一种负载卡和负载测试系统技术方案

本发明专利技术公开了一种负载卡，包括：多个第一MOS管，每一个第一MOS管的栅极均用于接收控制电平，漏级用于连接待测电压的正极；多个电阻，每一个电阻的一端均与其中一个第一MOS管的源级连接，另一端接地；多个不同倍数的第一放大器，每一个第一放大器的两个输入端与电阻的两端连接，两个输出端作为采样输出端；控制单元，与每一个第一放大器连接并与第一接收端连接；其中，控制单元配置为检测第一接收端接收到的控制电平大小并根据控制电平的大小使用对应倍数的第一放大器。本发明专利技术还提出一种负载测试系统。本发明专利技术通过检测控制电平范围控制选择不同放大倍数的放大器放大采样的电压信号，保证了即使负载不大时，也可以以最高的精度控制负载的输出。载的输出。载的输出。

【技术实现步骤摘要】
一种负载卡和负载测试系统


[0001]本专利技术涉及负载测试领域，具体涉及一种负载卡和负载测试系统。

技术介绍

[0002]随着服务器性能的高速发展，服务器的多样性和结构也更为复杂。服务器主板组成也更加繁琐。因此，对于主板的测试工作也越来越复杂，拉载测试精度要求也越来越高。
[0003]服务器主板电源完整性测试，一定会让后端的负载维持在一定水平，或者按照一定条件发生变化时，去看一下输出电压变化、环路的稳定、保护功能的实现等等一系列指标。因此，在越来越严苛、越来越复杂的测试过程中，提高测试的精度成为了必然的趋势。
[0004]现有技术方案在测试电源动态稳定性时，一般使用电子负载，通过两根拉载线缆(电源和地)焊接在待测电源的输出端。电子负载设置好负载的测试条件，然后进行加载，同时监控电压的稳定性或者进行环路指标的评估等。
[0005]对于一些负载不大，但是对负载变化斜率要求比较高的应用环境，可以利用一些功率级MOS(场效应管)，通过控制Vgs电压(栅极与源极间的电压)，使其工作在恒流区，改变Vgs电压来达到调节负载电流的效果。
[0006]现有技术有如下缺点：
[0007](1)、电子负载体积较大，因此使用时必须要经过两根很长的负载线。由于负载线寄生电感的存在，会造成测试条件负载斜率受到影响；
[0008](2)、电子负载的性能限制，负载变化斜率一般都比较低，对于一些core(核心)电源的测试，用电子负载测试很难满足服务器电源完整性的斜率要求；
[0009](3)、对于行业内特殊功能的负载卡，虽然可以满足斜率要求，但是无论电流多大，MOS个数都是固定的，放大倍数也是固定的。受限于量程，电流比较小时，无法保证可以sense(感测)到电流的精度；
[0010](4)、负载卡无异常预警功能，导致加载过大或者不留意导致掉电，需重启负载卡以及待测主板等繁琐工作。

技术实现思路

[0011]有鉴于此，为了克服上述问题的至少一个方面，本专利技术实施例提出一种负载卡，包括：
[0012]多个第一MOS管，每一个所述第一MOS管的栅极均用于接收控制电平，漏级用于连接待测电压的正极；
[0013]多个电阻，每一个所述电阻的一端均与其中一个所述第一MOS管的源级连接，另一端接地；
[0014]多个不同倍数的第一放大器，每一个第一放大器的两个输入端与所述电阻的两端连接，两个输出端作为采样输出端；
[0015]控制单元，与每一个第一放大器连接并与所述第一接收端连接；
[0016]其中，所述控制单元配置为检测所述第一接收端接收到的控制电平大小并根据所述控制电平的大小使用对应倍数的第一放大器。
[0017]在一些实施例中，所述控制单元还配置为：
[0018]响应于检测到所述控制电平不小于第一阈值，使用第一倍数的第一放大器；
[0019]响应于检测到所述控制电平大于第一阈值不小于第二阈值，使用第二倍数的第一放大器；
[0020]响应于检测到所述控制电平大于第二阈值不小于第三阈值，使用第三倍数的第一放大器；
[0021]响应于检测到所述控制电平大于第三阈值不小于第四阈值，使用第四倍数的第一放大器。
[0022]在一些实施例中，还包括：
[0023]第二MOS管，所述第二MOS管的漏级用于接收控制电平，栅极与所述控制单元连接；
[0024]第二放大器，所述第二放大器分别与所述第二MOS管的源级以及每一个所述第一MOS管的栅极连接以将所述第二MOS管的输出的控制电平放大后输入到第一MOS管。
[0025]在一些实施例中，还包括：
[0026]正常指示单元，所述正常指示单元包括多个指示灯，其中每一个指示灯均与其中一个第一放大器对应；
[0027]其中，所述正常指示单元与所述控制单元连接，并根据所述控制单元的控制信号点亮对应的指示灯。
[0028]在一些实施例中，还包括：
[0029]预警指示单元，所述预警指示单元包括异常指示灯，且所述预警指示单元与所述控制单元连接；
[0030]其中，所述控制单元配置为检测到所述控制电平大于第一阈值时，生成控制信号以点亮所述异常指示灯。
[0031]在一些实施例中，还包括：
[0032]异常指示单元，所述异常指示单元包括异常指示灯，且所述异常指示单元与所述控制单元连接；
[0033]其中，所述控制单元配置为检测到所述控制电平大于第二阈值时，生成控制信号以点亮所述异常指示灯，其中第二阈值大于所述第一阈值。
[0034]在一些实施例中，所述控制单元还配置为检测到所述控制电平大于第二阈值时，关闭所述第二MOS管。
[0035]在一些实施例中，所述第二阈值小于所述第一MOS管的Vgs阈值电压。
[0036]在一些实施例中，所述控制单元包括逻辑控制芯片和与所述逻辑控制芯片连接的管理控制芯片；
[0037]其中所述逻辑控制芯片与每一个第一放大器连接，管理控制芯片与所述第一接收端连接。
[0038]基于同一专利技术构思，本专利技术的实施例还提出一种负载测试系统，包括如上述任一项实施例所述的负载卡。
[0039]本专利技术具有以下有益技术效果之一：本专利技术的实施例提出的方案通过硬盘背板、
机箱背板以及主板组成负载卡架构，简化了存储负载卡结构，减少冗杂线缆，可实现远距离存储，并提升了存储可扩展性和可共享性。
附图说明
[0040]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的实施例。
[0041]图1为本专利技术提出的负载卡的结构示意图。
具体实施方式
[0042]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本专利技术实施例进一步详细说明。
[0043]需要说明的是，本专利技术实施例中所有使用“第一”和“第二”的表述均是为了区分两个相同名称非相同的实体或者非相同的参量，可见“第一”“第二”仅为了表述的方便，不应理解为对本专利技术实施例的限定，后续实施例对此不再一一说明。
[0044]根据本专利技术的一个方面，本专利技术的实施例提出一种负载卡，如图1所示，负载卡包括多个第一MOS管(Q1
‑
Q8)，每一个所述第一MOS管(Q1
‑
Q8)的栅极均用于接收控制电平(Vgs)，漏级用于连接待测电压的正极；
[0045]多个电阻(R1
‑
R8)，每一个所述电阻的一端均与其中一个所述第一MOS管的源级连接，另一端接地；
[0046]多个不同倍数的第一放大器，每一个第一放大器的两个输入端与所述电阻的两端连接，两个输出端作为采样输出端；
[0047]控制单元，与每本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种负载卡，其特征在于，包括：多个第一MOS管，每一个所述第一MOS管的栅极均用于接收控制电平，漏级用于连接待测电压的正极；多个电阻，每一个所述电阻的一端均与其中一个所述第一MOS管的源级连接，另一端接地；多个不同倍数的第一放大器，每一个第一放大器的两个输入端与所述电阻的两端连接，两个输出端作为采样输出端；控制单元，与每一个第一放大器连接并与所述第一接收端连接；其中，所述控制单元配置为检测所述第一接收端接收到的控制电平大小并根据所述控制电平的大小使用对应倍数的第一放大器。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制单元还配置为：响应于检测到所述控制电平不小于第一阈值，使用第一倍数的第一放大器；响应于检测到所述控制电平大于第一阈值不小于第二阈值，使用第二倍数的第一放大器；响应于检测到所述控制电平大于第二阈值不小于第三阈值，使用第三倍数的第一放大器；响应于检测到所述控制电平大于第三阈值不小于第四阈值，使用第四倍数的第一放大器。3.如权利要求1所述的负载卡，其特征在于，还包括：第二MOS管，所述第二MOS管的漏级用于接收控制电平，栅极与所述控制单元连接；第二放大器，所述第二放大器分别与所述第二MOS管的源级以及每一个所述第一MOS管的栅极连接以将所述第二MOS管的输出的控制电平放大后输入到第一MOS管。4.如权利要求1所述的负载卡，其特征在于，还包括：正常指示...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡兆弟，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：