一种黑磷纳米片新的生物学应用制造技术

本发明专利技术提供一种黑磷纳米片新的生物学应用，本发明专利技术提出一种神经前体细胞培养基，该培养基包括黑磷纳米片，能够提高神经前体细胞的抗氧化能力，从而有效抵抗过氧化氢和糖氧剥离带来的氧化损伤，并提高神经前体细胞在体内或体外应激环境中的存活率。体外应激环境中的存活率。

【技术实现步骤摘要】
一种黑磷纳米片新的生物学应用


[0001]本专利技术属于生物医药
，尤其涉及一种黑磷纳米片新的生物学应用。

技术介绍

[0002]脑卒中是脑部血管发生病变引发的恶性疾病，其中缺血性脑卒中占卒中类型的80％以上，具有高死亡率和高致残率的特点。在缺血发生后，及时清除血栓能极大改善患者的预后。而恢复血流灌注后过剩的氧化物质却能引发氧化应激反应，过多的活性氧直接攻击脂质、蛋白质以及核酸，使之发生氧化从而导致细胞的破坏，造成神经组织的二次损伤。氧化应激和一系列过度的炎症反应是缺血性脑卒中后神经功能恢复的主要障碍。
[0003]动物模型和临床试验证明移植神经干细胞移植是一种有潜力的治疗脑卒中的方式。神经干细胞移植治疗脑卒中的机制是多模式的，但是大量的证据表明神经干细胞移植对神经功能的改善是轻中度的。其中很关键的原因是神经干细胞移植后大部分细胞不能存活。缺血再灌注造成的氧化损伤不仅对神经组织造成严重损伤，而且极大限制了移植治疗的细胞存活率。因此，提高移植细胞的存活率是提高干细胞移植疗效的关键。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决上述现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术第一个方面提出一种神经前体细胞培养基，该培养基包括黑磷纳米片，能够提高神经前体细胞的抗氧化能力，从而有效抵抗过氧化氢和糖氧剥离带来的氧化损伤，并提高神经前体细胞在体内或体外应激环境中的存活率。
[0005]本专利技术的第二个方面提出了一种神经前体细胞的培养方法。
[0006]本专利技术的第三个方面提出了一种神经前体细胞。
[0007]本专利技术的第四个方面提出了一种黑磷纳米片在神经前体细胞培养中的应用
[0008]本专利技术的第五个方面提出了一种黑磷纳米片在制备神经前体细胞培养基中的应用
[0009]本专利技术的第六个方面提出了一种黑磷纳米片在制备神经前体细胞的抗氧化基因表达促进剂中的应用。
[0010]本专利技术的第七个方面提出了一种黑磷纳米片在制备防治神经元损伤药物中的应用。
[0011]本专利技术的第八个方面提出了一种黑磷纳米片在制备防治缺血性脑卒中药物中的应用。
[0012]根据本专利技术的第一个方面，提出了一种神经前体细胞培养基，包括黑磷纳米片。
[0013]在本专利技术的一些实施方式中，所述黑磷纳米片的尺寸为100nm～1000nm，优选为400nm～600nm。
[0014]在本专利技术的一些优选的实施方式中，所述黑磷纳米片的质量浓度为0.1μg/mL～5.0μg/mL。
[0015]根据本专利技术的第二个方面，提出了一种神经前体细胞的培养方法，包括在诱导多能干细胞向神经前体细胞分化的体系中加入黑磷纳米片的步骤。
[0016]在本专利技术的一些实施方式中，所述黑磷纳米片在诱导分化培养的第8天～第14天加入。
[0017]在本专利技术的一些优选的实施方式中，所述黑磷纳米片在所述体系中的浓度为0.1μg/mL～5.0μg/mL。
[0018]根据本专利技术的第三个方面，提出了一种神经前体细胞，所述神经前体细胞根据本专利技术第二个方面所述的神经前体细胞的培养方法获得。
[0019]根据本专利技术的第四个方面，提出了一种黑磷纳米片在神经前体细胞培养中的应用。
[0020]在本专利技术的一些实施方式中，所述黑磷纳米片的尺寸为100nm～1000nm，优选为400nm～600nm。
[0021]在本专利技术的一些优选的实施方式中，所述黑磷纳米片的质量浓度为0.1μg/mL～5.0μg/mL。
[0022]根据本专利技术的第五个方面，提出了一种黑磷纳米片在制备神经前体细胞培养基中的应用。
[0023]在本专利技术的一些实施方式中，所述黑磷纳米片的尺寸为100nm～1000nm，优选为400nm～600nm。
[0024]在本专利技术的一些优选的实施方式中，所述黑磷纳米片的质量浓度为0.1μg/mL～5.0μg/mL。
[0025]根据本专利技术的第六个方面，提出了治疗有效量的黑磷纳米片在制备神经前体细胞的抗氧化基因表达促进剂中的应用。
[0026]根据本专利技术的第七个方面，提出了治疗有效量的黑磷纳米片在制备防治神经元损伤药物中的应用。
[0027]根据本专利技术的第八个方面，提出了治疗有效量的黑磷纳米片在制备防治缺血性脑卒中药物中的应用。
[0028]本专利技术中使用的“治疗有效量”是指所施用的组合物中所含的本专利技术的黑磷纳米片的量足以达到预期目的的量，所述预期目的在这种情况下例如是能提高神经前体细胞的抗氧化基因表达；能预防、改善、治疗神经元损失；能预防、改善、治疗缺血性脑卒中。
[0029]在一些实施方式中，本专利技术的黑磷纳米片的治疗有效量可以是，例如0.5μg/mL、1.0μg/mL、1.5μg/mL、2.0μg/mL、2.5μg/mL、3.0μg/mL、3.5μg/mL及其他合适的值。
[0030]本专利技术的有益效果为：
[0031]1.本专利技术中，黑磷纳米片能够提高神经前体细胞的抗氧化能力，从而有效抵抗过氧化氢和糖氧剥离带来的氧化损伤，并提高神经前体细胞在体内或体外应激环境中的存活率。
[0032]2.本专利技术拓展了黑磷纳米材料新的生物学应用，为提高移植干细胞存活率及其在神经系统性疾病中的治疗提高了新思路。
附图说明
[0033]下面结合附图和实施例对本专利技术做进一步的说明，其中：
[0034]图1为本专利技术实施例1黑磷纳米片的表征图，其中(a)为黑磷纳米片透射电镜图片和(b)为黑磷纳米片的粒径分布图。
[0035]图2为本专利技术实施例2神经前体细胞培养流程示意图及神经前体细胞的检测结果，其中，(a)是从iPSC分化为NPC的流程图；(b)为对照组NPC和经过黑磷纳米片处理的NPC的细胞形态图片；(c)为不同浓度黑磷纳米片与从iPSC向NPC分化的P1代细胞共培养5天的细胞毒性检测结果图。
[0036]图3为实施例3中NPC细胞抗氧化基因表达结果图，其中，(a)为qPCR检测NPC的谷氨酸转运蛋白及相关抗氧化基因的表达；(b)为WB检测Nrf2、GCLM、HMOX1、GPX1和NQO1蛋白的表达；(c)为图(b)的定量结果。
[0037]图4为实施例4中NPC对氧化损伤抵抗作用效果图，其中，(a)为有无黑磷纳米片处理的神经前体细胞经过氧化氢处理6小时后活死细胞染色结果；(b)为有无黑磷纳米片处理的神经前体细胞经过无糖培养基处理6小时后活死细胞染色结果。
[0038]图5为实施例5中神经前体细胞对神经元的氧化损伤的保护作用效果图，其中，(a)为过氧化氢诱导神经元氧化损伤时，不同培养基处理的神经元活化的凋亡蛋白的免疫荧光染色；(b)是图(a)的定量结果。
[0039]图6为实施例6中NPC对脑内保护作用效果图，其中，(a)为细胞移植3天后大鼠海马区所检测到的人细胞核以及巢蛋白的免疫荧光图；(b)是图(a)的定量结果。
[0040]图7为实施例7中神经前体细胞对大鼠缺血性脑卒中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种神经前体细胞培养基，其特征在于：包括黑磷纳米片。2.根据权利要求1所述的神经前体细胞培养基，其特征在于：所述黑磷纳米片的质量浓度为0.1μg/mL～5.0μg/mL。3.一种神经前体细胞的培养方法，其特征在于：包括在诱导多能干细胞向神经前体细胞分化的体系中加入黑磷纳米片的步骤。4.根据权利要求3所述的神经前体细胞的培养方法，其特征在于：所述黑磷纳米片在诱导分化培养的第8天～第14天加入。5.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓文斌，和福美，刘赣，刘泽琦，熊月，齐军阳，林珣，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：