复合声子晶体降噪窗口制造技术

本发明专利技术公开了一种复合声子晶体降噪窗口，包括：窗口主体和设置在所述窗口主体内的N排复合声子晶体阵列，其中，每排复合声子晶体阵列具体包括：三个不同结构尺寸的局域共振声子晶体和黏附于所述局域共振声子晶体内外壁的吸声材料，其中，所述N为正整数。本发明专利技术能够获得良好的降噪效果同时，占地面积小，且具有良好的通风和采光性能。好的通风和采光性能。好的通风和采光性能。

【技术实现步骤摘要】
复合声子晶体降噪窗口


[0001]本专利技术涉及复合晶体
，尤其是涉及一种复合声子晶体降噪窗口。

技术介绍

[0002]近年来，随着城市化进程的不断加快，噪声污染已经成为城市环境污染问题的主要来源，噪声被认为是令人不愉快的声音，危害着公众的身心健康。在现代社会中出现了各种技术(主动降噪技术和被动降噪技术)对噪声进行控制，其中使用最为广泛的降噪技术为被动降噪技术，例如安装隔音屏障，阻止直达声的传播，并衰减足够的绕射声，在声屏障后侧形成一个声影区以获得良好的降噪性能，其隔音屏障主要应用于铁路和高速公路等公共场合。但是，对于声能量集中在中低频(630
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1000Hz)的交通噪声而言，声波波长较长，隔音屏障需要大的安装空间和占地面积才能对该频段的声音进行衰减以达到降噪效果，同时隔音屏障还存在自然通风和自然采光等缺陷，限制了其在民用建筑中的推广。因此，目前亟需解决隔声屏障在对交通噪声声能量集中频率范围内的声音进行降噪时，存在所需的空间大和占地面积大且通风性能差等问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合声子晶体降噪窗口，其特征在于，包括：窗口主体和设置在所述窗口主体内的N排复合声子晶体阵列，其中，每排复合声子晶体阵列具体包括：三个不同结构尺寸的局域共振声子晶体和黏附于所述局域共振声子晶体内外壁的吸声材料，其中，所述N为正整数。2.根据权利要求1所述的复合声子晶体降噪窗口，其特征在于，所述局域共振声子晶体为矩形环状结构，所述局域共振声子晶体沿所述窗口主体厚度方向依次排列设置，所述局域共振声子晶体的开口设置在所述窗口主体靠近声源侧的一侧。3.根据权利要求2所述的复合声子晶体降噪窗口，其特征在于，同一排复合声子晶体阵列内的三个局域共振声子晶体的开口大小依次增大，具体为6mm、8mm和20mm；同一排复合声子晶体阵列内的三个局域共振声子晶体宽度沿所述窗口主体方向依次减小，具体为66mm，43.5mm和40.4mm。4.根据权利要求3所述的复合声子晶体降噪窗口，其特征在于，所述矩形环状结构的侧壁厚度相等，均为3mm；同一排复合声子晶体阵列内的三个局域共振声子晶体高度相同，均为63.5mm，所述三个局域共振声子晶体在同一水平线上。5.根据权利要求1所述的复合声子晶体降噪窗口，其特征在于，相邻的局域共振声子晶体之间存在间隙，所述相邻的局域共振声子晶体的竖轴中线间距沿所述窗口主体方向依次为90.75mm和76.05mm；所述相邻两排的复合声子晶体阵列存在间隙，所述相邻两排复合声子晶体阵列的横轴...

【专利技术属性】
技术研发人员：华雨婷，李晓曼，谢金龙，
申请(专利权)人：广州大学，
类型：发明
国别省市：