一种高效率辅助供电电路制造技术

本发明专利技术公开了一种高效率辅助供电电路，芯片U4位于变压器T1的初级侧，变压器T1的初级侧设有两个绕组，芯片U4的15号引脚上电性连接有MOS管Q1，芯片U4的15号引脚与MOS管Q1的源极连接，MOS管Q1的栅极上电性连接有二极管D1，MOS管Q1的源极与二极管D1之间接有电容C12，MOS管Q1的栅极和漏极之间接有电阻R6，MOS管Q1的漏极上接有二极管D4，二极管D4通过初级绕组与二极管D2连接，二极管D2与芯片U4的15号引脚连接，芯片U4位于变压器T1次级侧，芯片U4的Vo引脚上连接有电阻R15，芯片U4的Drain引脚与Vss引脚之间接有二极管D3，电阻R15通过电容C15与芯片U4的Vss引脚连接。本发明专利技术的优点在于：有效减小供电电路损耗、降低元件温升、提高效率。提高效率。提高效率。

【技术实现步骤摘要】
一种高效率辅助供电电路


[0001]本专利技术涉及供电电路
，具体是指一种高效率辅助供电电路。

技术介绍

[0002]对于宽电压输出反激式电源，例如多串电池充电器，PD充电器等，变压器供电绕组和输出电压成正比，给驱动IC供电的范围往往超出IC额定输出供电范围，目前常用做法是1.增加串联稳压线路，2.改用供电范围宽的驱动IC，这类IC其实内部有增加LDO等稳压线路，这2钟做法能达到给驱动IC供电的效果，带来的影响是稳压线路损耗大，导致元件温升高，效率降低。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的技术问题是，针对上述问题，提供一种有效减小供电电路损耗、降低元件温升、提高效率的高效率辅助供电电路。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术提供的技术方案为：一种高效率辅助供电电路，包括芯片U3、芯片U4和变压器T1，所述芯片U4位于变压器T1的初级侧，所述变压器T1的初级侧设有两个绕组，所述芯片U4的15号引脚上电性连接有MOS管Q1，所述芯片U4的15号引脚与MOS管Q1的源极连接，所述MOS管Q1的栅极上电性连接有二极管D1，所述MOS管Q1的源极与二极管D1之间接有电容C12，所述MOS管Q1的栅极和漏极之间接有电阻R6，所述MOS管Q1的漏极与二极管D1之间接有电容C10，所述MOS管Q1的漏极上接有二极管D4，所述二极管D4通过初级绕组与二极管D2连接，所述二极管D2与芯片U4的15号引脚连接，所述芯片U4位于变压器T1次级侧，所述芯片U4的Vo引脚上连接有电阻R15，所述电阻R15通过次级绕组与芯片U4的VD引脚连接，所述芯片U4的3个Drain引脚连接，所述芯片U4的2个Vss引脚连接，所述芯片U4的Drain引脚与Vss引脚之间接有二极管D3，所述二极管D3上并联接有电阻R27、电阻R28和电容C9，所述芯片U4的Vcc引脚上接有电容C14，所述电阻R15通过电容C15与芯片U4的Vss引脚连接。
[0005]进一步地，所述电容C12上并联接有电容C18，所述电容C18上并联接有电容C20。
[0006]进一步地，所述电阻R27与电阻R28并联后与电容C9串联，再与二极管D3并联。
[0007]本专利技术与现有技术相比的优点在于：该高效率辅助供电电路，使用双绕组，一组设定辅助绕组直接供电，命名为VCC1,一组设定串联稳压线路供电，命名为VCC2,当VCC1<VCC2时候，通过VCC2供电，当VCC1>VCC2时候,通过VCC1供电，通过调整变压器输出绕组和2组辅助匝比来调整VCC1以及VCC2的电压，来减小最大负载时候的供电电路的损耗，从而降低元件温升、提高效率。
附图说明
[0008]图1为本专利技术一种高效率辅助供电电路的电路原理图；
[0009]图2为本专利技术一种高效率辅助供电电路与传统串联稳压电路的功率损耗对照表
一；
[0010]图3为本专利技术一种高效率辅助供电电路与传统串联稳压电路的功率损耗对照表二。
具体实施方式
[0011]下面结合附图对本专利技术做进一步的详细说明。
[0012]结合附图1，所述芯片U4位于变压器T1的初级侧，所述变压器T1的初级侧设有两个绕组，所述芯片U4的15号引脚上电性连接有MOS管Q1，所述芯片U4的15号引脚与MOS管Q1的源极连接，所述MOS管Q1的栅极上电性连接有二极管D1，所述MOS管Q1的源极与二极管D1之间接有电容C12，所述MOS管Q1的栅极和漏极之间接有电阻R6，所述MOS管Q1的漏极与二极管D1之间接有电容C10，所述电容C12上并联接有电容C18，所述电容C18上并联接有电容C20，所述MOS管Q1的漏极上接有二极管D4，所述二极管D4通过初级绕组与二极管D2连接，所述二极管D2与芯片U4的15号引脚连接，所述芯片U4位于变压器T1次级侧，所述芯片U4的Vo引脚上连接有电阻R15，所述电阻R15通过次级绕组与芯片U4的VD引脚连接，所述芯片U4的3个Drain引脚连接，所述芯片U4的2个Vss引脚连接，所述芯片U4的Drain引脚与Vss引脚之间接有二极管D3，所述二极管D3上并联接有电阻R27、电阻R28和电容C9，所述电阻R27与电阻R28并联后与电容C9串联，再与二极管D3并联，所述芯片U4的Vcc引脚上接有电容C14，所述电阻R15通过电容C15与芯片U4的Vss引脚连接。
[0013]使用双绕组，一组设定辅助绕组直接供电，命名为VCC1,一组设定串联稳压线路供电，命名为VCC2,当VCC1<VCC2时候，通过VCC2供电，当VCC1>VCC2时候,通过VCC1供电，通过调整变压器输出绕组和2组辅助匝比来调整VCC1以及VCC2的电压，来减小最大负载时候的供电电路的损耗，从而降低元件温升、提高效率。
[0014]本专利技术及其实施方式进行了描述，这种描述没有限制性，附图中所示的也只是本专利技术的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本专利技术创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本专利技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高效率辅助供电电路，包括芯片U3、芯片U4和变压器T1，其特征在于：所述芯片U4位于变压器T1的初级侧，所述变压器T1的初级侧设有两个绕组，所述芯片U4的15号引脚上电性连接有MOS管Q1，所述芯片U4的15号引脚与MOS管Q1的源极连接，所述MOS管Q1的栅极上电性连接有二极管D1，所述MOS管Q1的源极与二极管D1之间接有电容C12，所述MOS管Q1的栅极和漏极之间接有电阻R6，所述MOS管Q1的漏极与二极管D1之间接有电容C10，所述MOS管Q1的漏极上接有二极管D4，所述二极管D4通过初级绕组与二极管D2连接，所述二极管D2与芯片U4的15号引脚连接，所述芯片U4位于变压器T1次级侧，所述芯片U4的Vo引脚上...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘学武，
申请(专利权)人：迈思普电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：