【技术实现步骤摘要】
一种单色器晶体定向方法
[0001]本专利技术涉及同步辐射光束线领域，更具体地涉及一种用于同步辐射光束线的单色器晶体定向方法。
技术介绍
[0002]同步辐射是极好的X射线光源，具有高准直、高亮度、低发散度、波长连续可调等优点，为X射线光谱学、形貌学、结构分析、晶体衍射等应用领域注入了新生机。因为完美晶体的原子层间距与X射线波长尺度为同一量级，因此可利用晶体从入射的X射线中将需要的单一波长的谱线分离出来，从而实现X射线单色化。实现单色化功能的晶体，在同步辐射上通常被称为单色器晶体。
[0003]单色器晶体是同步辐射光束线中的核心部件，当入射到单色器晶体表面的X射线满足Bragg衍射定律时，即入射光角度满足Bragg定律条件时，相应的X射线被晶体衍射，而其他波长的同步辐射光则被吸收，从而实现同步辐射光的“单色化”。参照图1，Bragg衍射定律用下式表达：
[0004]nλ＝2dsinθ
′
[0005]式中，λ是由单色器晶体衍射出的X射线的波长，d是单色器晶体的晶格常数；θ
′
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种单色器晶体定向方法，其特征在于，包括：步骤S1，将待切割晶体安装在手动调节弧摆台上，并对所述待切割晶体予以固定；步骤S2，对所述待切割晶体进行切割，并对所述切割后的待切割晶体进行初次定向，获取切割后的待切割晶体在x方向和y方向的角度偏差；其中，y方向为沿所述待切割晶体表面切割的方向，x方向为垂直于y方向的方向；步骤S3，根据切割后的待切割晶体在x方向和y方向的角度偏差，利用手动调节弧摆台和自准直仪调整所述待切割晶体的角度；步骤S4，调整好所述待切割晶体的角度后，再次切割所述待切割晶体，并对再次切割后的待切割晶体进行再次定向，获取再次切割后的待切割晶体在x方向和y方向的角度偏差；步骤S5，判断再次切割后的待切割晶体在x方向和y方向的角度偏差是否小于1
′
，若是，则结束步骤；若否，则重复步骤S3
‑
步骤S4。2.根据权利要求1所述的单色器晶体定向方法，其特征在于，所述步骤S1包括：步骤S11，通过晶系的夹角方式计算出所述待切割晶体所需晶向与已知晶向的晶间夹角θ；步骤S12，通过晶体夹持件，将所述待切割晶体转动至与已知晶向成θ角的位置。3.根据权利要求1所述的单色器晶体定向方法，其特征在于，所述步骤S3包括：步骤S31，在切割后的待切割晶体表面粘结测试镜；步骤S32，利用激光快速找准装置，实现所述自准直仪与所述测试镜的准直；步骤S...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋丽，杨辉，董晓浩，
申请(专利权)人：中国科学院上海应用物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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