一种基于异氰基配位的二维金属有机框架、制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种二维金属有机框架、制备方法和应用。该二维金属有机框架由异氰基卟啉和金属配位形成，其中异氰基卟啉上异氰基中的C通过配位键与金属连接。本发明专利技术填补了至今没有金属

【技术实现步骤摘要】
一种基于异氰基配位的二维金属有机框架、制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及二维金属有机框架领域，尤其涉及一种基于异氰基配位的二维金属有机框架、制备方法和应用。

技术介绍

[0002]金属有机框架作为一种典型的无机
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有机杂化物，可以通过大量有机配体和金属节点的配位而形成。金属有机框架材料凭借其高孔隙率和高比表面积在气体分离与储存等领域具有广阔的应用前景。然而绝大多数传统金属有机框架材料具有宽能带间隙、低导电性和低载流子迁移率的缺点，这大大限制了其在能量转换和多功能电子设备(如电化学传感、电催化、光催化、光电子学、自旋电子学、电池和超级电容器)中的应用。因此，如何设计与制备具有高电导率的金属有机框架材料，使其应用于先进的电子设备器件，是金属有机框架材料研究领域的重点。
[0003]随着金属有机框架材料的本征导电性质的不断研究以及导电性质测试(如电导率测试、载流子迁移率测试)的不断发展，一系列具有高导电性的金属有机框架材料涌现出来，其中二维金属有机框架材料脱颖而出。二维金属有机框架材料具有独特的层状结构，层与层之间具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二维金属有机框架，其特征在于，所述二维金属有机框架由异氰基卟啉和金属M配位形成，其中所述异氰基卟啉上异氰基中的C通过配位键与金属M连接，所述二维金属有机框架具有如下所示的结构：其中，R为烷基、芳基或烷氧基；n为0，1，2，3或4。2.如权利要求1所述的二维金属有机框架，其特征在于，所述金属M为Mn、Fe、Co、Rh、Pd、Ag、Re或Pt。3.如权利要求1所述的二维金属有机框架，其特征在于，R为C1‑
C4烷基，苯基或C1‑
C4烷氧基。4.如权利要求1所述的二维金属有机框架，其特征在于，R为甲基。5.如权利要求4所述的二维金属有机框架，其特征在于，n＝2。6.如权利要求1所述的二维金属有机框架，其特征在于，所述异氰基卟啉配体的结构为：
7.一种二维金属有机框架的制备方法，其特征在于，所述二维金属有机框由异氰基卟啉配体和金属M配位形成，其中所述异氰基卟啉上异氰基中的C通过配位键与金属M连接，所述制备方法包括：将所述异氰基卟啉配体与金属M盐加入到无水乙醇中，搅拌得到沉淀，分离沉淀，洗涤干燥得到所述二维金属有机框架；其中，所述异氰基卟啉配体的结构如下所示：所述二维金属有机框架具有如下所示的结构：
其中，R为烷基、芳基或烷氧基；n为0，1，2，3或4。8.如权利要求7所述的二维金属有机框架的制备方法，其特征在于，金属M为Mn、Fe、Co、Rh、Pd、Ag、Re或Pt。9.如权利要求7所述的二维金属有机框架的制备方法，其特征在于，所述异氰基卟啉配体的制备步骤包括：步骤S1、将...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏跃增，庄小东，何奇川，黄森鹤，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：