陶瓷基座制造技术

技术编号:33630371 阅读:71 留言:0更新日期:2022-06-02 01:32
本发明专利技术关于一种陶瓷基座。本发明专利技术的陶瓷基座包括:绝缘板,其上设置有高频电极;连接至该绝缘板的轴;连接至该轴的纵向端的连接座;连接至该高频电极的第一杆和第二杆,穿过该轴的该纵向端并延伸至该连接座,以及设置在该连接座中的连接构件,其中该连接构件连接该第一杆和该第二杆。和该第二杆。和该第二杆。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】陶瓷基座


[0001]本专利技术关于一种陶瓷基座。更特别地,本专利技术关于一种具有用以减少高频电极单元产生的热量的结构的陶瓷基座。

技术介绍

[0002]半导体装置或显示器装置一般是通过在玻璃基板、柔性基板,或半导体晶圆基板上依次堆栈包括介电层和金属层等多个薄膜层,然后将其图案化来制造。这些薄膜层以化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)制程或物理气相沉积(physical vapor deposition,PVD)制程依次沉积在基板上。CVD制程的范例包括低压CVD(LPCVD)制程、电浆增强CVD(PECVD)制程,以及金属有机CVD(MOCVD)制程。
[0003]此种CVD装置和PVD装置具有加热器,其被设置为支撑玻璃基板、柔性基板,或半导体晶圆基板并且施加预定量的热量。由于电浆沉积过程或其类似者中所需的精确温度控制和热处理等要求,陶瓷加热器被广泛安装在CVD装置和PVD装置上,以用以像是半导体组件的微布线等精密制程。此外,在蚀刻形成半导体晶圆基板上的薄膜层的过程中,或在光阻剂烧结过程中,加热器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种陶瓷基座,包括:绝缘板,设置有高频电极;轴,连接至所述绝缘板;连接座,连接至所述轴的纵向端;第一杆和第二杆,分别连接至所述高频电极,并且穿过所述轴的所述纵向端并延伸至所述连接座;以及连接构件,设置在所述连接座中,其中所述连接构件连接所述第一杆与所述第二杆。2.根据权利要求1所述的陶瓷基座,其中,所述高频电极包括第一高频电极和第二高频电极,所述第一杆电连接至所述第一高频电极,所述第二杆电连接至所述第二高频电极。3.根据权利要求1所述的陶瓷基座,其进一步包括形成在所述轴的纵向端的隔离板,所述第一杆和...

【专利技术属性】
技术研发人员:李柱声裵瀚音
申请(专利权)人:美科陶瓷科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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