聚合物、光刻胶、光刻胶层及光刻工艺制造技术

本发明专利技术涉及光刻材料技术领域，特别是涉及聚合物、光刻胶、光刻胶层及光刻工艺。本发明专利技术通过采用式I所示的聚合物作为光刻胶原料，并限定其重均分子量在一定范围内，相较于传统的酚醛树脂等树脂原料，其具有更好的耐热性和稳定性，制得的光刻胶层能适用于更苛刻的器件加工条件；其在碱性显影液中的溶解度适中，在光刻胶常用溶剂中溶解度较好，能很好地平衡溶解度的问题，较传统技术能成像更好、更精细，且生产效率更高。效率更高。效率更高。

【技术实现步骤摘要】
聚合物、光刻胶、光刻胶层及光刻工艺


[0001]本专利技术涉及光刻材料
，特别是涉及聚合物、光刻胶、光刻胶层及光刻工艺。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，光刻技术精密度大大提升，已从常规光学技术发展到应用电子束、X射线、微离子束、激光等新技术，被广泛运用于平板显示器和芯片模块等精密器件或组件的加工中。然而，在加工过程中，蚀刻、离子注入、电镀等工艺的条件往往导致基板温度的上升，有时甚至会超过传统光刻胶的玻璃转化点温度，导致光刻胶软化、流动，造成尺寸变化，对器件性能造成不良影响，因此，传统光刻胶的耐热性能有待改善。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要提供一种可用于制备具有较高耐热性光刻胶的聚合物及其制备的光刻胶。
[0004]本专利技术的一个方面，提供了一种用于制备光刻胶的聚合物，所述聚合物的重均分子量为3000Da～50000Da，所述聚合物具有式I所示的重复单元：
[0005][0006]其中，*表示连接位点；
[0007]Ar1、Ar2每次出现，分别独立地选自取代或未取代的具有6本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制备光刻胶的聚合物，其特征在于，所述聚合物的重均分子量为3000Da～50000Da，所述聚合物具有式I所示的重复单元：其中，*表示连接位点；Ar1、Ar2每次出现，分别独立地选自取代或未取代的具有6～25个环原子数的芳香基团，或取代或未取代的具有5～25个环原子数的杂芳香基团；R1、R2每次出现，分别独立地选自单键、取代或未取代的主链碳原子数为1～6的亚烃基、取代或未取代的具有6～25个环原子数的亚芳香基团、或取代或未取代的具有5～25个环原子数的亚杂芳香基团，且R1和R2不同时为单键。2.根据权利要求1所述的聚合物，其特征在于，所述R1每次出现，独立地选自取代或未取代的主链碳原子数为1～6的亚烃基；和/或所述R2每次出现，独立地选自取代或未取代的具有6～25个环原子数的亚芳香基团，或取代或未取代的具有5～25个环原子数的亚杂芳香基团。3.根据权利要求1所述的聚合物，其特征在于，所述聚合物具有式II所示的重复单元：其中，*表示连接位点；R3每次出现，独立地选自
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H、
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D、
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F、
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Cl、
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Br、
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CF3、
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NO2、
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CN、甲基、甲氧基、乙基、乙氧基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、环己基或苯基；n1每次出现，独立地选自1、2、3或4；n2每次出现，独立地选自1、2或3；n3每次出现，独立地选自1、2或3；且n2和n3不同时为3。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓伟，
申请(专利权)人：苏州理硕科技有限公司，
类型：发明
国别省市：