极和漏极中的一者电性连接于所述I/O端，所述第一侦测晶体管的源极和漏极中的另一者电性连接于所述第一节点，所述第二侦测晶体管的栅极电性连接于所述第二电源线，所述第二侦测晶体管的源极和漏极中的一者电性连接于所述第一节点，所述第二侦测晶体管的源极和漏极中的另一者电线连接于所述第二电源线。4.根据权利要求2所述的ESD保护电路，其特征在于，所述第二侦测晶体管的沟道宽度是所述第一侦测晶体管的沟道宽度的比值为9至11。5.根据权利要求2所述的ESD保护电路，其特征在于，所述放大模块包括第一缓冲放大器以及第二缓冲放大器，所述第一缓冲放大器的输入端电性连接于所述第一节点，所述第一缓冲放...

【专利技术属性】
技术研发人员：张毅先，胡俊艳，陈诚，戴超，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：