【技术实现步骤摘要】
像素电路和包括该像素电路的显示装置
[0001]本专利技术构思的实现方式总体上涉及一种像素电路和一种包括该像素电路的显示装置。
技术介绍
[0002]显示装置包括像素结构，并且像素结构包括多条线和多个电极。为了以高频率驱动显示装置，包括在像素结构中的线和电极的数量正在增加。另外，为了在显示装置中显示具有高分辨率的图像，需要减小像素结构的面积。因此，已经开发了其中线和电极彼此堆叠的结构。同时，为了提高显示装置的良率，需要形成布线和电极的工艺的效率。
技术实现思路
[0003]实施例提供一种像素电路。
[0004]实施例提供一种包括该像素电路的显示装置。
[0005]根据实施例的显示装置可以包括：第一下电极，被布置在基底基板上；第一上电极，被布置在第一下电极上、在平面图中与第一下电极重叠、包括硅半导体并且与第一下电极一起构成第一电容器；第二下电极，被布置在第一上电极上；以及第二上电极，被布置在第二下电极上、在平面图中与第二下电极重叠、包括氧化物半导体并且与第二下电极一起构成第二电容器。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：第一下电极，被布置在基底基板上；第一上电极，被布置在所述第一下电极上、在平面图中与所述第一下电极重叠、包括硅半导体并且与所述第一下电极一起构成第一电容器；第二下电极，被布置在所述第一上电极上；以及第二上电极，被布置在所述第二下电极上、在所述平面图中与所述第二下电极重叠、包括氧化物半导体并且与所述第二下电极一起构成第二电容器。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一下电极和所述第二上电极彼此电连接。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，高电源电压被提供到所述第一下电极和所述第二上电极。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一上电极和所述第二下电极彼此电连接。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一下电极和所述第二下电极包括相同的材料。6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一下电极和所述第二下电极包括钼。7.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：第一有源图案，与所述第一上电极被布置在同一层上并且在所述平面图中与所述第二下电极重叠。8.根据权利要求7所述的显示装置，进一步包括：第一下栅电极，与所述第一下电极被布置在同一层上并且在所述平面图中与所述第二下电极重叠。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，栅信号被提供到所述第一下栅电极和所述第二下电极。10.根据权利要求1至9中任一项所述的显示装置，进一步包括：第二有源图案，与所述第二上电极被布置在同一层上；以及上栅电极，被布置在所述第二有源图案上并且在所述平面图中与所述第二有源图案重叠。11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一下电极和所述第一上电极在所述平面图中与所述上栅电极重叠。12.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一下电极和所述第一上电极在所述平面图中不与所述上栅电极重叠。13.根据权利要求12所述的显示装置，进一步包括：第二下栅电极，与所述第二下电极被布置在同一层上并且在所述平面图中与所述上栅电极重叠。14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，栅信号被提供到所述上栅电极和所述第二下栅电极。15.一种显示装置，包括：第一下电极，被布置在基底基板上；
上电极，被布置在所述第一下电极上、在平面图中与所述第一下电极重叠、包括硅半导体并且与所述第一下电极一起构成电容器；第一有源图案，与所述上电极被布置在同一层上；第二下电极，被布置在所述第一有源图案上并且在所述平面图中与所述第一有源图案重叠；第二有源图案，被布置在所述第二下电极上并且包括氧化物半导体；以及上栅电极，被布置在所述第二有源图案上并且在所述平面图中与所述第二有源图案重叠。16.根据权利要求15所述的显示装置，进一步包括：第一下栅电极，与所述第一下电极被布置在同一层上并且在所述平面图中与所述第二下电极重叠。17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，栅信号被提供到所述第二下电极和所述第一下栅电极。18.根据权利要求15至17中任一项所述的显示装置，其中，所述第一下电极和所述上电极在所述平面图中与所述上栅电极重叠。19.根据权利要求15至17中任一项所述的显示装置，其中，所述第一下电极和所述上电极在所述平面图中不与所述上栅电极重叠。20.根据权利要求19所述的显示装置，进一步包括：第二下栅电极，与所述第二下电极被布置在同一层上并且在所述平面图中与所述上栅电极重叠。21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，栅信号被提供到所述上栅电极...
【专利技术属性】
技术研发人员：金明镐，金连洪，金宰范，孙暻锡，李善熙，李承俊，李昇宪，林俊亨，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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