一种基于氧化物薄膜光电效应的紫外线强度控制器制造技术

本发明专利技术提供一种基于氧化物薄膜光电效应的紫外线强度控制器，包括：紫外感光芯片，包括电性连接的氧化物薄膜和电信号增益运算电路；A/D模块，接收电信号增益运算电路的模拟电信号，并转换为数字信号输出至单片机；单片机，接收A/D模块传输的数字信号后，与预设的参考值进行比较，并发出控制指令给控制模块；控制模块，接收单片机的控制指令后调节紫外光源的电压及温度；还包括电源模块，所述电源模块与所述增益运算电路和单片机连接，为增益运算电路和单片机提供电源。本发明专利技术利用氧化物薄膜作为感光元件，在紫外光照射下，由于塞贝克效应感生电压，响应时间在纳秒级，能快速响应紫外光强度，具有响应快、灵敏度高的特点。灵敏度高的特点。灵敏度高的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种基于氧化物薄膜光电效应的紫外线强度控制器


[0001]本专利技术属于光电控制器件
，具体涉及一种基于氧化物薄膜光电效应的紫外线强度控制器。

技术介绍

[0002]紫外光是电磁波谱中波长从0.40~0.01微米辐射的总称，具有杀菌、医疗的功能，适量的紫外线照射帮助人体合成维生素D，并可以治疗干癣、白斑等皮肤病变，但照射过量会对人体造成副作用或永久的伤害，因此紫外线强度控制器作为一种能够探测紫外线强度的光电器件，具有广阔的应用前景。
[0003]传统的真空型紫外控制器由于体积和重量庞大、能耗高、易损坏以及需要在高压低温下工作等缺点，已无法满足其应用的需求。目前研究较多的半导体材料控制器如GaN，SiC等有自身的局限性，如GaN基紫外控制器，GaN在生长的过程中极易造成严重的晶格失配从而导致控制器的光电性能下降；SiC基紫外控制器，由于SiC具有间接带隙，使得控制器灵敏度受到限制。
[0004]因此需要开发一种应用于多种场景的紫外线强度控制器。

技术实现思路

[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供如下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于氧化物薄膜光电效应的紫外线强度控制器，包括紫外光源，其特征在于，还包括：紫外感光芯片，包括氧化物薄膜和电信号增益运算电路，所述电信号增益运算电路与所述氧化物薄膜电性连接；A/D模块，与所述电信号增益运算电路电性连接，接收电信号增益运算电路的模拟电信号，并转换为数字信号输出至单片机；单片机，与所述A/D模块电性连接，接收A/D模块传输的数字信号后，与预设的参考值进行比较，并根据比较结果发出控制指令给控制模块；控制模块，与所述单片机和紫外光源同时以电性连接，接收单片机的控制指令后调节紫外光源；还包括电源模块，所述电源模块与所述增益运算电路和单片机连接，为增益运算电路和单片机提供电源。2.根据权利要求1所述的紫外线强度控制器，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：周小红，余乐平，路露，徐律，周小芳，
申请(专利权)人：无锡商业职业技术学院，
类型：发明
国别省市：