一种功率放大器瞬态热补偿偏置电路制造技术

本实用新型专利技术属于集成电路领域，公开了一种功率放大器瞬态热补偿偏置电路，包括：电源输入端口、电源输出端口、第一逻辑控制接口、第二逻辑控制接口、第一开关模块、第二开关模块、第三开关模块、第一偏置模块、第二偏置模块、低通延迟模块和主驱动模块；低通延迟模块包括电容，第一逻辑控制接口和第二逻辑控制接口的逻辑极性相反，当第一逻辑控制接口为低电平时，低通延迟模块中的电容跟随第一开关模块第一端口的电压。有益效果：电压输出端口的电压和低通延迟模块的电容电压相同，当第一逻辑控制接口模块的电平发生变化由高电平变为低电平时，电压输出端口的电压跟随低通延迟模块中电容的电压变化，实现对放大器热响应的补偿。实现对放大器热响应的补偿。实现对放大器热响应的补偿。

【技术实现步骤摘要】
一种功率放大器瞬态热补偿偏置电路


[0001]本技术涉及集成电路领域，特别是涉及一种功率放大器瞬态热补偿偏置电路。

技术介绍

[0002]由于功率放大器发热比较大，从芯片开启到热稳定需要一定的时间，这个时间往往会影响系统的响应速度且会消耗多余的功耗，故往往需要对芯片热响应进行补偿，目前业界通常采用CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)器件对PA(Power Amplifier，功率放大器)芯片实现热补偿功能。
[0003]现有解决方案需要额外增加一颗CMOS控制芯片，不仅增加封装成本，提高封装的风险，也不能满足小尺寸封装需求。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是：对现有的功率放大器热补偿装置进行改进，在保证芯片热补偿功能实现的同时，降低封装风险，满足小尺寸封装要求。
[0005]为了实现上述目的，本技术提供了一种功率放大器瞬态热补偿偏置电路，包括：电源输入端口、电源输出端口、第一逻辑控制接口、第二逻辑控制接口、第一开关模块、第二开关模块、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率放大器瞬态热补偿偏置电路，其特征在于，包括：电源输入端口、电源输出端口、第一逻辑控制接口、第二逻辑控制接口、第一开关模块、第二开关模块、第三开关模块、第一偏置模块、第二偏置模块、低通延迟模块和主驱动模块；所述第一逻辑控制接口和第一开关模块的第一端口连接，第一开关模块的第二端口和第一偏置模块的第一端口连接，所述第一偏置模块的第二端口和电源输入端口连接，第一偏置模块的第一端口和低通延迟模块的第一端口连接，低通延迟模块的第二端口和主驱动模块的第一端口连接，主驱动模块的第二端口和电源输入端口连接，主驱动模块的第三端口和第三开关模块的第一端口连接，所述第三开关模块的第二端口和电源输出端口连接，所述第三开关模块的第三端口和第二逻辑控制接口连接；所述第一逻辑控制接口和第二开关模块的第一端口连接，第二开关模块的第二端口和第二偏置模块的第一端口连接，所述第二偏置模块的第二端口和电源输入端口连接，第二偏置模块的第一端口和低通延迟模块的第三端口连接。2.根据权利要求1所述的一种功率放大器瞬态热补偿偏置电路，其特征在于，所述第一偏置模块包括：第一电阻、第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管；所述第一电阻的第一端口和电源输入端口连接，所述第一电阻的第二端口和第一晶体管的第一端连接，第一晶体管的第一端和第一晶体管的第二端连接，所述第一晶体管的第三端和第二晶体管的第一端连接，所述第二晶体管的第一端和第二晶体管的第二端连接，所述第二晶体管的第三端和第三晶体管的第一端连接，所述第三晶体管的第一端和第三晶体管的第二端连接，所述第三晶体管的第三端接地；所述第一电阻的第二端口和第一开关模块的第二端口连接，所述第一电阻的第二端口和低通延迟模块的第一端口连接。3.根据权利要求2所述的一种功率放大器瞬态热补偿偏置电路，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管均为HBT晶体管或均为FET晶体管。4.根据权利要求1所述的一种功率放大器瞬态热补偿偏置电路，其特征在于，所述第二偏置模块包括：第二电阻、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管；所述第二电阻的第一端口和电源输入端口连接，所述第二电阻的第二端口和第四晶体管的第一端连接，第四晶体管的第一端和第四晶体管的第二端连接，所述第四晶体管的第三端和第五晶体管的第一端连接，所述第五晶体管的第一端和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯兴江，邢利敏，
申请(专利权)人：深圳市时代速信科技有限公司，
类型：新型
国别省市：