一种多孔-微气囊结构的石墨烯交替薄膜、制备方法及应用技术

本发明专利技术公开了一种多孔

【技术实现步骤摘要】
一种多孔
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微气囊结构的石墨烯交替薄膜、制备方法及应用


[0001]本专利技术涉及电磁屏蔽
，具体涉及一种多孔
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微气囊结构的石墨烯交替薄膜、制备方法及应用。

技术介绍

[0002]近年来，随着现代电子设备的飞速发展，这大大改善了人们的日常生活水平，但同时也带来了新的污染
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电磁干扰。电磁污染不仅会造成能量损失，还会造成信号干扰和数据丢失甚至使精密系统崩溃。传统的电磁屏蔽材料，例如Cu和Cr等金属材料存在密度大和易腐蚀等问题，因而限制其在该领域中的广泛使用。对于导电高分子而言，由于通常需要经过掺杂才能达到较好的屏蔽效果，但这通常是材料热稳定性差的原因。开发同时将优异的屏蔽性能和超薄层、高机械强度和良好的可靠性相结合，从而满足新兴多功能器件和电子系统要求的屏蔽材料是至关重要的。
[0003]新颖的碳材料，如石墨烯、碳纳米管、MXene等得到了广泛的发展。其中，石墨烯作为一种2D碳材料，具有许多优异的性能。例如具有良好的导电性、机械强度、化学稳定性、易于功能化和可大规模制备的特性，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多孔
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微气囊结构的石墨烯交替薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将碱性处理聚丙烯腈纳米纤维aPAN溶解在水溶液中，超声分散得到均匀的纤维溶液；将氧化石墨烯溶液加入到纤维溶液中，充分搅拌混合均匀得到GO
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aPAN；步骤2：在基底上放置一层聚乙烯醇PVA气凝胶膜，然后将GO
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aPAN溶液刮涂到PVA膜上；采用上述方法制备多层交替的膜，得到GO/aPAN
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PVA
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n膜，其中最上层和最下层均为GO/aPAN膜；其中，n为薄膜的总层数，n≥3；步骤3：将步骤2得到的GO/aPAN
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PVA
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n膜预氧化处理后，高温碳化处理，冷却后即可得到所需石墨烯交替薄膜GC/C
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n。2.根据权利要求1所述的一种多孔
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微气囊结构的石墨烯交替薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中aPAN纳米纤维与氧化石墨烯的质量比为5～20:100。3.根据权利要求1所述的一种多孔
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微气囊结构的石墨烯交替薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤3中预氧化处理温度为180～250℃，处理时间为30～60min。4.根据权利要求1所述的一种多孔
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微气囊结构的石墨烯交替薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤3中高温碳化处理温度为1800～2000℃，处理时间为1...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟凡彬，张礼奎，陈耀，刘倩，徐正康，
申请(专利权)人：西南交通大学，
类型：发明
国别省市：