多层陶瓷电容器制造技术

本发明专利技术提供一种多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器包括：陶瓷主体，具有设置在两个内电极之间的介电层。所述介电层包括多个介电晶粒。在所述多个介电晶粒中的至少两个介电晶粒之间的晶界具有在所述晶界中的Si的重量与Ni的重量的Si/Ni比，所述Si/Ni比为大于等于1且小于等于6。小于等于6。小于等于6。

【技术实现步骤摘要】
多层陶瓷电容器
[0001]本申请是申请日为2020年02月07日，申请号为202010082253.3，题为“多层陶瓷电容器”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本公开涉及一种能够提高可靠性的多层陶瓷电容器。

技术介绍

[0003]通常，使用陶瓷材料的电子组件(诸如电容器、电感器、压电装置、压敏电阻、热敏电阻等)可包括利用陶瓷材料形成的陶瓷主体、设置在陶瓷主体内部的内电极以及设置在陶瓷主体的表面上以与内电极连接的外电极。
[0004]近来，尽管电子产品已经被设计为具有减小的尺寸和多功能性，但片组件在尺寸上也已经减小并且已经具有在其中实现的各种功能。因此，已经需要具有减小的尺寸和高电容的多层陶瓷电容器。
[0005]例如，为了同时实现具有减小的尺寸和高电容的多层陶瓷电容器，可能需要减小内部介电层和电极层的厚度，使得可堆叠更多数量的内部介电层和电极层。通常，介电层的厚度为0.7μm左右，并且已经不断开发出进一步减小介电层的厚度的技术。
[0006]如上所述，随着多层陶瓷电容器的小型化，加速了在薄的介电层中的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多层陶瓷电容器，包括：陶瓷主体，具有设置在内电极之间的介电层，其中，所述介电层包括多个介电晶粒和在所述多个介电晶粒中的至少两个介电晶粒之间的晶界，其中，所述晶界中的Si的重量与Ni的重量的Si/Ni比为大于等于1且小于等于6。2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，在所述晶界中包括的Ni与Si一起处于非晶态。3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电层中的所述介电晶粒具有0.1μm至0.3μm的尺寸。4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述晶界具有0.7nm至1.5nm的厚度。5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述晶界中的Ni的重量与Ti的重量的Ni/Ti比为0.1或更小。6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电层中的所述介电晶粒具有核
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壳结构。7.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，在所述内电极之间的所述介电层具有1μm或更小的厚度。8.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述内电极包括设置为彼此面对的第一内电极和第二内电极，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间。9.根据权利要求8所述的多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器还包括：第一外电极，电连接到所述第一内电极；以及第二外电极，电连接到所述第二内电极，其中，所述第一外电极和所述第二外电极设置在所述陶瓷主体的外部。10.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述陶瓷主体包括包含所述内电极的多个内电极，所述多个内电极堆叠在所述陶瓷主体的有效部中，并且所述陶瓷主体还包括覆盖部，所述覆盖部包括在所述内电极的堆叠方向上设置在所述多个内电极中的最上内电极上方和最下内电极下方的介电层。11.一种多层陶瓷电容器，包括：彼此交替堆叠的多个第一内电极和多个第二内电极，且介电层位于所述第一内电极和所述第二内电极之间，其中，每个介电层包括多个介电晶粒，且晶界位于所述多个介电晶粒之间，并且所述晶界包括Ni和Ti，并且所述晶界中的Ni的重量与Ti的重量的Ni/Ti比为0.1或更小。12.根据权利要求11所述的多层陶瓷电容器，其中，在相邻的第一内电极和第二内电极之间的每个介电层具有1μm或更小的厚度。13.根据权利要求12所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹基明，朴宰成，郑东俊，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：