一种提高MLCNAND闪存寿命和正确译码率的方法技术

本发明专利技术公开了一种提高MLCNAND闪存寿命和正确译码率的方法，包括识别闪存块中的高误比特率的特征、在FTL中对每个闪存块的误码特征进行记录、根据步骤二记录的误码特征，在FTL中将闪存块的页地址交织在一起、解码失败时，利用ReadRetry的数据，对码字置信度进行修正四个步骤；本发明专利技术的交织结构将码字存储在两个闪存块上，对其中的误码率进行了平均，从而降低了较高误比特率的闪存的误码率，进而延长了闪存芯片的使用寿命；利用ReadRetry数据在数据偏移修正的基础上再次调整置信度，进一步提高解码成功率，进而提高译码正确率同时还可以提高闪存的读取速度。高闪存的读取速度。高闪存的读取速度。

【技术实现步骤摘要】
一种提高MLC NAND闪存寿命和正确译码率的方法


[0001]本专利技术涉及FLASH存储领域，具体是一种提高MLC NAND闪存寿命和正确译码率的方法。

技术介绍

[0002]为了扩大NAND闪存的存储容量并降低单位字节的价格，工业界广泛采用MLC技术和更小的半导体制造工艺来生产闪存芯片。MLC技术可以使单位密度存储数据量加倍，但同时带来了寿命变短、出错率变高等问题。例如，各厂家宣称的MLC产品擦除次数约为3000
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10000次，比可擦除次数超过100000次的采用SLC技术的产品小了一个数量级；MLC 技术需要在硬解码失败时额外采用软解码，导致出错率变高。MLC产品可擦除次数是由闪存芯片中误比特率最高的闪存页决定的，当该闪存页中的误码无法被纠错码正确纠正的时候，该芯片的寿命就完结了，在芯片寿命完结时，依然有一些闪存页具有较低的误码率，可以正常使用。诚然将该闪存块转为SLC模式来继续使用不失为一种可行的方案，但是它损失了一定的存储空间。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种提高MLC N本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高MLC NAND闪存寿命和正确译码率的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤一、识别闪存块中的高误比特率的特征；步骤二、在FTL中对每个闪存块的误码特征进行记录；步骤三、根据步骤二记录的误码特征，在FTL中将闪存块的页地址交织在一起；步骤四、解码失败时，利用Read Retry的数据，对码字置信度进行修正。2.根据权利要求1所述的一种提高MLC NAND闪存寿命和正确译码率的方法，其特征在于，所述步骤三中高误比特率的判断原则为交织判定原则，具体为将一个闪存块中的高误码率的页和另一个闪存块中低误码率的页进行交织；交织所满足的条件如下：设每次解码操作处理2x个页，则其中x个页来自一个闪存块中高误码率的页，另外x个页来自闪存块中低误码率的页。3.根据权利要求1或者2所述的一种提高MLC NAND闪存寿命和正确译码率的方法，其特征在于，所述步骤二中的误码特征分类根据地址对4取余的结果以及高低位页，具体分类如下：地址对4取余为0的闪存...

【专利技术属性】
技术研发人员：周浩，
申请(专利权)人：上海孤波科技有限公司，
类型：发明
国别省市：