集成电路封装器件的半开封方法技术

本发明专利技术提供一种集成电路封装器件的半开封方法，包括：先使用激光开封机在封装器件的塑封盖上打开一窗口，再将封装器件倒置在酸开封机上，最后使用体积比为2:1的发烟硝酸和浓硫酸的混酸溶液对所述集成电路进行蚀刻和清洁。本申请通过在塑封盖上打开窗口以露出内部的集成电路，保证了塑封盖边缘的对应的集成电路的所有引脚仍然有效，本申请可以在确保引线完好的同时，高效地完成封装器件的物理分析和失效分析。进一步的，本申请通过将封装器件倒置在酸开封机上，所述混酸溶液对所述集成电路进行蚀刻和清洁时可以及时、彻底地被溶液回收口收集，避免酸性溶液残留在所述集成电路表面的情况，进一步保证了封装器件的物理分析和失效分析的高效完成。效分析的高效完成。效分析的高效完成。

【技术实现步骤摘要】
集成电路封装器件的半开封方法


[0001]本申请涉及半导体芯片开封
，具体涉及一种集成电路封装器件的半开封方法。

技术介绍

[0002]目前有些器件的芯片表面采用镍铜等未受钝化层保护的工艺结构，这种特殊结构的塑封集成电路常见于美国德州仪器公司(简称TI公司)设计生产的电源管理(简称：TPS)系列塑封半导体器件和一些磁隔离器件中，目前这些器件在各领域中的应用非常广泛。
[0003]为了检验塑封器件的性能指标，一般都会对塑封器件进行开封，开封是进行后续物理分析(简称：DPA)、失效分析(简称：FA)的必要手段。现阶段塑封器件(如塑封半导体集成电路)的开封一般采用硝酸和硫酸的混合溶液进行开封，此方法虽操作简单效率高，但是利用这种开封方法会完全暴露内部芯片，并且可能有混酸溶液的残留，加大污染风险，从而可能导致器件的某些引线丧失其功能，造成破坏性物理分析与失效分析后续检验无法继续进行，从而导致分析失败。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种集成电路封装器件的半开封方法，可以解决现有的开封方法存在需要完全暴露内部芯片、有混酸溶液的残留等现象，从而导致后续器件的性能分析失败的问题。
[0005]一方面，本申请实施例提供了一种集成电路封装器件的半开封方法，包括：
[0006]使用激光开封机以一定的功率对封装器件激光扫描一定的次数以在所述封装器件的塑封盖上打开一窗口，所述窗口露出所述封装器件内部的集成电路；
[0007]将开窗后的封装器件倒置在酸开封机上以使封装器件的窗口对着所述酸开封机的溶液喷出口和溶液回收口；
[0008]将混酸溶液从所述溶液喷出口喷进所述窗口对内部的所述集成电路进行蚀刻和清洁，并利用所述溶液回收口不断地收集使用过的废弃的混酸溶液，其中，所述混酸溶液为体积比为2:1的发烟硝酸和浓硫酸，所述混酸溶液的流量为1ml/min。
[0009]可选的，在所述集成电路封装器件的半开封方法中，使用所述激光开封机以50％的额定功率对封装器件激光扫描18次以在所述封装器件的塑封盖上打开一窗口。
[0010]可选的，在所述集成电路封装器件的半开封方法中，所述封装器件的塑封盖上的所述窗口的面积为内部的所述集成电路的面积的1.21倍～1.69倍。
[0011]可选的，在所述集成电路封装器件的半开封方法中，在将混酸溶液从所述溶液喷出口喷进所述窗口对内部的所述集成电路进行蚀刻和清洁，并利用所述溶液回收口不断地收集使用过的废弃的混酸溶液的过程中，所述酸开封机的工作时间为1000s，环境温度为70℃，施加的保护电压为15V。
[0012]可选的，在所述集成电路封装器件的半开封方法中，所述发烟硝酸的浓度为95％；
所述浓硫酸的浓度为98％。
[0013]可选的，在所述集成电路封装器件的半开封方法中，所述窗口正对所述封装器件内部的集成电路的正上方。
[0014]本申请技术方案，至少包括如下优点：
[0015]本申请通过在塑封盖上打开窗口以露出内部的集成电路，保证了塑封盖边缘的对应的集成电路的所有引脚仍然有效，也避免了污染风险，从而可以在确保引线完好的同时，高效地完成封装器件的物理分析和失效分析。
[0016]进一步的，本申请通过将封装器件倒置在酸开封机上，所述混酸溶液对所述集成电路进行蚀刻和清洁时可以及时、彻底地被溶液回收口收集，避免酸性溶液残留在所述集成电路表面的情况，进一步避免了污染风险，使得后续的封装器件的物理分析和失效分析可以顺利进行。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1是本专利技术实施例的集成电路封装器件的半开封方法的流程图；
[0019]图2是本专利技术实施例的集成电路封装器件倒置在酸开封机上的示意图；
[0020]图3是本专利技术实施例的混酸溶液对内部的所述集成电路进行蚀刻和清洁的示意图；
[0021]其中，附图标记说明如下：
[0022]10
‑
集成电路封装器件，11
‑
窗口，12
‑
内部的集成电路，13
‑
引脚，20
‑
酸开封机，21
‑
溶液喷出口，22
‑
溶液回收口，23
‑
垫片，30
‑
基座。
具体实施方式
[0023]下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0024]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0025]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人
员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0026]此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0027]本申请实施例提供了一种集成电路封装器件的半开封方法，请参考图1，图1是本专利技术实施例的集成电路封装器件的半开封方法的流程图，所述集成电路封装器件的半开封方法包括：
[0028]步骤S10：使用激光开封机以一定的功率对封装器件激光扫描一定的次数以在所述封装器件的塑封盖上打开一窗口，所述窗口露出所述封装器件内部的集成电路。具体的，使用所述激光开封机以50％的额定功率对封装器件激光扫描18次以在所述封装器件的塑封盖上打开一窗口。在本实施例中，所述窗口正对所述封装器件内部的集成电路的正上方。
[0029]步骤S20：请参考图2，图2是本专利技术实施例的集成电路封装器件倒置在酸开封机上的示意图，将开窗后的集成电路封装器件10倒置在酸开封机20上以使封装器件10的窗口11对着所述酸开封机20的溶液喷出口21和溶液回收口22。
[0030]在本实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路封装器件的半开封方法，其特征在于，包括：使用激光开封机以一定的功率对封装器件激光扫描一定的次数以在所述封装器件的塑封盖上打开一窗口，所述窗口露出所述封装器件内部的集成电路；将开窗后的封装器件倒置在酸开封机上以使封装器件的窗口对着所述酸开封机的溶液喷出口和溶液回收口；将混酸溶液从所述溶液喷出口喷进所述窗口对内部的所述集成电路进行蚀刻和清洁，并利用所述溶液回收口不断地收集使用过的废弃的混酸溶液，其中，所述混酸溶液为体积比为2:1的发烟硝酸和浓硫酸，所述混酸溶液的流量为1ml/min。2.根据权利要求1所述的集成电路封装器件的半开封方法，其特征在于，使用所述激光开封机以50％的额定功率对封装器件激光扫描18次以在所述封装器件的塑封盖上打开一窗口。3.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：方涛，舒韵，夏兰，黄红伟，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：