非晶氮化硼膜和包括其的抗反射涂层结构体制造技术

提供非晶氮化硼膜和包括其的抗反射涂层结构体。所述非晶氮化硼膜具有包括sp3杂化键和sp2杂化键的非晶结构，其中所述非晶氮化硼膜中的sp3杂化键相对于sp3杂化键与sp2杂化键之和的比率小于约20％。之和的比率小于约20％。之和的比率小于约20％。

【技术实现步骤摘要】
非晶氮化硼膜和包括其的抗反射涂层结构体
[0001]对相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于2020年11月30日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2020
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0165074并且要求其优先权，将其公开内容全部通过引用引入本文中。


[0003]本公开内容涉及非晶氮化硼膜和包括其的抗反射涂层结构体。

技术介绍

[0004]在显示设备(器件)例如液晶显示(LCD)设备或有机发光显示(OLED)设备中，由于外部光的反射，对比度降低或图像重叠的问题可发生，且因此，为了解决该问题，可需要提供抗反射膜。

技术实现思路

[0005]提供非晶氮化硼膜和包括其的抗反射涂层结构体。
[0006]另外的方面将部分地在随后的描述中阐明，并且部分地将从所述描述明晰，或者可通过本公开内容的所呈现的实施方式的实践而获知。
[0007]在实施方式中，非晶氮化硼膜具有非晶结构，所述非晶结构包括sp3杂化键和sp2杂化键。所述非晶氮化硼膜中的sp3杂化键相对于sp3杂化键与sp2杂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.非晶氮化硼膜，其具有非晶结构，所述非晶结构包括sp3杂化键和sp2杂化键，其中所述非晶氮化硼膜中的sp3杂化键相对于sp3杂化键与sp2杂化键之和的比率小于20％。2.如权利要求1所述的非晶氮化硼膜，其中所述非晶氮化硼膜对于在100nm至1000nm的波长范围内的光的折射率为1.0至1.5。3.如权利要求1所述的非晶氮化硼膜，其中所述非晶氮化硼膜中的硼对氮的原子含量比为0.5至2.0。4.如权利要求1所述的非晶氮化硼膜，其中所述非晶氮化硼膜的表面粗糙度为0.5均方根(rms)或更小。5.如权利要求1所述的非晶氮化硼膜，其中所述非晶氮化硼膜的介电常数为2.5或更小。6.如权利要求1所述的非晶氮化硼膜，其中所述非晶氮化硼膜的能带隙为6.0eV或更小。7.如权利要求1所述的非晶氮化硼膜，其中非晶氮化硼膜的密度为1.8g/cm3或更大。8.如权利要求1所述的非晶氮化硼膜，其中所述非晶氮化硼膜的氢含量小于10原子％。9.抗反射涂层结构体，包括：基材，和在所述基材上的如权利要求1
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8任一项所述的非晶氮化硼膜。10.如权利要求9所述的抗反射涂层结构体，其中所述非晶氮化硼膜的厚度是入射在所述非晶氮化硼膜上的光的中心波长的1/4。11.如权利要求9所述的抗反射涂层结构体，进一步包括：在所述基材和所述非晶氮化硼膜之间的至少一个材料层。12.如权利要求11所述的抗反射涂...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔太镇，申铉振，李昌锡，金尚元，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：