一种适用于YAC机台的CP槽系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种适用于YAC机台的CP槽系统，属于太阳能电池片生产技术领域。本实用新型专利技术包括外槽，外槽底部与外槽进口管，臭氧通过外槽进口管流入外槽内，其中外槽内放置有内槽，内槽底部开设有内槽进水口，内槽进水口通过管道与外槽相连通。针对上述问题，本实用新型专利技术提供了一种适用于YAC机台的CP槽系统，能够有效避免CP槽在通臭氧过程中产生的气流泡对太阳能电池硅片绒面造成气流印，从而有效解决太阳能电池硅片的条状相间色差问题，提高产品的合格率。品的合格率。品的合格率。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于YAC机台的CP槽系统


[0001]本技术属于太阳能电池片生产
，更具体地说，涉及一种适用于YAC机台的CP槽系统。

技术介绍

[0002]YAC机台设备主要功能是太阳能电池硅片进行制绒清洗的自动设备，其控制系统采用三菱PLC和21英寸研华公司平板电脑相结合组成，可提供自动运行与手动操作两种模式，监控画面按清洗工艺流设计。高效异质结制绒车间引入YAC机台生产一段时间后，发现太阳能电池硅片条状相间的色差比较明显，不良比例较高，通过人机料分析排查，色差异常是由于CP槽导致。
[0003]CP槽在通臭氧过程中产生气泡，花篮中间位置气泡最为严重，其原因是CP槽在通臭氧时会产生气流泡，进而对太阳能电池硅片的绒面造成冲击，形成气流印，太阳能电池硅片在镀膜后则会形成外观色差。因此，急需设计一款适用于YAC机台的CP槽系统，能够有效解决太阳能电池硅片的色差问题，提高产品的合格率。
[0004]经检索，关于太阳能电池硅片臭氧处理的相关技术应用已有部分专利公开，如中国专利申请号为：2014207338033，公开了一种用臭氧预处理的晶硅太阳能电池，包括用于支撑的晶硅基体，晶硅基体包覆在氧化硅薄膜内；沉积在晶硅基体上方氧化硅薄膜上表面的氮化硅减反射膜；栅线分布在晶硅基体上方的正电极，正电极的下端依次穿过氮化硅减反射膜及氧化硅薄膜，并与晶硅基体的上表面接触；附着于晶硅基体下方氧化硅薄膜下表面的铝背场；该方案钝化效果好、反射率极低、抗电位诱导衰减性能良好，使用寿命长，光电转化率高，制造成本低。

技术实现思路

[0005]1、技术要解决的技术问题
[0006]针对上述问题，本技术提供了一种适用于YAC机台的CP槽系统，能够有效避免CP槽在通臭氧过程中产生的气流泡对太阳能电池硅片绒面造成气流印，从而有效解决太阳能电池硅片的条状相间色差问题，提高产品的合格率。
[0007]2、技术方案
[0008]为解决上述问题，本技术采用如下的技术方案。
[0009]本技术的一种适用于YAC机台的CP槽系统，包括外槽，外槽底部与外槽进口管，臭氧通过外槽进口管流入外槽内，其中外槽内放置有内槽，内槽底部开设有内槽进水口，内槽进水口通过管道与外槽相连通。
[0010]作为本技术更进一步的改进，内槽的底部还安装有相配合的均流板，均流板上设置有均流网格，均流网格包括呈网格结构的多个镂空方格。
[0011]作为本技术更进一步的改进，内槽的底部设置有安装部，安装部上设置有限位凸块一和限位凸块二，均流板上与限位凸块一和限位凸块二相对应的位置分别开设有相
配合的安装槽一和安装槽二。
[0012]作为本技术更进一步的改进，安装部为两个，分别位于内槽的长度方向两端，均流板的两端分别卡接在安装部上。
[0013]作为本技术更进一步的改进，内槽的长度方向中心位置还设置有两个安装部，均流板上与四个安装部上的限位凸块一和限位凸块二相对应的位置均分别开设有相配合的安装槽一和安装槽二。
[0014]作为本技术更进一步的改进，内槽进水口的顶部外周罩设有挡水环，挡水环包括用于挡在内槽进水口顶部的挡水部，挡水部底部环绕周向设置有多个支撑杆，支撑杆的底部固定在内槽底部，且多个支撑杆环绕分布在内槽进水口的外周。
[0015]作为本技术更进一步的改进，所述挡水部圆盘型结构，且挡水部的直径尺寸大于内槽进水口的直径尺寸。
[0016]作为本技术更进一步的改进，内槽的宽度方向两侧壁上沿长度方向均匀间隔设置有多个用于放置花篮的限位件。
[0017]3、有益效果
[0018]相比于现有技术，本技术的有益效果为：
[0019](1)本技术的一种适用于YAC机台的CP槽系统，外槽进口管上设置有泵，在泵的作用下臭氧药液通过外槽进口管打入外槽内，再通过管道自然流至内槽内，不会对内槽内的太阳能电池硅片产生气流冲击，能够有效避免CP槽在通臭氧药液过程中产生的气流泡对太阳能电池硅片绒面造成气流印，从而有效解决太阳能电池硅片的条状相间色差问题，提高产品的合格率。
[0020](2)本技术的一种适用于YAC机台的CP槽系统，从内槽进水口进入的臭氧药液通过均流板上的均流网格均匀地向上渗透，使得臭氧药液能够均匀地与上方花篮内的太阳能电池硅片进行充分接触，使太阳能电池硅片的金字塔顶部和底部变圆滑，以适应后续非晶硅薄膜的沉积，提高沉积的均匀性，进而提高整体生产效率。
[0021](3)本技术的一种适用于YAC机台的CP槽系统，挡水环挡在内槽进水口的顶部，臭氧药液从挡水部下方的支撑杆的间隙中向四周缓慢渗出，进一步有效防止臭氧药液对均流板上方的太阳能电池硅片造成冲击。内槽内通过挡水环和均流板实现双层缓冲均流，能够有效改善太阳能电池硅片表面的色差问题。
[0022](4)本技术的一种适用于YAC机台的CP槽系统，实际使用时，臭氧药液加大持续通入外槽，臭氧药液整体供臭氧时间保持不变，保证整体药液的臭氧浓度在45ppm左右，满足了正常生产的需要后，CP槽时间由240s降到200s，在减少CP槽供臭氧时间的基础上持续供应臭氧，每小时提高产能320pcs。验证效率提升0.035％，色差比例由0.33％降低至0.02％。
附图说明
[0023]图1为本技术的一种适用于YAC机台的CP槽系统去掉均流板后的俯视结构示意图；
[0024]图2为本技术中挡水环的正视结构示意图；
[0025]图3为本技术中挡水环的俯视结构示意图；
[0026]图4为本技术中均流板的结构示意图；
[0027]图5为本技术的一种适用于YAC机台的CP槽系统的正视结构示意图。
[0028]图中的标号为：
[0029]100、外槽；101、外槽进水管；200、内槽；201、花篮限位件；210、安装部；211、限位凸块一；212、限位凸块二；220、内槽进水口；300、挡水环；310、挡水部；320、支撑杆；400、均流板；401、安装槽一；402、安装槽二；410、均流网格。
具体实施方式
[0030]为进一步了解本技术的内容，结合附图对本技术作详细描述。
[0031]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0032]下面结合实施例对本技术作进一步的描述。
[0033]实施例1
[0034]结合图1
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图5，本实施例的一种适用于YAC机台的C本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于YAC机台的CP槽系统，其特征在于：包括外槽(100)，外槽(100)底部与外槽进口管(101)，臭氧通过外槽进口管(101)流入外槽(100)内，其中外槽(100)内放置有内槽(200)，内槽(200)底部开设有内槽进水口(220)，内槽进水口(220)通过管道与外槽(100)相连通。2.根据权利要求1所述的一种适用于YAC机台的CP槽系统，其特征在于：所述内槽(200)的底部还安装有相配合的均流板(400)，均流板(400)上设置有均流网格(410)，均流网格(410)包括呈网格结构的多个镂空方格。3.根据权利要求2所述的一种适用于YAC机台的CP槽系统，其特征在于：内槽(200)的底部设置有安装部(210)，安装部(210)上设置有限位凸块一(211)和限位凸块二(212)，均流板(400)上与限位凸块一(211)和限位凸块二(212)相对应的位置分别开设有相配合的安装槽一(401)和安装槽二(402)。4.根据权利要求3所述的一种适用于YAC机台的CP槽系统，其特征在于：所述安装部(210)为两个，分别位于内槽(200)的长度方向两端，均流板(400)的两端分别卡接在安装部(210)上。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：高永强，余义，王永洁，周守亮，张乔林，
申请(专利权)人：通威太阳能安徽有限公司，
类型：新型
国别省市：