【技术实现步骤摘要】
硅基宽带高速可重构正交分频器
[0001]本专利技术属于射频无线收发前端集成电路
,具体涉及一种工作频率覆盖低频(~MHz)至毫米波(~30GHz)频段,基于硅基工艺的宽带高速可重构正交分频器,尤其涉及一种带开关调节的负载时钟前馈CMOS宽带高速动态电流模逻辑DCML(Dynamic Current mode Logic)分频器结构,主要应用于毫米波无线收发前端系统中。
技术介绍
[0002]硅基毫米波技术的不断发展给人们的生活带来了日新月异的变化,各种不同的通信标准协议和技术应用层出不穷。其中,无线收发前端系统不但需要满足越来越严苛的延迟、传输速率、功耗、成本和可靠性等要求,而且还能够同时支持多种通信协议及未来软件无线电定义。分频器作为无线收发前端中频率源中不可或缺的组成部分,其主要功能就是将振荡器产生的最高频率一分为二,并根据需要正交输出,该模块的性能好坏将直接影响整个链路的相位噪声及功耗等,其性能的优劣对整个无线通信系统产生直接的影响。现代光纤通信网络使用波分复用技术极大地提升了网络传输容量。基于硅基液晶技术的波长选择开关使光纤网络运营商在网络节点处可以灵活地调度各个波长信道,让光纤通信网络在波长级具有可重构性,大幅地降低了网络的传输和运营成本,已经成为了现代光纤通信网络的核心组件。同时,基于硅基液晶(Liquid Crystal on Silicon,LCOS)技术的波长选择开关WSS具有高端口数目,且支持灵活栅格(Flex
‑
grid)标准,可大幅提升全光通信网络的传输容量,波长路径 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.种硅基宽带高速可重构正交分频器,包括:带尾电流偏置阵列的主从两个差分锁存器LATCH1和LATCH2,一个负载时钟前馈射频开关单元以及分别连接I/Q两路的差分输出缓冲器Buffer,其特征在于,主差分锁存器LATCH1的数据信号差分输出端Q、QB依次连接从差分锁存器LATCH2的数据信号差分输入端D、DB;从差分锁存器LATCH2数据信号输出端Q、QB连接缓冲器Buffer1,LATCH1数据信号输出端Q、QB连接另一缓冲器Buffer2;负载时钟前馈射频开关单元通过时钟信号差分输出端口Z0和Z1分别连接主从两个差分锁存器的时钟馈入端口CLK
FD
;外部差分时钟信号V
CLKP
和V
CLKN
通过电容C
IN1
、C
IN2
传输至主从两个差分锁存器的时钟信号差分输入端口CLK
P
和CLK
N
,同时外部差分时钟信号V
CLKP
和V
CLKN
通过起隔直作用的电容C
IN1
,C
IN2
和C
IN3
、C
IN4
,将时钟输入差分信号CLK
P
和CLK传输至负载时钟前馈射频开关单元时钟信号差分输入端口A0和A1;主从两个差分锁存器的偏置电流源阵列控制端T
cur_adj
相互连接,并通过外部数字信号V
TCTL
控制整个分频器工作时的时钟输入为正弦波或方波的信号,输出信号通过自带的缓冲器Buffer直接驱动后级电路。2.根据权利要求1所述的硅基宽带高速可重构正交分频器,其特征在于:两个差分锁存器对输入信号进行采样,将时钟输入差分信号CLK
P
和CLK
N
通过电容器C
IN1
、C
IN2
并联电容器C
IN3
、C
IN4
,将该正弦波或方波信号时钟信号传输到负载时钟前馈射频开关单元,对时钟频率高低进行控制;在输入时钟频率低时,开关导通,主差分锁存器LATCH1工作为动态,当差分锁存器差分正相时钟信号输入端口CLK
P
为高电平时,开关断开,从差分锁存器LATCH2工作为静态,主从差分锁存器输出端自带的缓冲器buffer直接驱动后级电路。3.根据权利要求1所述的硅基宽带高速可重构正交分频器,其特征在于:差分锁存器由三组差分NMOS对管,一组PMOS负载管以及电流值可变的偏置尾电流源阵列组成,其中,第一组差分NMOS对管M
S1
和M
S2
为采样对管,第二组NMOS对管M
H1
和M
H2
为正反馈交叉耦合锁存对管,第三组NMOS对管M1和M2为时钟信号输入对管;PMOS对管M
P1
和M
P2
为有源负载对管,PMOS负载管M
P1
和M
P2
将电流信号转换成电压信号输出。4.根据权利要求3所述的硅基宽带高速可重构正交分频器,其特征在于:当差分锁存器差分正相时钟信号输入端口CLK
P
为高电平时,M1开启,M2关闭,采样对管工作,对输入数据信号进行采样;当差分锁存器差分正相时钟信号输入端口CLK
P
为低电平时,M1关闭,M2开启,锁存对管工作,锁定采样得到的数据,尾电流偏置大小改变通过外部控制信号T
cur_adj
切换不同的电流镜比例实现。5.根据权利要求1所述的硅基宽带高速可重构正交分频器,其特征在于:采样管M
S1
其漏极连接锁存管M
H2
漏极与锁存管M
H1
栅极后接入负载管M
P1
漏极,构成所属差分锁存器信号输出端QB;采样管M
S2
其漏极连接锁存管M
H1
漏极与锁存管M
H2
栅极后接入负载管M
P2
漏极,构成所属差分锁存器信号输出端Q。6.根据权利要求1所述的硅基宽带高速可重构正交分频器,其特征在于:负载对管M
P1
和M
P2
的栅极偏置电压经过电阻R1=10K后由外部电压V
Bias
提供;C1为负载管M
P1
和M
P2
栅极的隔直电容,一端连接M
P1
和M
P2
栅极,一端构成差分锁存器的时钟馈入端口CLK
FD
;第一组NMOS对管M
S1
和M
S2
源极短接后连接第三组NMOS对管中M1的漏极,其栅极分别构成所述差分锁存器的信号输入端口D和DB,第二组NMOS对管M
H1
和M
H2
源极短接后连接第三组NMOS对管中M2的漏极;第三组NMOS对管M1和M2源极短接后接入尾电流管M
T1
的漏极,其栅极分别构成所述差分锁存器的时钟信号输入端口CLK
P
和CLK
N
,其中,晶体管M1的栅极处还并联有一个大电阻R2,电阻
另一端连接外部偏置电压V
cas
给晶体管M1栅极提供直流偏置。7.根据权利要求1所述的硅基宽带高速可重构正交分频器,其特征在于:差分锁存器中电流值可调的尾电流源阵列,...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘智卿,王友华,张然,李航标,赵晓冬,姚明,张凯,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十研究所,
类型:发明
国别省市:
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