存储芯片的测试方法、装置、存储介质与电子设备制造方法及图纸

本公开提供了一种存储芯片的测试方法、装置、存储介质与电子设备，属于半导体技术领域。所述方法包括：在待测存储芯片的存储单元中写入测试数据；从所述存储单元中读取存储数据；根据所述测试数据与所述存储数据，生成所述待测存储芯片的测试结果；其中，从所述存储单元中读取存储数据过程中，行选通周期持续时间大于所述待测存储芯片的标准行选通周期持续时间，和/或，所述待测存储芯片当前的感测延迟时间小于所述待测存储芯片的标准感测延迟时间。本公开可以提高存储芯片的测试效率。本公开可以提高存储芯片的测试效率。本公开可以提高存储芯片的测试效率。

【技术实现步骤摘要】
存储芯片的测试方法、装置、存储介质与电子设备


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种存储芯片的测试方法、存储芯片的测试装置、计算机可读存储介质与电子设备。

技术介绍

[0002]存储芯片是大多数电子产品的重要组成部分。为了检验存储芯片的质量，保证存储芯片上线后的使用性能，制造厂商往往需要在存储芯片正式出厂前进行测试，从而发现制造过程中产生的良率较低的产品。
[0003]同时，随着电子产品精密化、细小化，使得各类存储芯片的复杂度越来越高，存储芯片内部的模块越来越多，制造工艺也是越来越先进，对应的失效模式越来越多，如何完整高效地测试整个存储芯片，在存储芯片的设计过程中具有十分重要的意义。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本公开提供了一种存储芯片的测试方法、存储芯片的测试装置、计算机可读存储介质与电子设备，进而至少在一定程度上改善现有技术存储芯片的测试效率不高的问题。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储芯片的测试方法，其特征在于，所述方法包括：在待测存储芯片的存储单元中写入测试数据；从所述存储单元中读取存储数据；根据所述测试数据与所述存储数据，生成所述待测存储芯片的测试结果；其中，从所述存储单元中读取存储数据过程中，行选通周期持续时间大于所述待测存储芯片的标准行选通周期持续时间，和/或，所述待测存储芯片当前的感测延迟时间小于所述待测存储芯片的标准感测延迟时间。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述待测存储芯片的存储单元中写入测试数据之后到从所述存储单元中读取存储数据之前，控制所述待测存储芯片在预设时间内处于保持状态。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在控制所述待测存储芯片在预设时间内处于所述保持状态的前后，按照预设刷新周期对所述待测存储芯片的存储单元进行刷新处理。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待测存储芯片包括多列存储单元，每一列存储单元采用一个或者多个检测周期；所述在待测存储芯片的存储单元中写入测试数据，包括：在处于同一个检测周期内的存储单元中写入所述测试数据；所述从所述存储单元中读取存储数据，包括：从处于同一个检测周期内的存储单元中读取所述存储数据。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述待测存储芯片的各列存储单元按照遍历的形式进行测试；其中，所述遍历的方向为Y轴方向。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述待测存储芯片包括由多条字线和多条位线构成的存储阵列，且每个存储单元设置于任意一条字线和任意一条位线的相交处，所述从所述存储单元中读取存储数据，还包括：按照所述待测存储芯片的字线顺序，依次读取所述待测存储芯片中每个字线对应的存储单元中的存储数据。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在读取任一字线对应的存储单元的存储数据时，开启所述任一字线，按照突发长度单元读取所述任一字线对应的存储单元中的存储数据，直至完成所述任一字线对应的全部存储单元中的存储数据，然后关闭所述任一字线；开启下一字线，并读取所述下一字线对应的存储单元中的存储数据。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测试数据为具有相等数据位的多个二进制序列，且每个所述二进制序列具有不同的数据结构。9.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘东，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：