一种用于引线框架表面处理的废水处理系统技术方案

技术编号:33636707 阅读:54 留言:0更新日期:2022-06-02 01:50
本发明专利技术提供一种用于引线框架表面处理的废水处理系统,涉及半导体加工废水处理技术领域。该用于引线框架表面处理的废水处理系统,包括重金属离子交换器、银离子吸附器、第一化学沉淀池、第二化学沉淀池、板框式压滤机、阴阳混床和末端过滤器,所述银离子吸附器用于将来自车间的低银废水进行处理,之后将得到的含银再生液加入第一化学沉淀池内。本发明专利技术中各车间产生的酸碱水、低氰水和低银废水分别进入对应的废水池中,之后通过各自对应的子系统进行处理,确保不串流,不混合,最后得到可供车间再次使用的纯水回用率最高个达到80%,对应的污染物的去除率达到98%以上,全系统均可采用自动化控制,减少人工成本,运行成本比传统处理方法减少20%。法减少20%。法减少20%。

【技术实现步骤摘要】
一种用于引线框架表面处理的废水处理系统


[0001]本专利技术涉及半导体加工废水处理
,具体为一种用于引线框架表面处理的废水处理系统。

技术介绍

[0002]引线框架作为集成电路的芯片载体,是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,它起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,是电子信息产业中重要的基础材料。
[0003]引线框架车间会产生酸碱水、低氰水和低银废水,其中还混杂有重金属离子,这就使得引线框架车间产生的废水必须经过处理达标后才可以排放,现有的处理方法为通过废水处理系统依次处理,过程中不免会引入其他新的或产生其他新的污染物,基于上述情况提出了本专利技术的技术方案。

技术实现思路

[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足,本专利技术提供了一种用于引线框架表面处理的废水处理系统,解决了引线框架车间废水依次处理容易引起新的或产生新的污染物进而时处理效率降低的问题。
[0006](二)技术方案
[0007]为实现以上目的,本专利技术通过以下技术方案予以实现:一种用于引线框架表面处理的废水处理系统,包括重金属离子交换器、银离子吸附器、第一化学沉淀池、第二化学沉淀池、板框式压滤机、阴阳混床和末端过滤器;
[0008]所述银离子吸附器用于将来自车间的低银废水进行处理,之后将得到的含银再生液加入第一化学沉淀池内,剩余废水a排入综合集水箱;r/>[0009]所述第二化学沉淀池接收经过两次破氰处理的低氰水、第一化学沉淀池的上清液以及低温蒸发器产生的浓缩液,所述第二化学沉淀池在反应沉淀后将上层产物依次通过过滤水箱和低温蒸发器进行处理,得到的废水b排入综合水箱,之后依次经过石英过滤器、活性炭过滤器、精密过滤器和纤维超滤设备处理,得到的超滤浓水送入调节池并进行PH调节,得到的废水d依次经过1级反渗透处理a、2级反渗透处理、高速混床处理进入高纯水箱,过程中1级反渗透处理a产生的浓水A排至排放水箱之后经过末端过滤器进行处理,之后排出,2级反渗透处理产生的浓水B送至纤维超滤设备处理过程,高速混床处理产生的高速再生液排入第一化学沉淀池内,所述高纯水箱内的高纯水和来自阴阳混床的纯水一起送至中间水箱;
[0010]所述第二化学沉淀池和第一化学沉淀池的下层固废料通过板框式压滤机进行处理将压滤液排入过滤水箱内;
[0011]所述重金属离子交换器将来自调节池的原料处理得到重金属再生液以及废水c,所述废水c排入综合集水箱内,所述重金属再生液进入第一化学沉淀池。
[0012]优选的,所述废水a从银离子吸附器所在车间的排出口排出。
[0013]优选的,进入所述中间水箱的高纯水和纯水的混合水供车间再次使用。
[0014]优选的,进入所述调节池的还有来自车间的酸碱水。
[0015]优选的,所述阴阳混床的纯水为自来水依次经过多介质过滤器和1级反渗透处理b进入纯水箱的产物。
[0016]优选的,所述两次破氰处理均通过次氯酸钠进行处理。
[0017](三)有益效果
[0018]本专利技术提供了一种用于引线框架表面处理的废水处理系统。具备以下有益效果:
[0019]本专利技术中,各车间产生的酸碱水、低氰水和低银废水分别进入对应的废水池中,之后通过各自对应的子系统进行处理,确保不串流,不混合,最后得到可供车间再次使用的纯水回用率最高个达到80%,对应的污染物的去除率达到98%以上,全系统均可采用自动化控制,减少人工成本,运行成本比传统处理方法减少20%。
附图说明
[0020]图1为本专利技术的系统原理图;
具体实施方式
[0021]下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。
[0022]实施例:
[0023]如图1所示,本专利技术实施例提供一种用于引线框架表面处理的废水处理系统,包括重金属离子交换器、银离子吸附器、第一化学沉淀池、第二化学沉淀池、板框式压滤机、阴阳混床和末端过滤器;
[0024]银离子吸附器用于将来自车间的低银废水进行处理,之后将得到的含银再生液加入第一化学沉淀池内,剩余废水a从银离子吸附器所在车间的排出口排出到综合集水箱,银离子吸附器所在车间的排出口通过管道与综合集水箱相连接且在该管道连接综合集水箱的位置配置阀门,低银废水在对应的车间的低银废水池进行收集;
[0025]第二化学沉淀池接收经过使用次氯酸钠的两次破氰处理的低氰水、第一化学沉淀池的上清液以及低温蒸发器产生的浓缩液,第二化学沉淀池在反应沉淀后将上层产物依次通过过滤水箱和低温蒸发器进行处理,得到的废水b排入综合水箱,之后依次经过石英过滤器、活性炭过滤器、精密过滤器和纤维超滤设备处理,得到的超滤浓水送入调节池并进行PH调节,得到的废水d依次经过1级反渗透处理a、2级反渗透处理、高速混床处理进入高纯水箱,过程中1级反渗透处理a产生的浓水A排至排放水箱之后经过末端过滤器进行处理,之后排出,这时排水的为纯水,可供车间再次使用,2级反渗透处理产生的浓水B送至纤维超滤设备处理过程,高速混床处理产生的高速再生液排入第一化学沉淀池内,高纯水箱内的高纯
水和来自阴阳混床的纯水一起送至中间水箱,进入中间水箱的高纯水和纯水的混合水供车间再次使用,其中低氰水在破氰处理前收集;
[0026]第二化学沉淀池和第一化学沉淀池的下层固废料通过板框式压滤机进行处理将压滤液排入过滤水箱内,板框式压滤机处理的其他剩余产物集中收集,这时就可以将第二化学沉淀池和第一化学沉淀池的沉淀物充分收集;
[0027]重金属离子交换器将来自调节池的原料处理得到重金属再生液以及废水c,废水c排入综合集水箱内,重金属再生液进入第一化学沉淀池,原料为自车间的酸碱水和超滤浓水。
[0028]阴阳混床的纯水为自来水依次经过多介质过滤器和1级反渗透处理b进入纯水箱的产物,通过阴阳混床的处理可以得到供半导体加工使用的纯水。
[0029]尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于引线框架表面处理的废水处理系统,其特征在于:包括重金属离子交换器、银离子吸附器、第一化学沉淀池、第二化学沉淀池、板框式压滤机、阴阳混床和末端过滤器;所述银离子吸附器用于将来自车间的低银废水进行处理,之后将得到的含银再生液加入第一化学沉淀池内,剩余废水a排入综合集水箱;所述第二化学沉淀池接收经过两次破氰处理的低氰水、第一化学沉淀池的上清液以及低温蒸发器产生的浓缩液,所述第二化学沉淀池在反应沉淀后将上层产物依次通过过滤水箱和低温蒸发器进行处理,得到的废水b排入综合水箱,之后依次经过石英过滤器、活性炭过滤器、精密过滤器和纤维超滤设备处理,得到的超滤浓水送入调节池并进行PH调节,得到的废水d依次经过1级反渗透处理a、2级反渗透处理、高速混床处理进入高纯水箱,过程中1级反渗透处理a产生的浓水A排至排放水箱之后经过末端过滤器进行处理,之后排出,2级反渗透处理产生的浓水B送至纤维超滤设备处理过程,高速混床处理产生的高速再生液排入第一化学沉淀池内,所述高纯水箱内的高纯水和来自阴阳混床的纯水...

【专利技术属性】
技术研发人员:泮剑峰
申请(专利权)人:广州丰江微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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