【技术实现步骤摘要】
一种显示装置及其制备方法
[0001]本申请涉及显示
,尤其涉及一种显示装置及其制备方法。
技术介绍
[0002]随着高分辨率3D显示产品的发展,多通道(channel)数的COF(Chip On Film,覆晶薄膜)驱动是未来趋势。COF是一种芯片封装技术,即将驱动芯片(IC)固定在柔性线路板上的晶粒软膜构装技术。3D显示产品中,COF与显示面板连接;但是囿于制作工艺,COF与显示面板的绑定精度受限,其可输出的驱动通道数有限,难以满足高分辨率3D显示产品的要求。
技术实现思路
[0003]本申请的实施例提供一种显示装置及其制备方法,该显示装置可以大幅提升芯片封装单元和显示面板的绑定精度,从而大幅提升芯片封装单元的输出通道数量,进而满足高分辨率显示产品的要求。
[0004]为达到上述目的,本申请的实施例采用如下技术方案:
[0005]一方面,提供了一种显示装置的制备方法,该方法包括:
[0006]形成芯片封装结构,其中,所述芯片封装结构包括至少一个芯片封装单元;所述芯片封装单元至少包括:柔性基底、设置在所述柔性基底一侧的刚性基底、以及设置在所述柔性基底远离所述刚性基底一侧的引脚层,所述引脚层至少包括多个第一引脚,多个所述第一引脚在所述柔性基底的正投影位于所述刚性基底在所述柔性基底的正投影以内;
[0007]形成显示面板,其中,所述显示面板包括非显示区,所述非显示区包括刚性衬底和设置在所述刚性衬底上的绑定部;
[0008]将所述芯片封装结构的所述第一引脚与所 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示装置的制备方法,其特征在于,包括:形成芯片封装结构,其中,所述芯片封装结构包括至少一个芯片封装单元;所述芯片封装单元至少包括:柔性基底、设置在所述柔性基底一侧的刚性基底、以及设置在所述柔性基底远离所述刚性基底一侧的引脚层,所述引脚层至少包括多个第一引脚,多个所述第一引脚在所述柔性基底的正投影位于所述刚性基底在所述柔性基底的正投影以内;形成显示面板,其中,所述显示面板包括非显示区,所述非显示区包括刚性衬底和设置在所述刚性衬底上的绑定部;将所述芯片封装结构的所述第一引脚与所述显示面板的所述绑定部进行绑定连接。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在将所述芯片封装结构的所述第一引脚与所述显示面板的所述绑定部进行绑定连接之后,所述方法还包括:去除所述芯片封装单元的全部所述刚性基底。3.根据权利要求1或2所述的显示装置,其特征在于,所述刚性基底和所述刚性衬底的热膨胀系数相同。4.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置采用权利要求1所述的制备方法形成,包括:芯片封装结构和显示面板;所述芯片封装结构包括至少一个芯片封装单元;所述芯片封装单元至少包括:柔性基底、设置在所述柔性基底一侧的刚性基底、以及设置在所述柔性基底远离所述刚性基底一侧的引脚层,所述引脚层至少包括多个第一引脚,多个所述第一引脚在所述柔性基底的正投影位于所述刚性基底在所述柔性基底的正投影以内;所述显示面板包括非显示区,所述非显示区包括刚性衬底和设置在所述刚性衬底上的绑定部;所述芯片封装结构的所述第一引脚与所述显示面板的所述绑定部绑定连接;或者,所述显示装置采用权利要求2所述的制备方法形成,包括:芯片封装结构和显示面板;所述芯片封装结构包括至少一个芯片封装单元;所述芯片封装单元包括:柔性基底、以及设置在所述柔性基底一侧的引脚层,所述引脚层至少包括多个第一引脚;所述显示面板包括非显示区,所述非显示区包括刚性衬底和设置在所述刚性衬底上的绑定部;所述芯片封装结构的所述第一引脚与所述显示面板的所述绑定部绑定连接。5.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,所述第一引脚沿垂直于所述柔性基底的方向与所述柔性基底的距离,大于所述第一引脚的相邻部分沿垂直于所述柔性基底的方向与所述柔性基底的距离。6.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,所述第一引脚沿垂直于所述柔性基底的方向与所述柔性基底的距离,与所述第一引脚的相邻部分沿垂直于所述柔性基底的方向与所述柔性基底的距离的差值的范围为2
‑
8微米。7.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,所述芯片封装单元还包括至少一个引线单元,所述引线单元设置在所述引脚层和所述柔性基底之间;所有所述引线单元形成的整体中,未被所述第一引脚覆盖的部分沿垂直于所述柔性基底的方向与所述柔性基底的距离,小于被所述第一引脚覆盖的部分沿垂直于所述柔性基底的方向与所述柔性基底的距离;所述柔性基底沿垂直于所述柔性基底的方向的厚度均一;所述引线单元包括:第一引线层和第一有机层,所述第一有机层覆盖所述第一引线层;所述第一引线层至少包括多条第一走线和/或多个第一走线引脚;所述第一走线和/或所述第一走线引脚,与对应的所述第一引脚电连接。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所有所述引线单元中,与所述第一引脚相接触的所述引线单元的所述第一有机层中,未被所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:王美丽,王磊,孙伟,吴仲远,董学,韩文超,董水浪,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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