一种功率放大器及电子设备制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种功率放大器及电子设备，所述功率放大器包括至少一级功率放大电路，其中，每一级功率放大电路均包括功率管和偏置单元；功率管的输入端与偏置单元电连接，功率管的输入端还用于接入射频信号，功率管的输出端用于与负载电连接；偏置单元包括自适应偏置电路和增益补偿电路，其中，增益补偿电路与自适应偏置电路电连接，自适应偏置电路的偏置电流输出端与功率管的输入端电连接；增益补偿电路用于在检测到环境温度变化时调整所述自适应偏置电路输出的偏置电流，环境温度的变化状态与偏置电流的变化状态一致。通过所述增益补偿电路的设置，能够有效避免因温度升高而造成对功率管小信号增益的影响。高而造成对功率管小信号增益的影响。高而造成对功率管小信号增益的影响。

【技术实现步骤摘要】
一种功率放大器及电子设备


[0001]本专利技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种功率放大器及电子设备。

技术介绍

[0002]由于功率放大器经常在射频信号处于回退状态时工作，功率放大器的放大效率为最关键的指标之一，在功率放大器工作时需要对功率放大器进行偏置，以保证功率放大器能以最大功率输出，又能在回退状态下有适当的偏置点，在不损失线性度的条件下保证维持其高效率。
[0003]对于GaAs HBT工艺的功放而言，最常用的方法是使用自适应偏置电路作为偏置电流源。由于GaAs HBT具有很强的热敏感性，使得功率放大器受环境温度和自热效应影响，增益变化明显。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种功率放大器及电子设备，具体方案如下：
[0005]第一方面，本申请实施例提供了一种功率放大器，所述功率放大器包括至少一级功率放大电路，其中，每一级功率放大电路均包括功率管和偏置单元；
[0006]所述功率管的输入端与所述偏置单元电连接，所述功率管的输入端还用于接入射频信号，所述功率管的输出端本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率放大器，其特征在于，所述功率放大器包括至少一级功率放大电路，其中，每一级功率放大电路均包括功率管和偏置单元；所述功率管的输入端与所述偏置单元电连接，所述功率管的输入端还用于接入射频信号，所述功率管的输出端用于与负载电连接；所述偏置单元包括自适应偏置电路和增益补偿电路，其中，所述增益补偿电路与所述自适应偏置电路电连接，所述自适应偏置电路的偏置电流输出端与所述功率管的输入端电连接；所述增益补偿电路用于在检测到环境温度变化时调整所述自适应偏置电路输出的偏置电流，所述环境温度的变化状态与所述偏置电流的变化状态一致。2.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述自适应偏置电路包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管；其中，所述第一晶体管的第二电极接入第一电压信号；所述第一晶体管的第一电极、所述第二晶体管的第一电极和第二电极以及所述第三晶体管的第二电极均接入第二电压信号；所述第二晶体管的第三电极与所述第三晶体管的第二电极电连接，所述第三晶体管的第三电极接地；所述第一晶体管的第三电极与所述偏置电流输出端电连接。3.根据权利要求2所述的功率放大器，其特征在于，所述自适应偏置电路还包括第四晶体管；所述第四晶体管的第一电极分别与所述第一晶体管的第一电极和所述第二晶体管的第一电极电连接；所述第四晶体管的第二电极用于接入所述第一电压信号；所述第四晶体管的第三电极与所述第三晶体管的第一电极电连接。4.根据权利要求3所述的功率放大器，其特征在于，所述自适应偏置电路还包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和第五电阻；其中，所述第一晶体管的第三电极通过所述第一电阻与所述偏置电流输出端电连接；所述第一晶体管的第二电极通过所述第二电阻接入所述第一电压信号；所述第二晶体管的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚全熙，金冬，侯兴江，
申请(专利权)人：深圳市时代速信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：