可双面激光蚀刻导电玻璃及制备方法技术

本发明专利技术给出了一种可双面激光蚀刻导电玻璃的制备方法，包括以下步骤：采用电子枪将抗冲击强化膜层的膜材进行蒸发，膜材沉积于玻璃基板外表面形成抗冲击强化膜层；采用电子枪将阻隔激光膜层的膜材进行蒸发后沉积到玻璃基板正反面的抗冲击强化膜层上，形成激光阻隔膜层；溅镀氧化铟锡沉积在玻璃基板正反面的激光阻隔层表面,形成氧化铟锡导电膜；得到可双面激光蚀刻导电玻璃。本发明专利技术还给出了一种可双面激光蚀刻导电玻璃，采用上述的制备方法所得的可双面激光蚀刻导电玻璃。可双面激光蚀刻导电玻璃形成具有抗激光穿透的玻璃，再在其正反两面溅镀导电薄膜生成具有抗激光穿透的双面导电玻璃。简化工艺提高生产效率，扩大产品的适用范围。用范围。用范围。

【技术实现步骤摘要】
可双面激光蚀刻导电玻璃及制备方法


[0001]本专利技术涉及导电玻璃制造领域，特别涉及一种可双面激光蚀刻导电玻璃。
[0002]本专利技术涉及一种可双面激光蚀刻导电玻璃的制备方法。

技术介绍

[0003]双面导电玻璃广泛应用于触摸显示电子行业的一种玻璃原材料，其材料的正反面导电层通过加工需要形成不同的独立电路，其主要目的是让两面的独立电路相互作用产生纵向电容，在精密电子配件中，正反面的电路精度要求非常高，通常使用激光进行电路蚀刻，普通的双面导电玻璃在正面进行激光蚀刻线路时，光束蚀刻正面导电层后穿透玻璃介质透至反面，破坏反面的导电层；同理，在反面激光蚀刻导电层时，会破坏正面导电层，导致当前的双面导电玻璃不能适用于双面激光蚀刻工艺。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种结构合理、满足更多工艺需要的可双面激光蚀刻导电玻璃。
[0005]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种可双面激光蚀刻导电玻璃的制备方法。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种可双面激光蚀刻导电玻璃的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可双面激光蚀刻导电玻璃的制备方法，包括以下步骤：a)将玻璃基板置于电子束蒸镀机的真空舱内，真空舱中真空度＜2.0
×
10
‑3Pa，启动离子源对玻璃基板进行清洗，并干燥；b)采用蒸镀工艺在玻璃基板表面镀抗冲击强化膜层；将步骤a)中得到的玻璃基板放入真空舱中，真空舱内满足真空度＜2.0
×
10
‑3Pa、温度500
‑
700℃的条件，采用电子枪将抗冲击强化膜层的膜材进行蒸发，在离子源的作用下将所述膜材以纳米级分子形式沉积于玻璃基板外表面，在玻璃基板的正、反两面分别形成抗冲击强化膜层，抗冲击强化膜层的厚度为300
‑
400nm；c)采用蒸镀工艺在抗冲击强化膜层外侧再镀激光阻隔膜层；将步骤b)中得到的玻璃基板放在真空舱中，真空舱内满足真空度＜2.0
×
10
‑3Pa、温度700
‑
900℃的条件，采用电子枪将阻隔激光膜层的膜材进行蒸发后，在离子源的作用下以nm级分子形式分别沉积到玻璃基板正、反两面的抗冲击强化膜层上，形成激光阻隔膜层，所属激光为＜500nm波长的光；激光阻隔膜层的厚度为200
‑
400nm；d)采用磁控溅射工艺在激光阻隔膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶飞，郑琦林，刘月豹，陈敏，张阳，
申请(专利权)人：安徽方兴光电新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：