等离子体产生装置及等离子体处理方法制造方法及图纸

等离子体产生装置具备：装置主体，形成有用于使处理气体等离子体化的反应室；至少一个排出通路，与反应室连接；扩散室，与至少一个排出通路连接；及多个喷出通路，与扩散室连接，且喷出在上述反应室中被等离子体化的等离子体气体，在这多个喷出通路中的至少一个喷出通路的朝向扩散室的开口形成有锥面。的朝向扩散室的开口形成有锥面。的朝向扩散室的开口形成有锥面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体产生装置及等离子体处理方法


[0001]本专利技术涉及从喷出通路喷出等离子体气体的等离子产生装置等。

技术介绍

[0002]在等离子体产生装置中存在有在反应室中使处理气体等离子体化并将被等离子体化后的等离子体气体从形成于喷嘴的喷出通路喷出的构造的等离子体产生装置。在下述专利文献中记载了这样的等离子体产生装置的一个例子。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献1：日本特开2001
‑
068298号公报

技术实现思路

[0005]专利技术所要解决的课题
[0006]本说明书的课题在于提高从喷出通路喷出等离子体气体的构造的等离子产生装置的实用性。
[0007]用于解决课题的技术方案
[0008]为了解决上述课题，本说明书公开了一种等离子体产生装置，其具备：装置主体，形成有用于使处理气体等离子体化的反应室；至少一个排出通路，与上述反应室连接；扩散室，与上述至少一个排出通路连接；及多个喷出通路，与上述扩散室连接，且喷出在上述反应室中被等离子体化的等离子体气体，在上述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种等离子体产生装置，具备：装置主体，形成有用于使处理气体等离子体化的反应室；至少一个排出通路，与所述反应室连接；扩散室，与所述至少一个排出通路连接；及多个喷出通路，与所述扩散室连接，且喷出在所述反应室中被等离子体化的等离子体气体，在所述多个喷出通路中的至少一个喷出通路的朝向所述扩散室的开口形成有锥面。2.一种等离子体产生装置，具备：装置主体，形成有用于使处理气体等离子体化的反应室；及喷嘴，安装于所述装置主体，喷出在所述反应室中被等离子体化的等离子体气体，所述装置主体具有用于将在所述反应室中被等离子体化的等离子体气体向所述装置主体的外部排出的排出通路，所述喷嘴具有：扩散室，形成为覆盖所述排出通路的朝向所述装置主体的外壁面的开口；及多个喷出通路，用于经由所述扩散室而喷出等离子体气体，所述多个喷出通路喷出在所述反应室中被等离子体化的等离子体气体，在所述多个喷出通路中的一个以上的喷出通路的朝向所述扩散室的开口形成有锥面。3.根据权利要求2所述的等离子体产生装置，其中，未在所述多个喷出通路的全部喷出通路的朝向所述扩散室的开口形成锥面，而是在所述多个喷出通路中的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩田卓也，
申请(专利权)人：株式会社富士，
类型：发明
国别省市：