【技术实现步骤摘要】
一种提升特征不明显缺陷辨识度的方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造
,尤其涉及一种提升特征不明显缺陷辨识度的方法。
技术介绍
[0002]现阶段半导体行业领域技术愈发成熟及先进,线宽越做越小,产品组成也越来越多,相应的缺陷种类随之增多,而对于缺陷观测及判断提出了更多的要求。正如大家所知晓地,在缺陷检测过程中经常会遇见,缺陷特征不明显,如图像(Pattern)的轻微变形、空洞尺寸的轻微差异等,此类型缺陷仅能通过对比照片发现差异,因此在实际操作过程中比较容易被忽视,误认为无异常而未发布缺陷通知。
[0003]另外,针对上述特征不明显之缺陷进行高效、快速的辨识,目前还未有较好的办法,现有的方法时效性及准确性均较差,且易受人为因素影响。现有通常的操作方法是在首次缺陷检测(Review)后若未发现异常,工程师一般会进行第二次检测(Review)并手动进行对比照片的拍照,以确认缺陷情况。显然地,所述操作方法不仅浪费机时及人力,而且存在较大遗漏的风险。
[0004]寻求一种针对特征不明显之缺陷可进行高效、快速的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种提升特征不明显缺陷辨识度的方法,其特征在于,所述提升特征不明显缺陷辨识度的方法,包括:执行步骤S1:进行缺陷扫描,并通过扫描图像(Candidate Image)与参考图像(Reference Image)对比,获得缺陷(Defect)图像;执行步骤S2:根据图像块(Patch Image)判断是否需要添加对比缺陷(Defect)坐标;执行步骤S3:根据判断标准之第一原则,若需添加对比缺陷(Defect)坐标,则添加对比缺陷(Defect)坐标,命名为缺陷识别码(Defect ID),定义为对比图像(Compare Image);根据判断标准之第二原则,若无需添加对比缺陷(Defect)坐标,则正常生成缺陷图谱(Defect Map);执行步骤S4:在添加对比缺陷坐标后,进行缺陷检测(Defect Review),并将对比图像(Compare Image)同步检测且输出。2.如权利要求1所述提升特征不明显缺陷辨识度的方法,其特征在于,所述判...
【专利技术属性】
技术研发人员:汪金凤,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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