一种具有无磁轨道的可重构式磁屏蔽房制造技术

本发明专利技术涉及一种具有无磁轨道的可重构式磁屏蔽房，包括高导电磁屏蔽层、高导磁率磁屏蔽层组、屏蔽层间限位装置、无磁导轨组和垫板组；所述高导磁率磁屏蔽层组包括多个高导磁率磁屏蔽层，用于对静磁场或极低频磁场进行屏蔽；所述高导电磁屏蔽层用于对交流磁场进行屏蔽；所述屏蔽层间限位装置用于保持高导电磁屏蔽层与高导磁率磁屏蔽层之间以及高导磁率磁屏蔽层之间的间距；所述无磁导轨组包括设置在对应的高导磁率磁屏蔽层底部的无磁导轨，用于带动对应的高导磁率磁屏蔽层进行移动；所述垫板组包括设置在对应的高导磁率磁屏蔽层上表面的多个垫板。本发明专利技术的技术方案方便了屏蔽层的安装和拆卸，可以根据使用需求实现磁屏蔽房的快速重构。的快速重构。的快速重构。

【技术实现步骤摘要】
一种具有无磁轨道的可重构式磁屏蔽房


[0001]本专利技术涉及磁屏蔽
，具体涉及一种具有无磁轨道的可重构式磁屏蔽房。

技术介绍

[0002]本专利技术中的磁屏蔽房主要面向静态磁场至低频的交变磁场的屏蔽，主要应用于量子前沿科学、心脑磁医学以及航天国防等方面。磁屏蔽房的作用是将地球磁场及其他干扰磁场进行屏蔽，在屏蔽房内部形成一个均匀的近零磁的环境，将实验仪器放入屏蔽房内以减少磁场的干扰。
[0003]目前对于高频段的电磁屏蔽装置的设计和应用已经较为成熟，对于低频磁场的屏蔽比较困难。对静磁场及低频交变磁场，目前主要通过高导磁率材料的通量分流作用进行屏蔽，其原理是由于材料的相对磁导率很高，外部空气中的磁场会进入磁阻更小的高导磁率材料并流出，进而大大降低内部磁场。对低频交变磁场，通过高导电率材料的涡流消除作用进行屏蔽。为了提高磁屏蔽性能，可以增加屏蔽材料厚度，但通过理论计算和实际应用可知，不能一味增加厚度，将磁屏蔽房设计成多层结构，每层之间有一定空隙可以更好的提高磁屏蔽性能。因此，想要提高屏蔽性能，要对磁屏蔽房的结构设计和所用材料进行优化。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有无磁轨道的可重构式磁屏蔽房，其特征在于，所述磁屏蔽房包括高导电磁屏蔽层、高导磁率磁屏蔽层组、屏蔽层间限位装置、无磁导轨组和垫板组；所述高导磁率磁屏蔽层组包括由内至外依次套设的多个高导磁率磁屏蔽层且每个所述高导磁率磁屏蔽层都设置有对应的屏蔽盖，用于通过通量分流作用对静磁场或极低频磁场进行屏蔽；所述高导电磁屏蔽层套设在所述高导磁率屏蔽组外部且一侧设置有对应的高导电屏蔽层盖，用于对交流磁场进行屏蔽；所述屏蔽层间限位装置包括设置高导磁率磁屏蔽层之间用于保持高导磁率磁屏蔽层之间间距的第一限位块和设置在高导电磁屏蔽层与高导磁率磁屏蔽层之间用以保持高导电磁屏蔽层与高导磁率磁屏蔽层之间间距的第二限位块；所述无磁导轨组包括多个无磁导轨，多个无磁导轨与高导磁率磁屏蔽层一一对应且每个无磁导轨设置在对应的高导磁率磁屏蔽层底部，用于带动对应的高导磁率磁屏蔽层进行移动，对高导磁率磁屏蔽层进行拆装、更换和屏蔽房重构；所述垫板组包括多个垫板，垫板分别设置在对应的高导磁率磁屏蔽层上表面，用于对无磁导轨与高导磁率磁屏蔽层之间进行隔离、避免高导磁率磁屏蔽层受集中应力。2.根据权利要求1所述的屏蔽房，其特征在于，所述高导电磁屏蔽层为铝合金屏蔽层，所述高导电磁屏蔽层盖为铝合金盖，铝合金盖上设置有供实验测试用的第二实验孔。3.根据权利要求1所述的屏蔽房，其特征在于，所述高导磁率磁屏蔽层为坡莫合金屏蔽层或铁氧体层，所述高导磁率磁屏蔽层为坡莫合金屏蔽层时坡莫合金屏蔽层采用1J85坡莫合金，用于通量分流作用对静磁场或极低频磁场进行屏蔽；所述坡莫合金屏蔽层对应的屏蔽盖上设置有供缠绕消磁线圈的消磁孔和供实验测试用的第一实验孔。4.根据权利要求1所述的屏蔽房，其特征在于，所述高导磁率磁屏蔽层之间轴向间隙公差不超过0.2mm，用于确保高导磁率磁屏蔽层正常的...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐学平，孙津济，任建伊，周伟勇，
申请(专利权)人：北京航空航天大学宁波创新研究院，
类型：发明
国别省市：